現在所謂n納米已經成了文字遊戲，和實際製程關係不大了，是用來宣傳的。發展不了了就看忽悠，各行皆如是

”10納米芯片的實際製程（最小金屬間距）大約在40納米左右；5納米芯片的最小金屬間距大約為30納米；3納米芯片的則大約為22納米。“

 

有一篇很著名的物理學論文，從固體物理學和信息論角度得出矽基芯片的製程不可能小於14納米。

所有跟帖： 

• 多少納米是三極管的寬度來定義的，不是以後段製程的金屬線間距來定義的。 -我是幹枯的胡楊^_^- ♂ (166 bytes) () 01/10/2025 postreply 06:09:26