DRAM芯片戰爭——1970-2017輸贏千億美元的生死搏殺【6】

超級工程一覽：DRAM芯片戰爭
——1970-2017輸贏千億美元的生死搏殺【6】

DRAM芯片戰爭——1970-2017輸贏千億美元的生死搏殺【6】
1970年4月24日，中國第一顆人造地球衛星“東方紅一號”從酒泉衛星發射中心成功發射。照片為酒泉衛星發射中心，地下13米深處的發射場控製室，牆上還寫著當年留下的主席標語——一定要在不遠的將來趕上和超過世界先進水平。

1949年新中國成立的時候，美國已經在世界第一工業大國的寶座上，穩坐了50年。而中國，是個連汽油鐵皮桶都無法生產的落後農業國。全國五億多人口中，80%以上是文盲，農村文盲率超過95%。就是在這樣的巨大差距下，中國億萬人民由毛主席領導，開始了艱苦卓絕的工業追趕進程，創造了世界曆史上的經濟奇跡。然而結果很不幸，由於1978年改革開放後的錯誤政策，導致中國電子工業全麵垮掉，並在地上跪了三十年，至今也沒能爬起來。

中國電子工業起步——亞洲最完善的電子工業體係

中國電子工業發展，起步於毛澤東時代。1950年抗美援朝戰爭爆發後，為解決軍隊電子通信問題，國家成立電信工業管理局，在北京酒仙橋籌建北京電子管廠（即現在的北京京東方），由民主德國（東德）提供技術援助。該廠總投資1億元，年產1220萬隻，是亞洲最大的電子管廠。除此之外，酒仙橋還建起了規模龐大的北京電機總廠、華北無線電器材聯合廠（下轄706、707、718、751、797、798廠）、北京有線電廠（738廠）、華北光電技術研究所等單位。

1956年國家提出“向科學進軍”，國務院製定科技發展12年規劃，將電子工業列為重點發展目標。中國科學院成立了計算技術研究所（中科院計算所），這是中國第一個電子計算機研究所。為了培養電子工業人才，教育部集中全國五所大學的科研資源，在北京大學設立半導體專業。由黃昆博士、謝希德博士、高鼎三等留學回國的著名教授講課。1957年畢業的第一批學生中，出現了大批人才。如中芯國際董事長王陽元、華晶集團總工程師許居衍、電子工業部總工程師俞忠鈺。

1958年，上海組建華東計算技術研究所，及上海元件五廠、上海電子管廠、上海無線電十四廠等企業。使上海和北京，成為中國電子工業的南北兩大基地。1960年中國科學院成立半導體研究所，集中了王守武博士、黃昆博士、林蘭英博士等著名海外歸國專家。同年組建河北半導體研究所（現為中電集團第13所），進行工業技術攻關。1962年由中科院半導體所，組建全國半導體測試中心。1963年中央政府組建第四機械工業部，主管全國電子工業（1982年改組為電子工業部），由通信專家王諍中將任部長。

中國早期電子工業，主要以軍事項目為牽引，研製軍用航空電子設備、彈道導彈控製設備、核武器配套電子設備、軍用雷達、軍用通訊器材、軍用電子計算機等產品。1958年開始研製東方紅衛星後，又將防輻射級太空電路列入研究項目。這一時期，中國民用電子產品，僅限於無線電收音機。收音機當時是極為昂貴的奢侈消費品。

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1973年8月26日，中國第一台每秒運算100萬次的集成電路電子計算機-105機，由北京大學、北京有線電廠、燃料化學工業部，等單位協助研製成功。

文革時期——獨立自主 自力更生

1966年文革爆發後，由於左傾政策的保護，中國電子工業得到快速發展，北京酒仙橋電子工業區基本成型。電子工業開始與紡織、印染、鋼鐵等行業結合，實現自動化生產。1968年，北京組建國營東光電工廠（878廠），上海組建無線電十九廠，至1970年建成投產，形成中國集成電路產業中的“南北兩霸”。其中北京878廠主要生產TTU電路、CMOS鍾表電路及A/D轉換電路。上海無線電19廠，主要生產TTL、HTL數字集成電路，是中國最早生產雙極型數字集成電路的專業工廠。1977年四機部投資300萬元，建設6000平方米集成電路潔淨車間。到1990年該廠累計生產509種集成電路，產量4120萬塊，產值3.25億元（該廠後來合資為上海飛利浦半導體）。

1968年，國防科委在四川永川縣，成立固體電路研究所（即永川半導體研究所，解放軍1424研究所，現中電集團24所）。這是中國唯一的模擬集成電路研究所。同年上海無線電十四廠首家製成PMOS（P型金屬－氧化物半導體）電路。拉開了中國發展MOS集成電路的序幕。1970年代永川半導體研究所、上無十四廠和北京878廠相繼研製成功NMOS電路。之後又研製成CMOS電路。至1990年底，上無十四廠累計產量為3340萬塊（後來合資成為上海貝嶺半導體）。

