在80、90年代,光刻機一直是國家五年計劃的科技攻關項目。承擔研製的有中科院、電子部和高等學校。
二十一世紀初,國內研製光刻機的總體設計力量集中整合到上海微電子公司。光刻機研製由國家中長期科技發展計劃02專項支持。
按照目前的公開信息,國產光刻機水平在DUV(193nm波長)的28nm分辨率。
中國的精密儀器研製並不是依靠拆機測繪實現的。50年代中國的科學工作者就知道,拆機測繪並不能得到精密儀器設計中最重要的信息:誤差控製與分配。光學鏡頭的折射率、膜係、麵形都很難通過測繪獲得精密的數據,更不要說工藝參數了。
中國的7nm芯片並不是用國產光刻機製造的,而是用進口光刻機通過多次曝光實現的。良率的低下,關鍵因素是多次曝光,而不是國產設備。