超級工程一覽：DRAM芯片戰爭
——1970-2017輸贏千億美元的生死搏殺【3】
1945年8月15日，日本東京皇宮外，東京電台正在廣播：昭和天皇裕仁，宣讀日本無條件投降詔書。很多日本老百姓跪在地上痛哭不止。這一天有600名日本軍官自殺，逃避戰敗投降命運。東京城區已經在美國軍隊，長達半年的轟炸中化為廢墟。共同社照片
1945年二戰結束後，日本作為戰敗國，經濟受到嚴重打擊；但是日本最核心的資產，工程師隊伍得以保存下來。這批原本研製大和級戰列艦、櫻花自殺飛機的日本工程師，轉向民用造船、家用電器、鋼鐵、汽車、摩托車、電子、石化領域，加速了日本戰後經濟重建。
1948年中國國民黨兵敗如山倒後，美國便明確將日本，作為在亞洲對抗蘇聯的橋頭堡。1950年開始，中美兩國在朝鮮戰場血戰三年。美國巨額軍需采購訂單，使日本經濟爬出了二戰戰敗的泥潭。而美國為了拉攏日本對抗蘇聯，向日本轉移了數百項先進技術。如黑白、彩色顯像管電視機、晶體管收音機、錄音機、計算器、電冰箱、洗衣機，在當時都是頂尖的民用消費品。日立、三菱、東芝、NEC、鬆下、三洋、富士通、索尼、夏普、衝電氣（OKI）等日本企業，在此階段廉價獲得了大批美國專利技術，由此奠定了戰後日本電子產業發展根基。
此時，美國人絕對想不到，日本電子產業，會壯大到反噬美國的那一天。
1958年，日本北辰電氣（Hokushin Electric）為NEC NEAC-2201晶體管計算機，研製的MD-2A磁鼓存儲器，容量64K，每分鍾轉速可達到10000轉。北辰電氣後來被橫河電機並購，消失在曆史長河中。
日本電子產業發育期——從美國購買核心技術
自明治維新以來，日本經濟的一大特征，是在政府主導下進行產業技術升級。1948年，日本內閣在通商產業省（簡稱通產省）下麵，設立了工業技術廳，1952年更名為工業技術院，經費完全由財政撥付，負責推動日本整體產業技術發展。1953年日本東京通信工業公司（SONY前身）副社長盛田昭夫，耗資900萬日元（2.5萬美元），從美國西屋電氣引進晶體管技術，生產晶體管收音機。1956年SONY袖珍收音機上市後一炮而紅，索尼迅速崛起。受此影響，日立、三菱、NEC、OKI、東芝、三洋等公司，相繼花錢從美國RCA和西屋電氣，購買了晶體管專利授權。隨著規模化生產，日本晶體管價格明顯下降。1953年索尼試製的晶體管一顆為4000日元（11美元），到1958年降為200日元（0.56美元）。1959年日本晶體管產量達到8650萬顆，產值約160億日元（4445萬美元）。
當時日本與美國相比，技術上存在差距，唯一的優勢是人工便宜。東京電子廠的日本工人，月薪還不到30美元。而美國工人月薪是380美元。在計算機方麵，1956年，通產省工業技術院電氣試驗所，由高橋茂等人負責，研製出日本第一台晶體管計算機ETL MARK III，比美國晚兩年。隨後東京大學開發出PC-2電腦。1957年，通產省頒布執行電子工業振興臨時措置法（電振法57-71年），限製外資進入日本，以保護本國市場，引導日本企業發展半導體電子產業。1958年4月，日本各大電子廠商合作，組建了日本電子工業振興協會（JEIDA），集體對計算機攻關。
1958年9月，在通產省工業技術院電氣試驗所的技術援助下，日本NEC公司推出NEAC-2201晶體管計算機。這是日本第一台完全國產化的計算機。采用北辰電氣（Hokushin Electric）研製的磁鼓存儲器，容量64K。日本為炫耀這一成果，將其運到巴黎公開展出。
1960年，日本通產省工業技術院電氣試驗所，研製成功日本第一塊晶體管集成電路。這是參與研製的骨幹成員，左起，傳田精一（研究員，東北大學工學博士）、垂井康夫（半導體部晶體管研究室主任）、井上ルミ子、鳴神長昭。
日本官產學體係——集中全力進攻戰略產業
