北大物理係的王陽元被劃成過右派嗎?

1975年,北京大學物理係半導體研究小組,由王陽元等人,設計出我國第一批三種類型的(矽柵NMOS、矽柵PMOS、鋁柵NMOS)1K DRAM動態隨機存儲器,它比美國英特爾公司研製的C1103要晚五年,但是比韓國、台灣要早四五年。那時韓國、台灣根本就沒有電子工業科研基礎。

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