看到本壇粉紅貼出中共偽政權搞成EUV（極紫外）光刻係統的傳言，我搜索了一下新聞。
這裏有兩篇。
光刻係統：中國據稱製造 EUV 機器 |Heise 在線
光刻係統：據稱中國製造 EUV 機器
光刻係統：據稱中國製造 EUV 機器
中國最早將於 2026 年大規模生產複雜的 EUV 係統。然而，這似乎並不是特別現實。
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基於 Tiktok 和 X，一張帶有粗體字樣EUV的中國機器的圖片正在流傳。許多人由此得出結論，中國可能很快就會使用高度複雜的極紫外 （EUV） 光刻技術生產芯片。
這對該國來說將是一個巨大的成功，因為到目前為止，隻有荷蘭的 ASML 大規模生產了 EUV 光刻係統。但是，由於出口限製，ASML 不允許將這些出售給中芯國際等中國芯片製造商。當前的 EUV 光刻係統暴露了波長為 13.5 納米的芯片結構。它們是最現代生產流程所必需的。
Zephyr@zephyr_z9
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中國最大的芯片合同製造商中芯國際目前主要為華為生產 7 納米結構的芯片。如果沒有 EUV 光刻係統，製造商必須依賴具有深紫外波長（DUV，193 nm 波長）的多重圖形化。結構越精細，需要的曝光通道就越多，這會增加錯誤率。即使是 7 納米工藝也隻有在補貼下才在經濟上可行。
EUV 一詞沒有明確的定義。其他波長也屬於此光譜範圍，例如發射 46.9 nm 輻射的氬等離子體激光源。FZ Jlich 正在研究如何將這種輻射用於EUV 幹涉光刻。
據報道，中國計劃在 2025 年夏季開始 EUV 機器的試生產，並於 2026 年開始批量生產。然而，目前還沒有可靠的消息來源表明，中芯國際或其他公司在不久的將來將能夠使用EUV技術製造芯片。
他們指出，國內公司可以使用 DUV 光刻技術製造 65 nm 工藝的係統，具有 8 nm 的疊加。Overlay 通常是指晶圓的對準精度。
(綜合)
中國投資 370 億歐元開發國產 EUV 光刻係統 - Power Electronics News
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中國最大的芯片合同製造商中芯國際目前主要為華為生產 7 納米結構的芯片。如果沒有 EUV 光刻係統，製造商必須依賴具有深紫外波長（DUV，193 nm 波長）的多重圖形化。結構越精細，需要的曝光通道就越多，這會增加錯誤率。即使是 7 納米工藝也隻有在補貼下才在經濟上可行。
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同時，這台來自中國的機器還標有額外的字符，穀歌將其翻譯為EUV 光刻鏡頭對準 [和] 幹涉儀。據此，它是一種用於對準並可能測試現代矽晶片的設備。但是，它與用於曝光芯片的光刻係統無關，而是生產的配套機器。這也解釋了為什麽該盒子看起來隻有 ASML EUV 光刻係統的一半左右。EUV 一詞沒有明確的定義。其他波長也屬於此光譜範圍，例如發射 46.9 nm 輻射的氬等離子體激光源。FZ Jlich 正在研究如何將這種輻射用於EUV 幹涉光刻。
ASML 的 EUV 照排機 Twinscan NXE：3400 從內部看。激光發射等離子體液滴以產生波長為 13.5 納米的光。
（圖片：ASML）謹防有關中國芯片生產的報道