1959年2月，美國德州儀器發布集成電路。1960年2月，美國西屋電氣（Westinghouse）公開宣稱：半導體是未來主流技術。太平洋對岸的成果，對日本產生強烈刺激。1960年起，日本形成“官產學”體係，即政府、企業、大學聯合對集成電路技術發起進攻。1960年12月，通產省電氣試驗所，研製成功日本第一塊晶體管集成電路。研究成員有傳田精一、垂井康夫等人。1961年4月8日，日本東京大學工學部的柳井久義、菅野卓雄、多田邦雄、柳川隆之四名教授，發布了他們與NEC公司合作，在晶體管集成電路上進行的基礎研究。
1962年，日本NEC為了解決晶體管集成電路的製造問題，支付技術授權費，從美國仙童公司，買來晶體管平麵光刻生產工藝。解決生產問題後，日本NEC的集成電路產量暴增。1961年隻有50塊，1962年增長至1.18萬塊，1965年達到5萬塊。在此期間，NEC研製了多個型號的晶體管集成電路計算機，如NEAC-1200係列，NEAC-2200係列。日立公司與美國RCA合作，由日立半導體事業部的大野稔等人，研製出MOS型晶體管。1966年，日立發布了第一代MOS集成電路HD700，用於計算器，采用15微米生產工藝。夏普、三菱也紛紛將集成電路新技術，用於各自的計算器產品，使日本的集成電路迅速形成產業基礎。到1970年，日本NEC的集成電路產量，已經達到3998萬塊。
作為對比：早在1956年起，中國科學院就開始組織黃昆博士、謝希德博士、林蘭英博士、王守武博士等人，研究平麵光刻工藝。1963年中國科學院計算機研究所，研製出第一台國產晶體管大型計算機——109機，用於核武器工程。1964年開發出晶體管集成電路。以中國科學院和電子工業部為主，中國形成了由軍事工業為牽引的龐大電子科研體係，下屬各類電子企業單位超過2500家，全麵領先韓國和台灣，但是在市場化程度上不如日本，當時中國民用消費市場僅限於收音機和電視機。
1968年4月，美國德州儀器董事長P.E.Haggerty，與日本索尼社長井深大簽署協議，各占股50%，在日本設立子公司。後排左麵站著盛田昭夫副社長。
以市場換技術——想占領日本市場？別做夢了
1960年代，為保護日本幼稚的電子工業，日本政府堅決實行貿易保護主義，隻允許進口極少數的電子元器件，限製200日元以下的中低端IC元件進口。采用提高進口關稅、發放進口許可證等方式，限製美國企業衝擊日本市場。最典型的例子是德州儀器。1964年，美國德州儀器看到日本電子工業增速迅猛，便想在日本設立100%獨資子公司，但是日本通產省死活不同意。一直交涉了長達四年之後，日本政府終於鬆口了，卻提出了極為嚴苛的條件——拿核心技術來換。看起來似乎與改革開放後，中國采用的“以市場換技術”買辦政策差不多，但裏麵的竅門差別就大了。
1966年，美國德州儀器為打開日本市場，以自己擁有的IC製程核心專利，來引誘日本。日本通產省為了拿到技術，同時保護日本市場，可謂絞盡腦汁。1968年4月，由日本索尼社長井深大出麵，與德州儀器董事長哈格蒂（P.E.Haggerty）簽署協議，雙方各占股50%，設立合資公司。條件是：在三年內，德州儀器必須向日本公開相關技術專利。並且德州儀器的產品，在日本市場占有率，不得超過10%。有了如此嚴苛的限製，日本政府將本國市場牢牢掌握在自己手裏，不怕美國企業不交出核心技術。其後韓國政府也學會了這招，用來對付日本和美國企業。
偉大革命家列寧說過：資本家為了利益，可以出賣絞死自己的繩子。日本產業界正是抓住了核心利益，使自身迅速發展壯大。這與改開後，中國采用“以市場換技術”政策，導致全國電子產業徹底崩潰；中國市場全麵被日本、美國、韓國、台灣合資廠商聯合占領，形成了鮮明對比。改開三十年來，中國電子產業市場損失，至少超過1萬億美元。誰該承擔這一曆史罪責？
1964年，美國IBM公司推出的System-360計算機，具有劃時代意義，使計算機在社會運行中，日益占據核心地位。
IBM大型計算機——日本企業望塵莫及
