中國完成新光刻膠技術驗證 為開發EUV光刻膠技術儲備

據湖北九峰山實驗室在官方微信公眾號發布消息稱，近日九峰山實驗室與華中科技大學組成聯合研究團隊，支持華中科技大學團隊突破“雙非離子型光酸協同增強回應的化學放大光刻膠”技術，可望為光刻製造的共性難題提供明確的方向，同時為EUV光刻膠的著力開發做技術儲備。

據《芯智訊》報導，作為半導體製造不可或缺的材料，光刻膠品質和性能是影響積體電路電性、成品率及可靠性的關鍵因素。但光刻膠技術門檻高，市場上製程穩定性高、工藝寬容度大、普適性強的光刻膠產品屈指可數。

報導說，當半導體製造技術節點進入到100nm甚至是10nm以下，如何產生分辨率高且截麵形貌優良、線邊緣粗糙度低的光刻圖形，成為光刻製造的共同難題。

據湖北九峰山實驗室在官方微信公眾號發布消息稱，近日九峰山實驗室與華中科技大學組成聯合研究團隊，支持華中科技大學團隊突破“雙非離子型光酸協同增強回應的化學放大光刻膠”技術，可望為光刻製造的共性難題提供明確的方向，同時為EUV光刻膠的著力開發做技術儲備。

據《芯智訊》報導，作為半導體製造不可或缺的材料，光刻膠品質和性能是影響積體電路電性、成品率及可靠性的關鍵因素。但光刻膠技術門檻高，市場上製程穩定性高、工藝寬容度大、普適性強的光刻膠產品屈指可數。

報導說，當半導體製造技術節點進入到100nm甚至是10nm以下，如何產生分辨率高且截麵形貌優良、線邊緣粗糙度低的光刻圖形，成為光刻製造的共同難題。

據介紹，華中科技大學團隊通過巧妙的化學結構設計，以2種光敏單元構建“雙非離子型光酸協同增強回應的化學放大光刻膠”，最終得到光刻圖像形貌與線邊緣粗糙度優良、space圖案寬度值正態分布標準差（SD）極小（約為0.05）、性能優於大多數商用光刻膠。且光刻顯影各步驟所需時間完全符合半導體量產製造中對輸送量和生產效率的需求。

該研究成果有望為光刻製造的共性難題提供明確的方向，同時為EUV光刻膠的著力開發做技術儲備。

相關研究成果已於2024年2月15日在國際頂級刊物《化學工程》（Chemical Engineering Journal, IF=15.1）發表。該專案由中國國家自然科學基金、973計劃共同資助，主要作者為華中科技大學光電國家研究中心朱明強教授，湖北九峰山實驗室工藝中心柳俊教授和向詩力博士。