1972年美國總統尼克鬆訪華後，中國從歐美大量引進技術。由於集成電路產品利潤豐厚，全國有四十多家集成電路廠建成投產。包括四機部下屬的749廠（甘肅天水永紅器材廠）、871廠（甘肅天水天光集成電路廠）、878廠（北京東光電工廠）、4433廠（貴州都勻風光電工廠）和4435廠（湖南長沙韶光電工廠）等。各省市另外投資建設了大批電子企業。

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1975年，北京大學物理係半導體研究小組，由王陽元等人，設計出我國第一批三種類型的（矽柵NMOS、矽柵PMOS、鋁柵NMOS）1K DRAM動態隨機存儲器，它比美國英特爾公司研製的C1103要晚五年，但是比韓國、台灣要早四五年。那時韓國、台灣根本就沒有電子工業科研基礎。照片為北京大學校史陳列館展示的器件。

引進國外先進技術——3英寸晶圓廠拖了七年

1973年，借著中美關係緩和及歐美石油危機的機會，中國希望從歐美國家，引進七條3英寸晶圓生產線，是當時世界最先進技術。這要比台灣早2年，比韓國早4年，那時候台灣與韓國還沒有電子工業科研基礎。1975年美國英特爾才開始建設世界第一座4英寸（100mm）晶圓廠。但是由於歐美技術封鎖，最終拖了七年，中國才得以引進三條已經落後的3英寸晶圓生產線，分別投資在北京國營東光電工廠（878廠），航天部陝西驪山771研究所（西安微電子研究所），和貴州都勻風光電工廠（4433廠）。其中北京878廠的3寸晶圓生產線，直至1980年才建成，已經比台灣晚了3年，比韓國晚2年。

與之形成鮮明對比的是，台灣工研院1975年向美國購買3英寸晶圓生產線，1977年就建成投產了。1978年，韓國電子技術研究所（KIET），從美國購買3英寸晶圓生產線，次年投產。1980年台灣聯華電子建設4英寸晶圓廠。而中國大陸，直至1988年，才由上海無線電十四廠，與美國貝爾電話合資，成立貝嶺微電子，建設中國大陸第一條4英寸晶圓生產線。這比台灣晚了八年，比美國晚十三年。在歐美聯手封鎖壓製下，中國大陸隻能買到二手淘汰設備。

1975年，就在台灣剛剛向美國購買3英寸晶圓廠時，中國大陸已經完成了DRAM核心技術的研發工作。北京大學物理係半導體教研室（成立於1956年，現北大微電子研究院），由王陽元領導的課題組，完成矽柵P溝道、鋁柵N溝道和矽柵N溝道三種技術方案。在中科院北京109廠（現為中科院微電子研究所），采用矽柵N溝道技術，生產出中國第一塊1K DRAM。這一成果盡管比美國、日本晚了四五年，但是比韓國、台灣要早四五年。直至1980年前後，韓國、台灣才在美國技術轉移下，獲得了DRAM技術突破，瞬間反超中國大陸。韓國直接從16K起步，台灣從64K起步。

1978年10月，中國科學院成立半導體研究所，由王守武領導，研製4K DRAM，次年在中科院109廠投入批量生產（比美國晚六年）。1981年中科院半導體所又研製成功16K DRAM（比韓國晚兩年）。1982年，江蘇無錫江南無線電器材廠（742廠），耗資6600萬美元，從日本東芝引進3英寸晶圓生產線（5微米製程，月產能1萬片），生產電視機集成電路。1985年，該廠製造出中國第一塊64K DRAM（比韓國晚一年）。1993年，已經改組的無錫華晶電子公司（原無錫742廠），製造出中國第一塊256K DRAM（比韓國晚七年）。

從上述曆史，我們可以明顯看出，在歐美技術封鎖，以及1980年後，中國大陸減少電子產業投資的情況下，中國DRAM產業從領先韓國、台灣，然後迅速被韓國、台灣反超。尤其是韓國在美國刻意扶植下，依靠20億美元左右的巨額瘋狂投資，在DRAM產業取得了顯著成果。


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1977年8月1日，北京，凳和華在紀念南X昌X起義50周年大會上。

