中國光刻機發展史

來源: XYZ94538 於 2021-07-08 10:12:24 [檔案] [博客] [舊帖] [給我悄悄話] 本文已被閱讀：次 (3989 bytes)

本文內容已被 [ XYZ94538 ] 在 2021-07-08 11:06:07 編輯過。如有問題，請報告版主或論壇管理刪除.

1972年，武漢無線電元件三廠編寫的《光刻掩膜版的製造》32開66頁，證實中國芯片光刻工藝研究的起步時間，比美國稍晚，跟日本差不多同時起步，比台韓早了10年。 1964年中國科學院研製出65型接觸式光刻機；1970年代，中國科學院開始研製計算機輔助光刻掩膜工藝；清華大學研製第四代分部式投影光刻機，並在1980年獲得成功，光刻精度達到3微米，接近國際主流水平。而那時，光刻機巨頭ASML還沒誕生。然而，中國在1980年代放棄電子工業，導致20年技術積累全部付諸東流。1994年武漢無線電元件三廠破產改製，賣副食品去了。中國光刻機研製曆史 1965年中國科學院研製出65型接觸式光刻機。 1970年代，中國科學院開始研製計算機輔助光刻掩模工藝。 1972年，武漢無線電元件三廠編寫《光刻掩模版的製造》。 1977年，我國最早的光刻機-GK-3型半自動光刻機誕生，這是一台接觸式光刻機。 1978年，1445所在GK-3的基礎上開發了GK-4，但還是沒有擺脫接觸式光刻機。 1980年，清華大學研製第四代分步式投影光刻機獲得成功，光刻精度達到3微米，接近國際主流水平。 1981年，中國科學院半導體所研製成功JK-1型半自動接近式光刻機。 1982年，科學院109廠的KHA-75-1光刻機，這些光刻機在當時的水平均不低，最保守估計跟當時最先進的canon相比最多也就不到4年。 1985年，機電部45所研製出了分步光刻機樣機，通過電子部技術鑒定，認為達到美國4800DSW的水平。這應當是中國第一台分步投影式光刻機，中國在分步光刻機上與國外的差距不超過7年。但是很可惜，光刻機研發至此為止，中國開始大規模引進外資，有了"造不如買”的思想。光刻技術和產業化，停滯不前。放棄電子工業的自主攻關，諸如光刻機等科技計劃被迫取消。九十年代以來，光刻光源已被卡在193納米無法進步長達20年，這個技術非常關鍵，這直接導致ASML如此強勢的關鍵。直到二十一世紀，中國才剛剛開始啟動193納米ArF光刻機項目，足足落後ASML20多年。進入二十一世紀，光刻機研發重新被國家所重視，並於2002年成立SMEE（上海微電子），“我們現在做這個東西，難度不亞於生產大飛機，影響力不低於當初研究原子彈。”2002?年，剛剛成立的SMEE上海微電子裝備有限公司承擔了“十五”光刻機攻關項目，中電科45所把此前從事分步投影光刻機的團隊遷到了上海，參與這個項目。 2008年，“極大規模集成電路製造裝備及成套工藝”專項將ASML的EUV技術列為下一代光刻技術重點攻關的方向。國家計劃在2030年實現EUV光刻機的國產化； 2015年4月，北京華卓精科科技股份有限公司“65nmArF幹式光刻機雙工件台”通過整機詳細設計評審，具備投產條件。 2016年，上海微電子已經量產90納米、110納米和280納米三種光刻機。 2017年6月21日，中國科學院長春光學精密機械與物理研究所牽頭研發的“極紫外光刻關鍵技術”通過驗收。 2018年11月29日，中科院研製的“超分辨光刻裝備”通過驗收。光刻分辨力達到22納米，結合雙重曝光技術後，未來還可用於製造10納米級別的芯片。 SMEE計劃2021年交付首台國產的28nm的immersion光刻機，和世界上最先進的ASML公司仍然具有20年左右的差距。目前世界光刻機行業的現實情況，排在SMEE前麵的參賽選手隻剩下了3名，荷蘭的ASML，日本的佳能和尼康。論分數，ASML如果是100分，佳能大概20分，尼康大概25分，SMEE大概5分。