2026年5月13日，一份來自獨立研究機構Citrini的報告在華爾街投下一枚“深水炸彈”。
這家機構在不久前的霍爾木茲海峽危機最緊張時刻，當所有投行都在依賴衛星數據和二手情報時，Citrini的分析師親自奔赴衝突一線，走訪當地漁民、碼頭工人和航運調度，最終率先指出“海峽並未被真正封鎖”。
這一判斷隨後被後續事態驗證，也讓Citrini一戰成名。
如今，這家以“腳底沾泥”式調研著稱的機構，將聚光燈投向了碳化矽。
在這份重磅報告中，Citrini明確將碳化矽列為AI領域最被低估的核心主線，並提出到2030年，AI數據中心將吃掉碳化矽市場近一半的份額，而先進封裝對SiC的需求規模，甚至可能超過傳統的功率市場。
報告發布後，美股Wolfspeed大漲，A股碳化矽板塊這兩天也集體異動。
為什麽市場對這份報告反應如此劇烈？
因為Citrini此前的預測記錄頗為亮眼，憑借獨立視角多次踩準關鍵拐點。
那麽，這次Citrini對碳化矽的判斷，究竟是又一次精準的前瞻，還是過於激進的推演？
碳化矽：從功率替代到AI剛需
圖片來源：天嶽先進官網
碳化矽是由C和Si元素按1：1比例形成的半導體材料，硬度僅次於金剛石，屬於第三代寬禁帶材料。相比傳統矽材料，它在高壓、高頻、高溫場景中具有壓倒性優勢：擊穿電場強度約為矽的10倍，熱導率約為矽的3倍，禁帶寬度約為矽的3倍。這些特性使其在功率轉換和熱管理領域具有不可替代的價值。
過去五年，碳化矽的需求故事幾乎完全圍繞新能源汽車展開。800V高壓平台的普及，使碳化矽主驅逆變器成為提升充電速度和能效的核心技術。
據弗若斯特沙利文數據，2025年碳化矽在新能源車主驅逆變器中的滲透率已超過30%，新能源汽車仍然是當前及未來五年碳化矽最大的單一應用市場。
但真正讓產業重新測算市場天花板的，是AI算力爆發帶來的兩個全新增量場景。
第一個場景：AI數據中心電源架構的全麵升級。
AI芯片功耗正快速攀升，英偉達B200已超過1000W，下一代Rubin平台預計將進一步走高。傳統數據中心普遍采用的54V/48V電源架構，在兆瓦級負載下麵臨巨大的配電損耗與散熱壓力，行業正加速向800V高壓直流架構過渡，而碳化矽功率器件是實現這一跨越的核心硬件。
2025年5月，英偉達已宣布數據中心電源架構將從當前的54V機架供電向800V高壓直流過渡，目標2027年實現規模化商用。相比矽基IGBT，碳化矽MOSFET的開關損耗僅為前者的十分之一，耐壓能力更強，可在相同市電容量下支撐更高比例的AI負載。
據估算，一座10萬卡規模的智算中心，從矽基切換至碳化矽方案，僅電力基礎設施的投資差異即可達數億元。
第二個場景：先進封裝中的熱管理革命。
當單芯片功耗突破1000W，傳統矽中介層的導熱能力已逼近物理極限。台積電正將大尺寸CoWoS先進封裝列為核心戰略，規劃在2026年、2027年分別推出5.5倍與9.5倍光罩尺寸方案，以支持12層HBM及多芯片集成。
碳化矽的熱導率是矽的3倍，同時具有與矽接近的熱膨脹係數，可以在高效散熱的同時減少封裝翹曲，提升大尺寸芯片的封裝良率。台積電在2025年第四季度法說會上已釋放出SiC在先進封裝中作為散熱關鍵材料的應用取得突破性驗證的信號。據長江證券預測，台積電CoWoS產能2026年將達100萬片每月，若30%采用碳化矽方案，潛在空間超10億美元。
這一方案若實現產業化，碳化矽的角色將從“功率開關材料”延伸為“先進封裝功能材料”，單顆芯片的價值量可能從幾美元躍升至幾十甚至上百美元。
兩條新增長曲線疊加，碳化矽的需求空間正在發生量級躍遷。
Citrini報告預測，2030年碳化矽襯底市場將從當前的百億級成長至2000~3000億元，其中AI電源和先進封裝將貢獻過半增量。
這一判斷是否過於樂觀，取決於技術驗證和產能爬坡的節奏，但至少指明了產業增長的新方向。
Wolfspeed：債務砍掉約70%，毛利率仍為負數
圖片來源：Wolfspeed