洋躍進——800億美元瘋狂計劃

而中國大陸的這一局麵，主要由於政治原因。1976年毛主席逝世後，左右各派為爭奪權力，展開了激烈較量，經濟領域是主要戰場之一。1977年中國的外匯儲備還有9億多美元，7月份國家計委提出，今後八年花費65億美元從國外進口技術設備，重點發展石油化學工業，其中隻有一個陝西鹹陽顯像管廠是電子項目。政治局討論時，（凳）提出可以花100億美元進口設備，提高中國石油、煤炭和輕工業產量，以賺取更多外匯。8月，國家計委將進口項目提高到150億美元規模，再次得到（凳）等人的肯定。

1978年2月9日，政治局討論《政府工作報告》，在葉的鼓動下，華將進口規模提高到180億美元。3月份再次討論時，華又將進口額度提高到200億美元。要知道1978年中國的外匯儲備僅有1.67億美元，可見當時（凳）、華等人的決策是如何荒唐。到6月份，政治局再次聽取報告，（凳）說得更幹脆：同國外做生意，搞買賣，搞大一點，什麽150億，搞它500億。500億美元的規模，是3月份擬定的200億美元的二點五倍。

受（凳）的影響，6月30日聽取穀牧出訪匯報時，華再次強調步子要大一些。國家計委討論後，提出了花費1000億美元引進技術的設想。7月上旬，國家計委初步整理，匯總了一個850億美元的方案，其中400億引進外資。（凳）也同意這個方案。9月9日，李現鯰在國務院務虛會結束時宣布：今後十年的引進規模可以考慮增加到800億美元。李還稱，這是一個偉大的戰略決策。

從65億美元到後來的800億美元，這幫人完全違背經濟發展規律，如同兒戲一般，將氣球越吹越大。其實，1958年大躍進時期，搞浮誇風、畝產萬斤的，也是（凳）、李、葉這幫老狐狸。當時他們把主席架在火上烤，以趕他下台。1959年毛下台，換了劉上台。1978年大搞洋躍進，同樣是為了將華趕下台。洋躍進號稱要建設“十個鞍鋼、十個大慶”，其中就包括（凳）力主拿出50億美元，從日本新日鐵進口設備，建設上海寶鋼。而上海長江邊的爛泥地，根本不適合建設大型鋼廠。

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1980年9月，北京，人大五屆三次會議上，趙種裏與（凳）、李一批人坐在主席台上。

狂印鈔票——中國經濟全麵惡化

1978年中國的財政收入為1132億元，光是一個上海寶鋼項目就要投資300億元，根本不是中國國力所能負擔的。沒錢怎麽辦？開動印鈔機！1979年中國人民銀行增加了50億元人民幣的供應量。同時期，為了體現改革開放的好處，中央開始給工人漲工資、提高糧食收購價、給文革時期打倒的牛鬼蛇神們平反，補發工資。給老革命家們蓋別墅、換進口小轎車，提高福利待遇。1980年，在（凳）、葉等人的聯手打擊下，華終於被趕下了台。換了胡擔任種書計，趙擔任總裏。但是經濟形勢已經開始惡化。

1979年全國在建的大中型項目有1100多個，財政赤字170.6億元。1980年又新增了1100多項，財政赤字127億元。上述項目全部建成，還需要投資1300億元。為了彌補財政虧空，1980年央行又增印了78.5億元鈔票。從此，印鈔票如同吸毒上癮一般，成為中國經濟毒瘤。1978年中國全社會的流通現金僅有229.59億元，到1985年已經暴增至839億元。光是1984年的鈔票供應增幅，就高達驚人的39%。連年狂印鈔票引發惡性通貨膨脹。許多物價都至少翻番，高檔煙酒等民用消費品價格，甚至直接上漲10倍，以致一些城市出現了“搶購囤積風潮”。

為了控製宏觀經濟的嚴重混亂局麵，壓縮投資金額。1980年中央一下子停建緩建了400多個大中型項目，1981年又停緩建了22個大型項目。其中就包括上海寶鋼、十堰二汽、大慶30萬噸乙烯等戰略工程。盲目貪大求洋給中國經濟帶來嚴重危害，導致汽車、電子、航空等戰略產業難以發展。像上海的運10飛機，在研製15年後最終流產。北京電子管廠（現在的京東方），想上馬液晶項目，也因為缺乏國家投資而流產。更嚴重的危機還在後麵。

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上海市威海路696號，原是上海元件五廠廠房和倉庫的一部分。工廠倒閉後廠房被30多位藝術家占據，成為藝術倉庫。到1990年代，上海市曾經聞名全國的電子企業，幾乎全部破產倒閉，或變成合資企業。

撥改貸——抽幹中國電子企業血液

1984年，國務圓總裏趙，為扭轉財政虧空局麵，聽信一些經濟專家的建議，盲目實行“撥改貸”政策。以往國有企業從政府財政獲得撥款，作為工廠流動資金或技術改造經費。企業盈利後將利潤上繳國家財政。這樣形成良性循環。撥改貸將政府財政撥款，改為企業向銀行貸款，還要支付高額利息。而另一頭，企業的利潤照樣要上交財政。這樣政府不僅不投一分錢，反而像從前一樣，抽走企業的大部分收入，導致國有企業迅速陷入虧損困境。