在1960年代，盡管美國和日本都開始了集成電路產業化進程，但美國的實力遠非日本可比。1964年4月7日，美國IBM公司推出其第一款小規模集成電路計算機System-360，運算速度過百萬次大關。該機是IBM曆史上的一次驚天豪賭，耗資52.5億美元（約合4285噸黃金，現值1812億美元，足夠建7艘核動力航空母艦）。IBM公司招募6萬餘名新員工，新建5座工廠，攻克了指令集可兼容操作係統、數據庫、集成電路等軟硬件難關，獲得超過300項專利。該機每台售價250-300萬美元，到1966年已售出8000多台，使IBM年營收突破40億美元，純利潤10億美元。迅速占領了美國大型計算機市場98%、歐洲78%，日本43%的市場份額。IBM成為世界電子產業難以撼動的藍色巨人。
年營收40億美元是什麽概念呢？1961年美國建成世界第一艘核動力航空母艦，不過花費4.5億美元。1966年中國外匯儲備為2.11億美元。中國動員全國力量研製原子彈、氫彈、導彈、衛星，也不過花費20億美元左右。由此可見當年IBM如同巨人壓頂一般，讓其他企業喘不過氣來，逼死了大批競爭對手。
美國公司取得的巨大成功，對日本產生強烈震撼。1966年，由日本通產省主導，進行“超高性能大型計算機”開發計劃。目標是在五年內投資120億日元（0.34億美元），追趕美國IBM大型計算機。由通產省電氣試驗所牽頭，日立、東芝、NEC、富士通、三菱、衝電氣（OKI）等企業組成團隊，對日立研製的HITAC 8000係列大型計算機進行升級改造。HITAC 8000其實技術源自，美國RCA與日立合作研製的Spectra-70大型機。從集成電路、CPU、接口、軟件，全都是仿製美國貨。隻投入這麽點錢，就想追趕IBM，注定了該計劃要失敗。
有句話叫丟西瓜撿芝麻，盡管大型計算機計劃失敗了，但是參與該項目的日本NEC公司，卻成為日本第一家研製出DRAM內存的企業。在1966年的時候，HITAC 8000要求配備512K容量的高速內存，這是個極高的技術指標。NEC於是對NMOS工藝進行研究，1968年公開了使用NMOS工藝生產的144bit SRAM靜態隨機存儲器，研製者有NEC半導體部門的大內淳義等人。這是個非常了不起的成果。兩年後，美國英特爾才推出同類產品。1970年英特爾研製出C1103 1K DRAM內存後，日本NEC在第二年就推出了采用NMOS工藝的1K DRAM內存(型號μPD403)。使得NEC成為日本內存行業的龍頭企業。
1962年，日本富士通研製的FACOM 602磁帶機，將記錄密度提高到333bpi，用於FACOM 241D計算機。
逼迫日本開放市場——日本企業的產業反擊戰
從1965年至1970年，美國集成電路市場的需求急劇增加，年增長率超過16%，日本政府和企業界，看到了這一商機，但是在產業技術上，與美國存在巨大差距。不過日本有個優勢——大批日本人在美國工作。像江崎玲於奈之類的電子專家，長期在美國頂尖的IBM實驗室工作，可以輕鬆獲得大量經濟情報，提供給日本產業界。
1972年，美國IBM公司“FS（Future System）計劃”的部分內容曝光。IBM計劃投入巨資，在1980年前開發出1M DRAM內存芯片，應用到下一代電腦。當時，美國最先進的DRAM內存不過4K大小。這讓尚停留在1K DRAM技術層次的日本企業產生強烈危機感。於是由日本電子工業振興協會不斷運作，1975年以通產省為中心的“下世代電子計算機用超LSI研究開發計畫”構想，開始商量如何應對IBM的FS計劃。1975年7月，通產省設立了官民共同參與的“超LSI研究開發政策委員會”。當時盡管日本各大廠商競爭激烈，但是在共同抵抗IBM巨人方麵卻是一致的。（超LSI就是超大規模集成電路的意思）
1974年，日本在美國要求開放市場的政治壓力下，被迫放寬計算機和電子元件進口限製。僅僅隻用一年時間，美國IBM電腦，就如熱刀切黃油一般，橫掃日本各大計算機企業。礙於技術差距，日本產業界放棄了在電腦整機上與IBM正麵拚殺，而是選擇DRAM存儲器產品，作為產業突破口。因為日本軟件能力差，而CPU等部件與軟件關聯性高，日本啃不下來。DRAM內存芯片，與軟件關聯度弱，卻有很高的毛利率。隻要在生產工藝、成品率、產能方麵下功夫，日本就有機會成功。