Wolfspeed的破產重組，是碳化矽產業發展史上的一個重要節點。
這家美股公司專注於矽碳化物材料和電源應用設備，曾長期被視為行業的“技術燈塔”：最早量產6英寸襯底，最早建成8英寸晶圓廠，導電型襯底市場份額一度超過60%。
然而技術領先並未轉化為商業成功。
其財報顯示，在2024財年，資本支出高達21億美元，營收卻僅8.07億美元，新建的8英寸晶圓廠和材料廠產能利用率長期低於20%，巨額折舊與運營費用最終壓垮了現金流。
2025年6月，Wolfspeed申請Chapter 11破產保護。三個月後，公司完成一輪“減重手術”：債務削減約70%，關閉達勒姆150毫米器件工廠，裁員三分之一，無限期暫停德國薩爾州項目。
2026年5月發布的第三季度財報顯示，賬麵現金回升至12億美元，淨債務降至5.55億美元，財務結構顯著修複。但運營端遠未止血：非GAAP毛利率為-20.6%，經營現金流淨流出8400萬美元。更關鍵的是，8英寸莫霍克穀工廠產能利用率仍處低位，單位折舊與運營成本居高不下。債務減負隻是“救命”，產能利用率與成本曲線的匹配才是“治病”。
技術上，Wolfspeed仍保有三張底牌：2026年1月成功生產出單晶300mm（12英寸）碳化矽晶圓；3月推出業界首款商用10kV SiC MOSFET；同時推出專為AI數據中心機架電源設計的新一代封裝方案。AI數據中心相關業務已連續多個季度環比增長約30%，成為當下唯一保持高增的細分市場。然而，這一體量尚不足以扭轉整體虧損。
Wolfspeed的案例為我們揭示了一個殘酷事實：在碳化矽賽道，先發技術優勢並不等於商業壁壘。當成本結構失控、產能節奏失當、下遊需求切換時，即便是行業奠基者也難逃流動性危機。
而中國碳化矽產業過去幾年的戰略選擇是將成本控製與產能節奏置於首位，也恰好驗證了這一邏輯。
中國產業鏈：從成本優勢到產能話語權
碳化矽產業鏈的價值分布呈現典型的“倒金字塔”結構。據國際知名半導體研究機構Yole Group研究顯示，襯底製造環節占SiC功率器件總成本的約47%，外延生長占約23%，兩者合計70%。與傳統矽基半導體不同，碳化矽的話語權高度集中在上遊材料環節。
當前，全球碳化矽襯底正處於從6英寸向8英寸的迭代窗口。8英寸襯底相比6英寸，可將有效芯片數量提升約90%，單位芯片成本降低30%以上。能否實現8英寸高良率量產，是襯底廠商進入主流供應鏈的關鍵門檻。
在這一輪代際切換中，中國企業的市場份額顯著提升。據日本富士經濟2026年3月發布的報告，2025年全球導電型碳化矽襯底市場中，中國廠商合計份額已超過40%。其中，天嶽先進以27.6%的份額位居全球第一，8英寸市場份額為51.3%。在更大尺寸層麵，天嶽先進2025年年報顯示，公司已完成12英寸導電型和半絕緣型技術攻關，並獲得客戶訂單交付。據其披露，其已與英飛淩、博世、羅姆等全球前十大功率半導體器件製造商中的半數以上建立合作關係。2025年全年，天嶽先進碳化矽產品產量折合69.04萬片，同比增長68.31%。
其他國內企業也在推進產能布局。天科合達2025年初實現導電型SiC襯底累計百萬片級出貨，並已獲得多家國內外頭部企業8英寸外延中小批量訂單。晶盛機電已備案60萬片8英寸襯底產能，寧夏創盛年產60萬片8英寸碳化矽襯底片項目已開工建設。
在外延環節，中國企業的全球地位同樣突出。全球SiC外延片市場已形成“頭部引領、本土崛起”的競爭格局。根據灼識谘詢的報告，瀚天天成作為全球首家實現8英寸SiC外延片大批量外供的企業，以31.6%的全球市場份額位居全球前列。自2023年來，瀚天天成即是全球最大的碳化矽外延供貨商。而天域半導體在中國市場以30.6%的收入占比成為行業領軍者之一。
在器件和模塊環節，中國企業整體份額仍落後於英飛淩、意法半導體等國際IDM巨頭。但部分車規級碳化矽模塊已進入國內主流車企供應鏈，少數企業開始向海外Tier 1供貨。公開信息顯示，在代工環節，國內最大碳化矽器件代工廠的6英寸CP良率已提升至94%以上。
