從技術層麵來看,ASML高端EUV光刻機非常難以顛覆與超越。首先EUV製造所需的體係小,功率高且穩定極紫外線光源,這點美國Cymer公司一直掌握著成熟技術,其他國家都是向其采購的。第二反射鏡麵,隻有用高精度和高光滑度的鏡片才能聚焦和校準光線,從而光線才能精確無誤的照射在矽片上來畫出微小圖案。目前能夠達到光刻機要求的鏡片標準的廠商也在德國。
另外像是芯片上用的複合材料,光刻膠,高純度化學品也多數都是日本專利。
中國氟化氬光刻機使用波長為193納米的光源,而荷蘭ASML的EUV光刻機使用波長為13.5納米的光源,比DUV的光源要短14倍以上,其提供者就是美國Cymer公司,這是EUV光刻機的關鍵科技。另外,EUV光刻機鏡頭精度要比DUV高很多。據說把這個鏡頭總麵積放大到德國一樣大小,誤差也不超過過1毫米。
而另一個方麵是,美荷可能還在等華為Mate70的發布,華為的麒麟芯片進展與工藝製程或許能更好的看清國產光刻機到底走到哪一步了。美荷也清楚,中國曆來都奉行應用一批,研發一批,儲備一批的戰略思想。官宣的,肯定不是最先進的......