正是由於“撥改貸”，使得中國電子工業遭到致命打擊。企業隻顧引進外國設備，以盡快投產盈利，缺少科研資金對外國技術進行消化吸收。這是企業急功近利的根源。在文革時期，中國科研投入占GDP的2.32%，與英法德等發達國家相當（2003年世界平均值也僅有2.2%）。到1980年代，正是電子產業興起的關鍵時期，歐美國家和日本、韓國、台灣紛紛加大對電子產業的科研投入。而中國卻在大規模壓縮科研經費投入。1984年以後，由於“撥改貸”造成的困境，使中國企業基本無力進行研發，科研經費占GDP比值驟然降到0.6%以下。中國電子工業徹底垮了。

比如像中國最大的半導體企業——上海元件五廠。1980年利潤高達2070萬元，職工人均利潤1.5萬元。即使是1985年，上海元件五廠的產值仍然高達6713.1萬元，利潤達1261.4萬元。然而到了1990年，上海元件五廠產值下降至1496萬元，利潤竟然僅有2.47萬元，全廠1439人，人均利潤僅有區區17.16元。熬了沒幾年，這家風光了三十年的中國半導體器件龍頭企業，就在改革開放的“春風”裏破產倒閉了。

其實不單是電子工業。在1980年代，獲利豐厚的紡織工業、鍾表工業、鋼鐵工業，全部成為中央財政的吸血來源。國家停止工廠設備升級投資，導致中國紡織工業到1990年代全麵破產，全國下崗失業工人超過200萬人，引發了嚴重的社會危機。


中央停止投資——全國瘋狂引進落後淘汰技術

1982年，國務圓組建電子工業部，由張挺任部長，主管全國電子工業。該部門繼承了毛時代組建的2500多家科研院所和電子工廠，下屬職工總數達100多萬人，主要研製通信、雷達、電視、計算機、無線電、元器件等設備。產業結構完備程度，僅有美國、蘇聯可以相比。光是電子工業部下轄的專業電子研究所就有上百家。然而在80年代初，由於中央政府全麵停止對電子工業投資，各電子企業要自己去市場找資源。於是中國電子工業的技術升級全麵停止，與美國、日本的技術差距迅速拉大。甚至被80年代加大電子投資的韓國、台灣徹底甩開。

1982年，中國國務圓成立了“電子計算機和大型集成電路領導小組辦公室（簡稱大辦）”，由副中裏萬裏出任主任，管理包括半導體在內的電子工業。1984年該機構又更名為“國務圓電子振興領導小組”，由副中裏李月月任組長。至1988年該機構取消，兩任國家當家人出麵，最後結果怎麽樣？

1984年至1990年，中國各地方政府、國有企業和大學，紛紛從國外引進淘汰的落後晶圓生產線，前後總計達到33條，按照每座300-600萬美元估算，總計花費1.5億美元左右。這33條晶圓生產線，多數根本沒有商業價值。造成這一亂象的根本原因，是電子工業部，將絕大多數國有電子企業的管理權，甩給給省市地方政府，又缺乏製定執行產業規劃的政策權力。出現了全國瘋狂引進落後技術的奇怪現象。還有一個原因是80年代開始，國有企業貪汙腐敗加劇，借著進口項目的名義，領導幹部可以名正言順地獲得出國考察機會。

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江蘇省無錫市，華晶電子，中國最早啟動的6英寸晶圓廠，花了八年時間才建成。建成就已經落後淘汰。

九0八工程——蓋一座6寸晶圓工廠用時八年

為了治理散亂差問題，1986年電子工業部在廈門，舉辦集成電路戰略研討會，提出“531戰略”。即“普及5微米技術、研發3微米技術，攻關1微米技術”，並落實南北兩個微電子基地。南方集中在江浙滬，北方集中在北京。1988年至1995年，在政策扶持下，中國誕生了五家具有規模的國有半導體企業：江蘇無錫華晶電子（原無錫742廠與永川半導體研究所合並）、浙江紹興華越微電子（1988年設立中國第一座4英寸晶圓廠）、上海貝嶺微電子、上海飛利浦半導體（1991年設中國第一座5英寸晶圓廠）、和北京首鋼NEC（1995年設中國第一座6英寸晶圓廠）。