最先行動起來的，是國營的日本電信電話株式會社（NTT），從1975年至1981年，NTT投資400億日元（1.6億美元），進行超大規模集成電路研究。終於在1980年研製出256K DRAM。NTT的大量采購，使日本的256K DRAM迅速形成產能優勢。在NTT之外，日本產業界還在同時進行第二項技術攻關計劃。
1977年5月5日，日本VLSI技術研究所，宣布研製成功可變尺寸矩形電子束掃描裝置。
舉國體製——籌集720億日元研製DRAM核心設備
在1970年代，日本盡管可以生產DRAM內存芯片，但是最關鍵的製程設備和生產原料要從美國進口。為了補足短板，1976年3月，經通產省、自民黨、大藏省多次協商，日本政府啟動了"DRAM製法革新"國家項目。由日本政府出資320億日元，日立、NEC、富士通、三菱、東芝五大企業聯合籌資400億日元。總計投入720億日元（2.36億美元）為基金，由日本電子綜合研究所，和計算機綜合研究所牽頭，設立國家性科研機構——“VLSI技術研究所”（超LSI技術研究組合）。研究所地址就選在，位於川崎市高津區的NEC中央研究所內。日立公司社長吉山博吉擔任理事長，根橋正人負責業務領導，垂井康夫擔任研究所長，組織800多名技術精英，共同研製國產高性能DRAM製程設備。目標是近期突破64K DRAM和256K DRAM的實用化，遠期在10-20年內，實現1M DRAM的實用化。（VLSI是超大規模集成電路的簡稱）
在這個技術攻關體係中，日立公司（第一研究室），負責電子束掃描裝置與微縮投影紫外線曝光裝置，右高正俊任室長。富士通公司（第二研究室）研製可變尺寸矩形電子束掃描裝置，中村正任室長。東芝（第三研究室）負責EB掃描裝置與製版複印裝置，武石喜幸任室長。電氣綜合研究所（第四研究室）對矽晶體材料進行研究，飯塚隆任室長。三菱電機（第五研究室）開發製程技術與投影曝光裝置，奧泰二任室長。NEC公司（第六研究室）進行產品封裝設計、測試、評估研究，川路昭任室長。
在產業化方麵，日本政府為半導體企業，提供了高達16億美元的巨額資金，包括稅賦減免、低息貸款等資金扶持政策，幫助日本企業打造DRAM集成電路產業群。到1978年，日本富士通公司，研製成功64K DRAM大規模集成電路。美國IBM、莫斯泰克、德州儀器也在同時發布了產品。這一年，由於日本64K動態隨機存儲器（DRAM）開始打入國際市場，集成電路的出口迅速增加。
1980年，日本VLSI聯合研發體，宣告完成為期四年的“VLSI”項目。期間申請的實用新型專利和商業專利，達到1210件和347件。研發的主要成果包括各型電子束曝光裝置，采用紫外線、X射線、電子束的各型製版複印裝置、幹式蝕刻裝置等，取得了引人注目的成果。針對難度大的高風險研究課題，VLSI項目采用多個實驗室群起圍攻的方式，調動各單位進行良性競爭，保證研發成功率。各企業的技術整合，保證了DRAM量產成功率，奠定了日本在DRAM市場的霸主地位。
1970年代，日本鬆下電器京都府長岡工場，整齊排列的100台自動焊線機，隻需要10個人操作。該廠從1968年開始半導體生產。1970年代美國向馬來西亞、韓國、台灣轉移電子製造業，以降低人力成本。日本則采用大規模自動化生產的方式來降低成本。日本報紙震驚地寫道：半導體工廠的人都消失了。
獲得豐厚回報——日本躍居世界第一大DRAM生產國
1977年，全球的個人電腦出貨量總計大約4.8萬台。到1978年已經暴增至20萬台，市場規模大約5億美元。其中美國Radio Shack公司（電器連鎖零售店）出售的Tandy TRS-80電腦銷量約10萬台，均價600美元，銷售額6000美元，采用蓋茨新開發的操作係統，CPU則是從英特爾辭職的前首席設計師費金，研製的Zilog—Z80。蘋果公司的Apple II銷量達到2萬台，平均單價1500美元，屬於高端貨，年銷售額約3000萬美元。個人電腦市場的高速增長，對內存產生了大量需求。這給日本DRAM廠商帶來了出口機會。
