北大物理係的王陽元被劃成過右派嗎？

1975年，北京大學物理係半導體研究小組，由王陽元等人，設計出我國第一批三種類型的（矽柵NMOS、矽柵PMOS、鋁柵NMOS）1K DRAM動態隨機存儲器，它比美國英特爾公司研製的C1103要晚五年，但是比韓國、台灣要早四五年。那時韓國、台灣根本就沒有電子工業科研基礎。