1990年8月，國務院決定在八五計劃（1990-1995），半導體技術達到1微米製程，決定啟動“九0八工程”，總投資20億元。其中15億元用在無錫華晶電子，建設月產能1.2萬片的6英寸晶圓廠，由建設銀行貸款。還有5億元投給9家集成電路企業設立設計中心。（1993年華晶開發出256K DRAM，比韓國晚7年）

但實際結果是，由於官僚體係拖延，九0八工程光是經費審批就花了兩年時間。然後從美國AT&T（朗訊）引進0.9微米製程，又花了三年時間。前後拖延五年時間，建廠再花三年，導致1998年無錫華晶電子投產即落後（月產能僅6000片），華晶還要為此承擔沉重的利息支出壓力。為了解決華晶的困境，電子工業部借研討會的機會，請台灣茂矽電子老板陳正宇，接手管理華晶的六寸晶圓廠。1998年2月，由台灣人陳正宇、張汝京和李乃義在香港注冊上華公司，來租賃無錫華晶的6寸廠，進行晶圓代工業務。1999年8月，雙方合資成立無錫華晶上華半導體公司，上華控股51%。新公司迅速扭虧為盈，成為中國大陸第一家“純晶圓代工”企業，月產量達到1萬片。2001年月產能達到2萬月。2003年上華籌備建設一座8英寸晶圓廠，為了節省投資希望購買二手設備。不過國際上二手8寸晶圓廠很少。直至2007年8月，無錫海力士的8英寸晶圓廠，因DRAM價格暴跌而停產。上華迅速出手，以3.8億美元買下了該廠設備，2009年投產。

與無錫華晶形成鮮明對比的是，1990年新加坡政府投資特許半導體，隻用2年建成，第三年投產，到1998年收回全部投資。而無錫華晶卻被甩給了台灣人經營。

DRAM芯片戰爭——1970-2017輸贏千億美元的生死搏殺【6】
1990年，中國進口一台美國IBM 286電腦（IBMPS1），價格是3.5萬元人民幣。當時中國普通工人的月工資隻有300元左右。由於電子產品的暴利，引發廣東、浙江等沿海省份，大規模走私進口電子器件，徹底衝垮中國電子工業。

中國電子產業落後——三十年來以市場換技術

在1996年，國際主流生產線是8英寸晶圓廠，而中國最先進的是首鋼NEC的6英寸晶圓廠，比國外落後八年。造成這一現象，有多方麵原因。一是投資薄弱，1980-1996年間，中國在半導體產業，累計投資僅有3億多美元，其中多數胡亂花掉，沒有形成技術能力。國有企業缺乏投資，根本不可能追趕國外先進技術。作為對比，日本光是1996年對半導體的投資就接近40億美元。

二是電子工業部作為行業主管部門，卻沒有製定執行產業政策的權力，要通過國家計委來審批項目。九0八工程就是如此。而官僚體係在決策時，盲目追求技術先進，根本不考慮市場因素。以華晶電子為例，決策者拒絕在華晶內部設立IC產品設計研究所，這就一下子丟掉了大批缺乏設計能力的客戶。後來電子工業部部長胡啟立，在接受采訪時認為：那是因為決策者不了解半導體市場運作規律。

三是政治因素，自1949年新中國成立起，中國就被西方國家主導的“巴黎統籌委員會（簡稱巴統）”，進行嚴格的技術封鎖。1994年巴統由於蘇聯解體而宣告解散，但是西方對於中國的技術封鎖並未停止。1995年9月，包括原巴統17個成員國在內的28個國家，在荷蘭瓦森納召開會議，決定以控製武器技術擴散的名義，建立技術出口控製機製。1996年7月，西方33個國家正式簽訂《瓦森納協定》，民用技術控製清單包括：電子器件、計算機、傳感器等九大類。軍用技術控製清單包括22大類。中國同樣處於被禁運國家之列。

在電子領域，韓國、台灣可以輕輕鬆鬆從歐美進口先進電子設備，而中國大陸隻能購買落後5年以上的淘汰技術。而韓國、台灣依靠電子產業優勢，同樣對中國大陸進行技術封鎖。如台灣官方禁止台積電等企業，到中國大陸投資建設先進製程晶圓廠，禁止台灣液晶麵板企業到大陸設廠。即使設廠也隻能投資落後台灣一代的生產線。台灣廠商通過合同約束，嚴厲禁止台灣技術人員，跳槽到中國大陸相關企業工作。

在各方麵嚴防死守下，中國企業要想獲得先進技術，就變得非常困難。而外國企業則憑借掌握的先進技術，在中國市場予取予求，占盡便宜。所謂的“以市場換技術”，成為改開三十年來，中國最大的笑話——中國為此付出了，至少損失1萬億美元的巨額產業代價。

