所謂半導體，是指導電性能介於金屬和絕緣體之間離子型導電的物質。用它製成的半導體二極管、三極管和集成電路等，是許多現代新科技不可缺少的主要部件。世界第一塊半導體材料鍺單晶，早在1948年已被美國的物理學家研製出來了，而中國半導體材料科學發展史的第一頁，則是由林蘭英來書寫的。
林蘭英，福建莆田人，1940年畢業於福建協和大學數學係。在留校工作8年之後，1948年赴美國留學。在獲得賓夕法尼亞大學數學學位之後，按照導師的意見，林蘭英是要到芝加哥大學深造數學的，然而當她看到半導體科學正在興起的時候，作出了留在賓大改讀固體物理學的決定。1955年獲得博士之後，林蘭英即在紐約的索菲尼亞公司任高級工程師，當時她從事的就是後來終生為之獻身的半導體材料研製工作。
在1956年的日內瓦會議上，中美達成協議：中方分批釋放在朝鮮戰場被俘的美軍，而美方則允許部分留學生回中國。消息傳開，1957年春，林蘭英謝絕了公司的挽留並衝破美國有關部門的阻撓，她以母親病重為由，毅然踏上了歸國的路途。在簡單的行李中，林蘭英攜帶的藥盒，裏麵放有兩支各150克的鍺單晶和矽單晶。這就是她獻給祖國母親最為珍貴的禮物。
過去在記敘上世紀50年代回國服務的華僑科學家的文章裏，常常會出現“舍棄海外優厚生活”的字句。其實這並非人為拔高，而是真實情況的寫照。林蘭英剛回國時的月薪為207元人民幣。這是專家、學者的待遇，當時來說算是比較高的。然而這大致隻相當於她在美國月工資的三十分之一而已。
林蘭英在中國科學院應用物理研究所和半導體研究所工作期間，盡管設備條件不盡人意，但她與同事們一道，很快取得了優異的成績。回國半年之後，即拉製出中國第一根鍺單晶。北京電子管廠用這些鍺單晶，製造出中國第一次向市場銷售的半導體收音機。
此後，林蘭英還在半導體材料研製方麵，創造過許多個中國第一。1961年，她主持設計的我國第一台開門式矽單晶爐研製成功，由於這種爐的技術先進，後來還遠銷多個國家；1962年春，她成功拉製出我國第一根無位錯矽單晶，其質量達到世界先進水平；同年10月，研製出我國第一個砷化镓單晶樣品，為1964年我國第一隻砷化镓二極管激光器的問世準備了條件；1981年，合作完成4千位、16千位大規模集成電路——矽柵MOS隨機存儲器的研製，因而獲得中國科學院重大科技成果一等獎；1987年，她在我國返回式衛星上成功進行生產我國第一根砷化镓晶體實驗，被譽為“中國太空材料之母”。
2003年林蘭英辭世，享年85歲。生前她被選為中國科學院院士，並任中國科協副主席等職。鑒於她對中國半導體材料研製所作出的貢獻，1996年獲何梁何利科技進步獎，1998年獲霍英東成就獎。(潭 江)
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