與此同時，自 2024 年以來，有關中國半導體行業的錯誤信息一直在積累。例如，去年秋天，有猜測稱中國已經為高達 8 納米的生產工藝開發了自己的 DUV 係統。這方麵的來源是中國政府文件，這些文件可能被翻譯錯誤。他們指出，國內公司可以使用 DUV 光刻技術製造 65 nm 工藝的係統，具有 8 nm 的疊加。Overlay 通常是指晶圓的對準精度。
(綜合)
中國投資 370 億歐元開發國產 EUV 光刻係統 - Power Electronics News
中國投資 370 億歐元開發國產 EUV 光刻係統
EUV（極紫外）光刻係統在半導體製造中發揮著至關重要的作用，有助於製造更小、更強大、更節能的芯片。
EUV（極紫外）光刻係統對於製造創新半導體至關重要，能夠生產更小、更強大和更節能的芯片。EUV 使用 13.5 nm 波長的光在半導體晶片上形成極精細的特征圖案化，對於提供 5 nm、3 nm 及更高波長的節點至關重要。
ASML是一家荷蘭公司，是唯一一家 EUV 係統製造商，這使得它們對世界半導體生產至關重要。這些機器的使用受到嚴格限製，出口限製會影響政治和經濟影響力。
在美國的壓力下，ASML 自 2019 年以來一直被禁止向中國出售其先進設備。最近，荷蘭進一步收緊了這些限製，有效地阻止了中國獲得基本零部件。
本文將探討中國投資370 億歐元開發國產 EUV 光刻係統的大膽半導體計劃，以及它對 ASML 市場領導地位可能構成的威脅。
該過程從產生 EUV 光開始，這是通過使用高功率激光瞄準微小的錫滴來實現的。強烈的能量將錫轉化為等離子體，等離子體發射所需的 13.5 nm 波長光。由於 EUV 光很容易被空氣和傳統材料吸收，因此整個過程發生在真空中，需要專門的光學元件來引導光線。
這些光學元件依賴於塗有鉬和矽交替層的反射鏡，旨在通過相長幹涉反射 EUV 光。鏡子必須拋光至近乎完美的光滑度，因為小至納米的缺陷可能會破壞芯片製造所需的精度。
同樣重要的是光刻膠，即應用於矽晶片的光敏材料。這些光刻膠必須經過微調以對 EUV 的短波長做出反應，平衡靈敏度和分辨率以最大限度地減少缺陷。光刻膠化學的創新對於提高 EUV 的實用性至關重要。
圖 1 顯示了 ASML 的 TWINSCAN NXE 設備內部從 EUV 光源（右下）到半導體晶片（中下）的完整光路。
圖 1：ASML EUV 光刻係統內部的全光路（版權所有 （ASML） 保留所有權利）
相比之下，EUV 在更短的 13.5 nm 波長下工作，從而可以在單次曝光中對 7 nm 以下的特征進行圖案化，包括 5 nm 和 3 nm 節點。這消除了對複雜多重圖形的需求。
在應用方麵，DUV 在大約 180 nm 到 7 nm 的節點中占據主導地位，並廣泛用於生產 DRAM 和 NAND 等存儲芯片，以及不太先進的邏輯芯片。然而，EUV 對於幾納米的高級邏輯節點至關重要，尤其是在高性能 CPU 和 GPU 中。雖然 EUV 用於關鍵層，例如金屬層，但某些層仍然依賴 DUV 來提高成本效益。
學術界也加入了這場競賽。哈爾濱工業大學最近提出了一種不同於西方方法的產生 EUV 光的替代方法。該研究所的項目由趙永鵬教授領導，專注於中心波長為 13.5 納米的放電誘導等離子體 EUV 源。
ASML 的 EUV 光源采用激光產生等離子體 （LPP） 技術，其中高能激光撞擊液態錫滴以產生等離子體。這個過程依賴於先進的激光組件和基於 FPGA 的複雜控製，關鍵技術曆來由外國公司主導。