1990年，中國大幅降低關稅、取消計算機產品進出口批文、開放了國內電腦市場。頃刻間，國外的286、386電腦如潮水般湧入，長城、浪潮、聯想等國內公司潰不成軍。1991年由美國英特爾和AMD，掀起的“黑色降價風暴”，更是讓中國計算機產業雪上加霜。由於絕大多數整機企業，積壓了高價買進的芯片，從而背上巨額虧損的包袱，一家家電腦整機廠商，前赴後繼般悲壯地倒在了血雨腥風之中。長城、浪潮和聯想也都元氣大傷。在微電子集成電路方麵，國內企業繼80年代中後期陸續虧損後，90年代紛紛倒閉，國內集成電路工業，逐步變為三資企業為主的局麵。據專家估計， 到1990年代末，中國微電子科技水平，與國外的差距至少是10年。


八英寸晶圓廠——摩托羅拉在天津拖了六年

1995年12月，為落實“九五計劃”中，半導體生產工藝達到0.5微米的目標，國務院與上海市政府批準了“九0九工程”。包括建設晶圓廠和建立設計公司兩大任務。其中上海市政府出資40億元（5億美元），成立華虹微電子。日本NEC出資2億美元，雙方成立華虹NEC，合計投資12億美元，在浦東建設8英寸晶圓廠。由NEC提供0.35微米技術，生產當時主流的64M DRAM內存芯片。由於決策執行迅速，華虹NEC在1999年9月投產，次年實現盈利。2000年起，中國政府更換第二代IC式身份證和社保卡，華虹NEC成為主要製造商，拿到大量訂單。

1996年，美國摩托羅拉提出，準備在天津投資122億元人民幣，建設一座當時中國最先進的8英寸晶圓廠（MOS-17）。憑借這個條件，摩托羅拉成為2001年前，唯一獲得中國政府特許，獨資設立手機廠的企業，而且是唯一拿到GSM和CDMA，兩張手機生產許可證，及內銷許可證的外國企業。摩托羅拉因此在中國大賺特賺，占領了超過半數手機市場，光是1999年銷售額就達到260億元。但是直到2000年，天津的8寸廠才開始動工，2002年才正式量產（2004年被中芯國際收購）。此時國際上已經紛紛開始建設12英寸晶圓廠。

1998年，電子工業部和郵電部合並，組建信息產業部，邀請海外華人專家，參與討論製定產業指導政策。台灣世大半導體老板張汝京赴大陸考察。電子工業部曾考慮聘請張汝京出任總經理，結果未如願。到1999年底，世大半導體被台積電並購後，張汝京便決定投資大陸。2000年6月，在上海市政府支持下，張汝京創辦中芯國際，一期投資14.76億美元，其中上海國有銀行提供了12億美元貸款。2001年9月，中芯國際在上海張江，建成第一座8英寸晶圓廠，采用0.25微米工藝（設計月產能5萬片）。


十二寸晶圓廠——中芯國際專做接盤俠

2000年，北京市政府，計劃由首鋼集團出麵，與美國AOS（萬代半導體），合資組建華夏半導體，投入13.35億美元，建設8英寸晶圓廠。其中北京市願意提供6.2億美元貸款。然而隨著2001年全球半導體市場跌入低穀，該項目流產。此後，中芯國際提出在北京建設中國第一座12英寸晶圓廠（Fab4），獲得北京市政府大力支持，2004年建成（計劃月產能4.5萬片），采用100納米工藝，為英飛淩、爾必達代工生產DRAM。該廠總投資12.5億美元，北京市最初承諾提供6億美元貸款，不過直到2005年6月，才將貸款撥給中芯國際，導致Fab4直至2006年才大規模量產。

2003年，江蘇無錫市政府，獲悉韓國海力士在中國各地挑選投資地點，便成立了812項目，全力爭取海力士投資。無錫開出了比上海和蘇州，更大的資金優惠條件。最終韓國海力士與意法半導體（ST）合資，在無錫投資20億美元，建設一座8寸晶圓廠，和一座12寸晶圓廠。其中無錫市政府總計為該項目，提供了10億美元貸款。在土地方麵，由無錫市政府出資3億美元，建設兩座占地54萬平方米，和麵積32萬平方米的晶圓廠房，租賃給韓國海力士及意法半導體使用。

2006年，湖北省與武漢市政府投資100億元，組建武漢新芯，建設12英寸晶圓廠。該項目是湖北省曆史上，單項投資金額最大的項目，設計月產能6-7萬片。由於湖北省缺乏相關人才和技術，從項目之初，武漢新芯和中芯國際就簽訂了托管協議，由中芯國際提供技術支援。2008年武漢新芯投產後，由於產能開工不足，長年處於虧損狀態。2010年，美國鎂光和台灣台積電，都對武漢新芯虎視眈眈，希望並購。由於中央政府擔心國際寡頭，危及中國半導體產業安全，因此支持中芯國際入主武漢新芯。2010年10月，雙方簽訂合作協議。但是到2013年，兩企業開始分道揚鑣。