供需周期：從產能過剩到結構性改善
2024年到2025年，碳化矽行業經曆了一輪慘烈的價格戰。公開數據顯示，2022年1萬多一片的6英寸導電型碳化矽襯底，到2025年一度跌破2000元關口。價格戰的根源在於供需錯配：下遊新能源汽車增速放緩，而中國襯底產能以每年翻倍的速度擴張。
但價格戰並非沒有正麵意義。它加速了低效產能的出清，迫使企業在降本上極致挖掘，最終拉低了碳化矽器件的應用門檻。海外大廠縮減產能，國內的產能擴張也放緩節奏，低端產能加速淘汰，高端產能則相對稀缺。2025年，部分消費級SiC MOSFET器件單價已顯著下探，逼近甚至低於矽基超結MOSFET的價位：這意味著碳化矽正在從“高端選配”走向“成本可接受”的廣泛市場。
據行家說Research測算，到2030年，全球SiC襯底總需求量（折合6英寸）有望接近1200萬片。
進入2026年，供需信號正在發生關鍵變化。據晶升股份2026年4月發布的投資者交流記錄，碳化矽襯底市場已釋放出明確複蘇信號：6英寸碳化矽襯底價格出現較大幅度反彈，8英寸產品價格止跌企穩並小幅上漲，部分襯底廠商已收到下遊客戶新增訂單需求，行業供需格局得到明顯改善。天嶽先進在2026年3月的投資者調研中亦表示，過去兩年碳化矽襯底行業經曆了充分的價格調整，目前6英寸產品價格已逐步進入相對穩定區間，8英寸產品價格亦明顯企穩，行業正從價格調整階段轉向“價格趨穩、需求擴容”的新階段。
需求側的驅動力正在從單一的新能源汽車，轉向“EV+AI+光儲”的多輪共振。新能源汽車仍是占比最大的基本盤，800V平台的滲透率持續提升。在AI數據中心領域，英偉達已明確數據中心正從當前的54V機架供電向800V高壓直流架構過渡，目標是2027年實現規模化商用，以支撐1MW及以上超高功率密度IT機架的電力需求。SiC器件憑借極低的開關損耗和耐高壓特性，能讓服務器電源轉換效率突破96%甚至向99%邁進，在相同市電容量下可多支撐50%的AI負載。光伏儲能領域，200kW以上組串式逆變器中SiC的滲透率已超過60%。此外，先進封裝散熱正在成為增量最快的新引擎，英偉達正評估新一代Rubin平台中將CoWoS封裝的矽中介層替換為碳化矽的方案，若該方案確立，每一顆高端AI處理器都將內置SiC材料。
供需收緊的趨勢已經顯現。Wolfspeed重組導致部分海外產能階段性停擺，國內頭部襯底廠滿產，但全行業產能利用率僅約48.8%。隨著AI相關需求在2026年下半年進一步釋放，全球碳化矽襯底市場可能從“供給過剩”轉向“結構性偏緊”，尤其是在8英寸及以上大尺寸襯底領域。而8英寸襯底作為當前中國企業的核心優勢陣地，有望率先迎來需求放量。
風險與展望：決賽圈的入場券
碳化矽產業正站在從“技術導入期”邁向“規模化應用成長期”的拐點。但拐點之後，並非所有參與者都能分享紅利。
價格戰風險未消。6英寸價格雖已觸底反彈，但國內襯底總產能仍遠超需求。若8英寸放量過快、下遊增速不及預期，價格戰可能複燃。頭部企業可向8英寸升級避險，中小產能壓力更大。
技術迭代窗口收窄。產業正加速從6英寸向8英寸、12英寸演進，溝槽型MOSFET逐步替代平麵型。12英寸良率爬坡與溝槽工藝成熟度均存不確定性。全球約90%的核心專利仍由美日企業持有，中國企業拓展高端市場麵臨知識產權壁壘。
地緣政治是長期變量。美國對華半導體設備出口管製持續升級，碳化矽作為戰略材料，處於大國博弈焦點。
但基本麵改善確定。AI需求正從概念走向訂單，8英寸量產重塑成本曲線，全球供應鏈“東移”趨勢大概率不可逆轉。
Wolfspeed的重組與再出發，以及中國產業鏈的快速崛起，共同描繪了碳化矽產業的新圖景。未來兩到三年，這個賽道的“決賽圈”將更加清晰：能夠同時掌握8英寸高良率量產能力、車規級認證通道、以及AI新興應用客戶生態的企業，將成為這場產業變革的主導者。