相比之下，Zhao 的團隊采用了激光誘導放電等離子體 （LDP） 方法。在這種方法中，激光蒸發少量錫，在兩個電極之間形成雲。然後在電極上施加高壓，使錫雲通電並將其轉化為等離子體。由此產生的電子和高價錫離子之間的相互作用會產生 EUV 光。
根據該研究所的網站，這種方法擁有高能量轉換效率、低成本、緊湊的尺寸和相對較低的技術複雜性。然而，優化放電脈衝時序和輸出功率仍然是一個重大挑戰。
中國的其他研究小組也在從不同角度探索 EUV 技術。上海光學精密機械研究所與清華大學共同領導了SSMB-EUV 項目，這是一項旨在開發用於光刻的替代 EUV 光源的大規模國家計劃。
此外，研究工作繼續專注於提高能源效率，最近的突破有望在這一領域取得重大進展。衝繩科學技術大學 （OIST）的 Tsumoru Shintake 教授提出了一種可以將能耗降低 90% 的 EUV 技術。ASML 也引入了重大升級，以提高其係統的效率和生產力。
OIST 的 EUV 光刻設計可在更小的 EUV 光源下運行，從而顯著降低成本，同時大大提高機器的可靠性和使用壽命。此外，它消耗的功率不到傳統 EUV 光刻係統的十分之一，有助於實現更環保的半導體行業。
這一突破是通過克服曾經被認為無法克服的兩個挑戰實現的（圖 2）。首先是開發一種僅使用兩個鏡子的創新光學投影係統。第二種是一種新穎的方法，可以有效地將 EUV 光引導到平麵鏡（光掩模）上的邏輯圖案上，而不會阻礙光路。
圖 2：OIST 提出的光刻技術方案（來源：衝繩科學技術大學)
ASML是一家荷蘭公司，是唯一一家 EUV 係統製造商，這使得它們對世界半導體生產至關重要。這些機器的使用受到嚴格限製，出口限製會影響政治和經濟影響力。
本文將探討中國投資370 億歐元開發國產 EUV 光刻係統的大膽半導體計劃，以及它對 ASML 市場領導地位可能構成的威脅。
ASML 對 EUV 技術的壟斷
由 ASML 開創的 EUV 光刻技術是唯一能夠達到下一代半導體製造所需精度的技術。這種能力對於維持半導體行業遵循摩爾定律的能力至關重要，摩爾定律是幾十年來大約每兩年將芯片上的晶體管數量翻倍的趨勢。該過程從產生 EUV 光開始，這是通過使用高功率激光瞄準微小的錫滴來實現的。強烈的能量將錫轉化為等離子體，等離子體發射所需的 13.5 nm 波長光。由於 EUV 光很容易被空氣和傳統材料吸收，因此整個過程發生在真空中，需要專門的光學元件來引導光線。
這些光學元件依賴於塗有鉬和矽交替層的反射鏡，旨在通過相長幹涉反射 EUV 光。鏡子必須拋光至近乎完美的光滑度，因為小至納米的缺陷可能會破壞芯片製造所需的精度。
同樣重要的是光刻膠，即應用於矽晶片的光敏材料。這些光刻膠必須經過微調以對 EUV 的短波長做出反應，平衡靈敏度和分辨率以最大限度地減少缺陷。光刻膠化學的創新對於提高 EUV 的實用性至關重要。
圖 1 顯示了 ASML 的 TWINSCAN NXE 設備內部從 EUV 光源（右下）到半導體晶片（中下）的完整光路。
EUV 與 DUV
如果沒有 EUV，就不可能使用較舊的深紫外 （DUV） 光刻方法將晶體管縮放到電流密度。DUV 和 EUV 光刻技術在波長和分辨率上存在顯著差異。DUV 在更長的波長下工作，通常使用 KrF 激光器為 248 nm，使用 ArF 激光器為 193 nm。先進的技術，如浸沒式光刻技術（使用水來提高分辨率）和多重圖案化（多次曝光可實現更精細的特征），使 DUV 能夠處理低至約 7 nm 的節點。相比之下，EUV 在更短的 13.5 nm 波長下工作，從而可以在單次曝光中對 7 nm 以下的特征進行圖案化，包括 5 nm 和 3 nm 節點。這消除了對複雜多重圖形的需求。