2014年2月，武漢新芯和美國飛索(Spansion)，簽定技術合作協議，由飛索提供技術，在武漢新芯共同研發新型的3D NAND Flash。美國飛索是1993年日本富士通和美國AMD，共同出資設立的NOR Flash研製公司。2009年飛索因業績連續滑坡倒產，被賽普拉斯(Cypress)收購成為其全資子公司。雖然，飛索從來就沒有生產過NAND芯片，但是，包括三星在內，現在所有的3D NAND Flash技術，其基本原理是飛索最早開發的MirrorBit技術。不過在量產技術方麵，飛索遠遠落後於韓國三星。

DRAM芯片戰爭——1970-2017輸贏千億美元的生死搏殺【6】
陝西西安，韓國三星電子西安廠區，由西安市政府免費提供土地，並花費數十億元建設廠房，再租賃給韓國三星。西安市在十年內，收不到一分錢稅費。

韓國三星落戶西安——西安市政府提供300億元巨額補貼

2011年，韓國三星與日本東芝在NAND閃存領域展開爭奪。當時三星在韓國華城（Fab12、Fab16）、器興（Fab14）以及美國得州奧斯汀，共有4座NAND閃存12英寸晶圓廠，年產能450萬片晶圓。為了拉開與東芝的差距，三星決定在中國選址建立NAND閃存晶圓廠，以搶占中國市場。為此，三星對北京、重慶、無錫、蘇州、西安等城市進行考察。中國各地政府紛紛開出巨額優惠條件。

2011年，韓國三星電子的半導體銷售額達到285.63億美元，僅在中國市場銷售額就高達95億美元。要知道中國全國的集成電路銷售額也僅有1572億元（241億美元）。因此，三星在談判中具有強勢地位，提出了眾多苛刻條件。最初作為熱門選手的北京、重慶兩個直轄市，最終都主動放棄了這個項目。最後是不被人看好的西安，在付出巨大代價後，拿下了這個項目。

2011年底，陝西省×省*長*趙正*永親赴韓國，與三星洽談。2011年，西安市GDP為3864億元，僅排在全國第30名，還不如南通、大慶、泉州等三線城市。因此西安市急於拿下這個項目。2012年1月，韓國政府審批通過三星在華設廠項目。2012年4月2日，韓國三星電子宣布在中國西安，建設閃存芯片廠。項目一期投資將達70億美元，若三期投資順利完成，總投資約為300億美元。

西安市為此項目提供了巨額補貼，包括：一、韓國三星需要的130萬平方米廠房，由西安市建設，並免費提供1500畝土地。二、西安市每年向三星補貼水、電、綠化、物流費用5億元。三、西安市財政對投資額進行30%的補貼。四、西安市對所得稅征收，進行前十年全免，後十年半額征收。同時，西安市還承諾，將為項目修建高速公路和地鐵等交通基礎設施。總的補貼金額保守估計在300億元以上。

麵對這種獅子大開口的苛刻索價，西安市竟然全盤接受。三星西安項目，選址在西安市安區五星和興隆街道，占地9.4平方公裏，15個村莊3000多戶農民被迫拆遷改造，引發群眾抗議。為了調解征地拆遷矛盾，西安市幹脆派了一批幹部吃住在農村，專門解決拆遷問題。

西安市這種隻要麵子不要裏子的招商方式，實際是用中國土地、中國資金、中國工人，來補貼服務外國企業，幫助它們占領中國市場，壓製中國本土企業發展。這在其他國家是極其滑稽的行為。也無怪乎北京、重慶不要這種項目。

改開三十年來，看看中國盡數破產倒閉的本土電子企業，再看看各省政府，花費巨額資金，補貼扶植的無錫海力士、西安三星、大連英特爾、南京台積電，不禁令人感歎。

你們發展電子產業，到底是為了誰？世界上有哪個國家的電子工業，是靠引進外資壯大的？


DRAM芯片戰爭——1970-2017輸贏千億美元的生死搏殺【6】
1971年，上海複旦大學自主研製的719計算機，由王世業、顧芝祥、陳誌剛等人參與研製。1975年複旦大學研製FD-753計算機。經過反複研究討論，結合那時美國IBM360/370、歐洲TSS、日本FACOM等計算機係統和我國DJS-260、北大150等計算機係統，最終確定753計算機係統的主要研製目標是：具有處理速度浮點運算200萬次以上的主機係統；實現分時計算機係統；多進程分層管理的微內核操作係統。
DRAM芯片戰爭——1970-2017輸贏千億美元的生死搏殺【6】
1979年上海元件五廠和上海無線電十四廠，聯合仿製（逆向工程）成功8080八位微處理器（編號5G8080）。8080為美國英特爾公司在1974年推出的第二款CPU處理器，集成6000隻晶體管，每秒運算29萬次。自1975年第一台個人電腦誕生以後，8080芯片幫助英特爾在幾年後占據了電腦芯片的霸主地位。德國西門子仿製出8080芯片是在1980年10月（Siemens SAB 8080A-C），比中國還晚一年。日本也仿製過8080芯片。