做出口貿易的都知道，出口貨不但價錢便宜，質量還要好。而在當時，美國人一般認為日本貨質量低劣，遠遠比不上美國貨。但是實際的結果令人大跌眼鏡。1980年，美國惠普公司公布DRAM內存采購情況。對競標的3家日本公司和3家美國公司的16K DRAM芯片，質量檢驗結果顯示：美國最好DRAM公司的芯片不合格率，比日本最差DRAM公司的芯片不合格率，高出整整6倍。雖然惠普礙於情麵，沒有點出這些公司的名字。但人們很快知道了，三家美國公司是英特爾、德州儀器和莫斯泰克，三家日本公司是NEC、日立和富士通。日立公司為了拿到訂單，甚至在給銷售部門的指示上明確要求，要比美國公司的價格低10%。
質量好，價格低，量又足，日本DRAM內存在美國迅速崛起。1982年，日本成為全球最大的DRAM生產國。這一年3月，日本NEC的九州工廠，DRAM月產量為1000萬塊（約1萬片晶圓）。到了10月，月產量暴增至1900萬塊。其產量之大，成品率之高（良率超過80%），質量之好，使得美國企業望塵莫及。與產量相伴的是，原來價格虛高的DRAM內存模塊，價格暴降了90%。一顆兩年前還賣100美元的64K DRAM存儲芯片，現在隻要5美元就能買到了，日本廠商還能賺錢。美國企業由於芯片成品率低，根本無法與日本競爭，因此陷入困境。
1982年，美國50家半導體企業秘密結成技術共享聯盟，避免資金人力重複投資。可是這些合作項目剛剛啟動，就傳來了壞消息。美國剛剛研製出256K DRAM內存，而日本富士通、日立的256K DRAM已經批量上市。1983年間，銷售256K內存的公司中，除了富士通、日立、三菱、NEC、東芝之外，隻有一家摩托羅拉是美國公司。光是NEC九州工廠的256K DRAM月產量，就高達300萬塊。日本廠商開出的海量產能，導致這一年DRAM價格暴跌了70%。內存價格暴跌，使得正在跟進投資更新技術設備的美國企業，普遍陷入巨額虧損狀態。難以承受虧損的美國企業，紛紛退出DRAM市場，又進一步加強了日本廠商的優勢地位。
1978年3月15日，日本朝日新聞，報道垂井康夫擔任所長的VLSI技術研究所，研製成功電子束掃描裝置。
低成本優勢——美國廠商節節敗退
1984年，日本DRAM產業進入技術爆發期。通產省電子所研製成功1M DRAM，三菱甚至公開展出4M DRAM的關鍵技術。日立生產的DRAM內存，已經開始采用1.5微米生產工藝。東芝電氣綜合研究所，則投資200億日元，建造超淨工作間。在這種超淨廠房內，每一立方米的淨化空氣中，直徑0.1微米的顆粒，不能超過350個。隻有在這種條件下才能製備1M、4M容量的DRAM存儲器。與此同時，東芝研製出直徑8英寸（200mm）級的，世界最大直徑矽晶圓棒。到1986年，光是東芝一家，每月1M DRAM的產量就超過100萬塊。
日本企業大量投資形成的產業優勢，導致日本半導體對美國出口額，從1979年的4400萬美元，暴增至1984年的23億美元。五年間暴增52倍！而同時期，美國對日本出口的半導體，僅僅隻增長了2倍。美國公司失去產品競爭力的後果，便是越想追趕越要投資，越投資虧損越大，陷入惡性循環。
以英特爾為例，本來到1978年前後，英特爾在莫斯泰克的猛攻下，已經成為美國DRAM市場的後進角色，美國市場占有率低於20%。但是隨著1980年後，日本DRAM產品大量出口美國，英特爾的日子就過不去下了。雖然DRAM產品隻占英特爾銷售額的20%，但是為了保住這塊核心業務，公司80%的研發費用投向了DRAM存儲器，明顯是本末倒置。等到英特爾好不容易開發出新DRAM產品，此時日本廠商已經在低價傾銷成品，導致英特爾無利可圖，連研發費用都賺不回來。1984年至1985年間，陷入巨額虧損的英特爾，被迫裁員7200人，仍不能扭轉困局。1985年10月，英特爾向外界宣布退出DRAM市場，關閉生產DRAM的七座工廠。
