美國當地時間3月21日，美國商務部發布了關於“芯片法案激勵計劃”中包含的安全護欄（SECURITY GUARDRAILS）的擬議規則通知，以細化美國芯片法案的執行和落實。
該通知稱，安全護欄旨在確保由“芯片與科學法案”（即“芯片法案”）資助的技術和創新，不會被敵對國家用於針對美國或其盟友和合作夥伴用於惡意目的。擬議規則提供了適用於芯片法案中包含激勵計劃的國家安全措施的更多詳細訊息，限製資金接受者投資於相關國家的半導體製造擴張。該法規明確稱，受限製的國家為中華人民共和國、俄羅斯、伊朗和朝鮮。這四個國家就是美國芯片法案限製的“敵對國家”。
美國商務部長雷蒙多（Gina Raimondo）直言不諱地表示，“美國的芯片法案從根本上說是一項國家安全倡議，這些護欄將有助於確保惡意行為者無法獲得可用於對付美國和我們的盟友的尖端技術。”可以看到，美國對芯片法案給出了新的定性，這不是“產業法案”，而是“國家安全法案”。雷蒙多還強調，美國和盟友希望藉助安全護欄，在半導體技術上在未來幾十年領先於對手。美國將與盟友和合作夥伴協調，共同推出護欄政策，增強所謂的集體安全。美國的盟友與合作夥伴包括韓國、日本、印度和英國等，並且通過印度-太平洋經濟框架（IPEF）、歐盟-美國貿易和技術委員會以及北美領導人峰會達成共識。這意味著，美國維持護欄的策略是對競爭對手國家進行“群毆”。
美國芯片法案涉及的國家安全護欄具體包括：
（1）製定標準以限製在相關國家/地區的先進設施擴張。該法令禁止在授予之日起10年內，涉及在相關國家/地區為尖端和先進設施進行半導體製造能力材料擴張的重大交易，以阻止接受者在這些國家建造新的或擴建現有的前沿和先進技術設施。擬議規則將 “重大交易”定義為“10萬美元的貨幣水平”，將“材料擴張”定義為“將設施的生產能力提高5%”。如果“激勵計劃”資金接受者參與違反這些限製的交易，該部門可以收回全部資金獎勵。
（2）限製在相關國家擴建傳統設施。該法令限製在相關國家擴建和新建傳統設施（LEGACY FACILITIES）。擬議的規則限製現有傳統設施的擴展，禁止接受者添加新生產線或將設施的生產能力擴大超過10%。該法規還規定，如果這些設施的產出“主要服務於”生產傳統芯片（LEGACY CHIPS）的外國的國內市場，則接受者隻能建造新的傳統設施。擬議的規則規定，“主要服務於市場”意味著至少85%的傳統設施的產出被納入最終產品，這些最終產品在生產它們的相關國家/地區消費。擬議規則還指出，如果任何接受者計劃在這些例外情況下擴大傳統芯片設施，他們將被要求通知該部門，以便該部門確認遵守國家安全護欄。
美國商務部長雷蒙多（Gina Raimondo）。（Reuters）
（3）將部分半導體歸類為對國家安全至關重要。雖然該法規允許公司在有限情況下擴大在外國的傳統芯片生產，但擬議規則將一係列半導體歸類為對國家安全至關重要這一領域——將這些芯片定義為不被視為傳統芯片，因此受到更嚴格的限製。該措施將涵蓋對美國國家安全需求至關重要的芯片，包括用於量子計算、輻射密集環境和其他專業軍事能力的當前一代和成熟節點芯片。值得注意的是，這份半導體芯片清單的製訂，有美國國防部和美國情報界的參與。
（4）加強美國對邏輯芯片和存儲芯片的出口管製。提議規則通過在出口管製和法案國家安全護欄之間調整存儲芯片的禁止技術門檻來加強控製。擬議規則對邏輯芯片應用了比出口管製更嚴格的門檻。
（5）規則還限製公司與有關外國實體進行聯合研究。限製接受者與有關外國實體進行涉及引起國家安全問題的技術或產品的聯合研究或技術許可工作。擬議規則將“聯合研究工作”定義為由兩人或多人進行的任何研究和開發，並將“技術許可”定義為向另一方提供專利、商業秘密或專有技術的協議。除了法規中概述的外國實體外，擬議規則還增加了BIS實體清單、財政部的中國軍工聯合企業（NS-CMIC）清單，以及聯邦通信委員會（FCC）的安全和可信通信清單中的實體，構成國家安全風險的設備和服務網絡清單。製定這些限製也有國防部和美國情報界的參與。
近年在美國大舉設廠的台積廠相信會是“芯片法案”的一大資金接受者。（Reuters）
值得注意的是，美國商務部下屬的美國國家標準技術研究院（NIST）在“防止不當使用芯片法案資金”細則中，還對傳統邏輯芯片（LEGACY SEMICONDUCTOR）做了詳細說明。具體包括：（1）28納米或更成熟的數字或模擬邏輯半導體（即平麵晶體管的柵極長度為28納米或更長）；（2）半間距大於18納米的DRAM或小於128層的NAND半導體，不使用新興存儲器技術，例如過渡金屬氧化物、相位-改變與高級存儲器製造相關的存儲器、鈣鈦礦或鐵磁體；或者（3）對國家安全至關重要的半導體，如具有後平麵晶體管結構的半導體如FINFET或GAA結構，以及以封裝設施為目的，利用三維(3D)集成封裝半導體。
“對國家安全至關重要的半導體”被設定為：（1）化合物半導體；（2）利用納米材料的半導體，包括一維和二維碳同素異形體，例如石墨烯和碳納米管；（3）寬帶隙/超寬帶隙半導體；（4）RHBP導體；（5）FD-SOI半導體；（6）矽光子半導體；（7）為量子訊息係統設計的半導體；（8）設計用於低溫環境（等於或低於77 KELVIN）的半導體。
上述美國實施芯片法案的擬議細則內容再次顯示，美國政府部門在半導體限製上實行的是係統的、精準的打擊。很明顯，相關限製主要是針對中國而進行，可以說是為中國“量身定製”的半導體產業限製政策。
