1.外延epitaxy是在單晶矽片生長其他物質，比如GaS，GaN；
2. P和N是在單晶矽片摻雜
答案：兩個不同的概念（工藝）
胡雪鹽8 (2023-08-31 12:50:31) 評論 (0)1.外延epitaxy是在單晶矽片生長其他物質，比如GaS，GaN；
2. P和N是在單晶矽片摻雜
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答案：兩個不同的概念（工藝）
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