下列研究所清單，回答了：為什麽中國以落後的民用電子產業，卻能夠研製殲-20戰鬥機、月球探測器、相控陣雷達、航空母艦等尖端軍工產品。他們全部是新中國前三十年，億萬人艱苦奮鬥留下的遺產。

中國電子科技集團公司第二研究所 （成立於1962年） 太原電子專用設備研究所
中國電子科技集團公司第三研究所 （成立於1960年） 北京電視聲電研究所
中國電子科技集團公司第七研究所 （成立於1959年） 廣州通信研究所
中國電子科技集團公司第八研究所 （成立於1970年） 淮南光纖研究所
中國電子科技集團公司第九研究所 （成立於1967年） 西南應用磁學研究所
中國電子科技集團公司第十研究所 （成立於1955年） 中國第一個綜合性電子技術研究所
中國電子科技集團公司第十二研究所（成立於1957年）北京真空電子研究所
中國電子科技集團公司第十三研究所（成立於1956年）石家莊半導體研究所
中國電子科技集團公司第十四研究所（成立於1949年）南京電子研究所（亞洲最大的雷達研究所）
中國電子科技集團公司第十五研究所（成立於1958年）華北計算技術研究所
中國電子科技集團公司第十六研究所（成立於1966年）合肥低溫電子研究所
中國電子科技集團公司第十八研究所（成立於1958年）天津電源研究所
中國電子科技集團公司第二十研究所（成立於1961年）導航測控
中國電子科技集團公司第二十一研究所（成立於1963年）上海微電機研究所
中國電子科技集團公司第二十二研究所（成立於1963年）中國電波傳播研究所
中國電子科技集團公司第二十三研究所（成立於1963年）上海傳輸線研究所
中國電子科技集團公司第二十四研究所（成立於1968年）四川固體電路研究所
中國電子科技集團公司第二十六研究所（成立於1970年）重慶聲光技術研究所
中國電子科技集團公司第二十八研究所（成立於1964年）南京電子工程研究所
中國電子科技集團公司第二十九研究所（成立於1965年）西南電子設備研究所
中國電子科技集團公司第三十研究所 （成立於1965年）保密通信和信息安全研究所
中國電子科技集團公司第三十二研究所（成立於1958年）上海計算機技術研究所
中國電子科技集團公司第三十三研究所（成立於1958年）華北電磁防護技術研究所
中國電子科技集團公司第三十四研究所（成立於1971年）桂林激光通信研究所
中國電子科技集團公司第三十六研究所（成立於1978年）嘉興特種通信技術研究所
中國電子科技集團公司第三十八研究所（成立於1965年）華東電子工程研究所
中國電子科技集團公司第三十九研究所（成立於1968年）精密天線係統專業化研究所
中國電子科技集團公司第四十研究所 （成立於1984年）接插件、繼電器專業研究所
中國電子科技集團公司第四十一研究所（成立於1968年）華東電子測量儀器研究所
中國電子科技集團公司第四十三研究所（成立於1968年）華東微電子研究所
中國電子科技集團公司第四十四研究所（成立於1969年）重慶光電技術研究所
中國電子科技集團公司第四十五研究所（成立於1958年）半導體專用設備研究所
中國電子科技集團公司第四十六研究所（成立於1958年）天津激光技術研究所
中國電子科技集團公司第四十七研究所（成立於1958年）東北微電子研究所
中國電子科技集團公司第四十八研究所（成立於1964年）長沙光電設備研究所
中國電子科技集團公司第四十九研究所（成立於1976年）哈爾濱傳感器研究所
中國電子科技集團公司第五十研究所 （成立於1977年）上海電子通訊研究所
中國電子科技集團公司第五十一研究所（成立於1978年）上海微波設備研究所
中國電子科技集團公司第五十二研究所（成立於1962年）計算機外部設備研究所
中國電子科技集團公司第五十四研究所（成立於1952年）中國第一個電信技術研究所
中國電子科技集團公司第五十五研究所（成立於1958年）南京電子器件研究所
中國電子科技集團公司第五十八研究所（成立於1985年）無錫微電子科研中心



作者：超級工程一覽?