在應用方麵，DUV 在大約 180 nm 到 7 nm 的節點中占據主導地位，並廣泛用於生產 DRAM 和 NAND 等存儲芯片，以及不太先進的邏輯芯片。然而，EUV 對於幾納米的高級邏輯節點至關重要，尤其是在高性能 CPU 和 GPU 中。雖然 EUV 用於關鍵層，例如金屬層，但某些層仍然依賴 DUV 來提高成本效益。
高 NA EUV
ASML 進一步擴展了 EUV 光刻技術的能力，開發了高數值孔徑 （NA） 技術，也稱為EXE。在高數值孔徑光刻係統中，數值孔徑（衡量光學係統收集和聚焦光的能力的指標）從 0.33 增加到 0.55。這將臨界尺寸或係統可以打印的最小特征減少了 1.7 倍，並將芯片上的晶體管密度提高了 2.9 倍。中國 EUV 發展的主要參與者
以華為為首，許多中國公司正在努力實現這一雄心勃勃的目標，華為於 2022 年為一種新型 EUV 光源申請了專利。另一家主要參與者，中國領先的光刻設備製造商 SMEE（上海微電子設備）提交了 2023年專利，名為極紫外輻射發生器和光刻設備。學術界也加入了這場競賽。哈爾濱工業大學最近提出了一種不同於西方方法的產生 EUV 光的替代方法。該研究所的項目由趙永鵬教授領導，專注於中心波長為 13.5 納米的放電誘導等離子體 EUV 源。
ASML 的 EUV 光源采用激光產生等離子體 （LPP） 技術，其中高能激光撞擊液態錫滴以產生等離子體。這個過程依賴於先進的激光組件和基於 FPGA 的複雜控製，關鍵技術曆來由外國公司主導。
相比之下，Zhao 的團隊采用了激光誘導放電等離子體 （LDP） 方法。在這種方法中，激光蒸發少量錫，在兩個電極之間形成雲。然後在電極上施加高壓，使錫雲通電並將其轉化為等離子體。由此產生的電子和高價錫離子之間的相互作用會產生 EUV 光。
根據該研究所的網站，這種方法擁有高能量轉換效率、低成本、緊湊的尺寸和相對較低的技術複雜性。然而，優化放電脈衝時序和輸出功率仍然是一個重大挑戰。
中國的其他研究小組也在從不同角度探索 EUV 技術。上海光學精密機械研究所與清華大學共同領導了SSMB-EUV 項目，這是一項旨在開發用於光刻的替代 EUV 光源的大規模國家計劃。
中國打破 ASML 壟斷的挑戰
盡管中國投資了 370 億歐元，但它不太可能在幾年內生產出商業上可行的 13.5 納米 EUV 光刻機。ASML 作為係統集成商運營，依賴於尖端知識產權和組件的生態係統，其中絕大多數來自擁有數十年專業知識的西方供應商。此外，除了核心光源係統外，生產完整的光刻機還需要高精度組件，如鏡子。此外，研究工作繼續專注於提高能源效率，最近的突破有望在這一領域取得重大進展。衝繩科學技術大學 （OIST）的 Tsumoru Shintake 教授提出了一種可以將能耗降低 90% 的 EUV 技術。ASML 也引入了重大升級，以提高其係統的效率和生產力。
OIST 的 EUV 光刻設計可在更小的 EUV 光源下運行，從而顯著降低成本，同時大大提高機器的可靠性和使用壽命。此外，它消耗的功率不到傳統 EUV 光刻係統的十分之一，有助於實現更環保的半導體行業。
這一突破是通過克服曾經被認為無法克服的兩個挑戰實現的（圖 2）。首先是開發一種僅使用兩個鏡子的創新光學投影係統。第二種是一種新穎的方法，可以有效地將 EUV 光引導到平麵鏡（光掩模）上的邏輯圖案上，而不會阻礙光路。