1985年，全球半導體產業轉入蕭條，半導體價格大幅度下跌。64K DRAM由1984年的3美元，下降到1985年中旬的0.75美元。同期，256K DRAM由31美元下降到3美元。價格暴跌使美國英特爾、國家半導體等廠商撤出了DRAM市場。然而，就在同一年，日本NEC的集成電路銷售額，排名世界第一，企業營業額是二戰前的三百多倍，一舉超越長期是行業龍頭的美國德州儀器公司。憑借VLSI項目的成功，日本企業一舉占據了64K、128K、256K和1M DRAM市場90%的份額。
1991年6月，日本駐美大使村田良平，與布什政府的美國貿易代表卡拉·安德森·希爾斯，在華盛頓簽署新的五年期《日美半導體協議》。美國希望在1992年底前，能夠在日本半導體市場占據20%的份額。這個協議讓美國企業喘口氣，韓國半導體產業則異軍突起。到1995年底，外國半導體在日本市場占有率超過了30%。希爾斯這個女人非常厲害，中國的很多對美貿易談判，都是以她為對手。
日本廉價芯片攻勢——美國揮出反傾銷大棒
對此，美國企業認定是日本人傾銷導致了價格暴跌。1985年6月，美國英特爾、AMD等半導體公司聯合起來，相繼指控日本不公正貿易行為。鼓動美國半導體工業協會向政府遊說，向國會遞交一份正式的301條款文本，要求美國政府製止日本公司的傾銷行為。1985年10月，美國商務部製定了一項法案，指控日本公司傾銷256K DRAM和1M DRAM。
隨後，美國商務部與日本通產省，就301條款和反傾銷訴訟進行談判。1986年9月，日本通產省與美國商務部，簽署第一次《美日半導體協議》。根據這項協議，美國暫時停止對日本企業的反傾銷訴訟。但作為交換條件，要求日本政府促進日本企業，購買美國生產的半導體，加強政府對價格的監督機製以防止傾銷。並且美國半導體產品，在日本市場占有率，可以放寬到20%。日美半導體協議的簽署，在日美貿易摩擦史上，具有重要意義。標誌著美蘇冷戰後期，美國從全力扶植日本經濟，轉向全麵打壓日本經濟。
美國的製裁並沒能立刻遏製日本的技術優勢。1986年，日本NEC開發出世界第一塊4M DRAM。日本NTT則在次年展出了16M DRAM樣品。到1988年，全球20大半導體廠商中，日本占據了11家，美國隻有5家。而且日本企業包攬了前三名。日本NEC以45.43億美元的營收總額排名世界第一，東芝以43.95億美元排名第二，日立以35億美元排名第三，美國摩托羅拉以30億美元排名第四，德州儀器以27.4億美元排名第五。富士通以26億美元排名第六，英特爾以23.5億美元排名第七。荷蘭飛利浦以17.38億美元排名第10。唯一上榜的韓國三星，以9億美元排名第18位。第20名德國西門子，隻有7.84億美元。這一年，日本已經超越美國，成為世界第一大半導體生產國。
盛極而衰是自然規律，商業領域也是這樣。1989年日本泡沫經濟破滅，經濟進入停滯階段。進入1990年代，隨著蘇聯解體，美國收割冷戰紅利。在美國刻意遏製下，日本的國際競爭力迅速衰退，其半導體的全球份額迅速滑落至50%，2000年後更是下降到20%左右。如此潰於一旦的急速墜落，讓世界震驚並疑惑，究竟發生了什麽。
日本廠商懸崖式墜落——放棄投資就會死
美國、日本廠商的崛起——墜落循環，其實道理很簡單，關鍵在投資。1973年世界石油危機後，歐美經濟停滯，美國逐漸減少在半導體領域的投資。此時美國對日本還有5年左右的技術優勢。然而就是這個時期，日本通過1976年VLSI計劃的巨量投資，幫助日本企業在技術上趕超美國。日本政府的財稅資金補貼，幫助日本企業建立了產能優勢。1978年個人電腦市場爆發後，日本企業享受到產業投資帶來的巨額利潤。而美國企業由於前期放棄投資，就此喪失競爭力。此時產業投資競爭門檻，已經從70年代的幾億美元量級，急速暴增至80年代的幾十億美元量級。美國產業界失去投資-盈利循環的機會後，已經再也沒有能力追加幾十億美元巨額投資，來與日本較量了。
日本企業的急速墜落也是這個道理。1985年，日本廠商通過開出的海量產能，用暴跌的產品價格，擠垮了美國同行。但是產業不景氣的後果，是日本廠商也失去了盈利能力。盈利減少後，日本企業紛紛減少對半導體的技術設備投資。僅在1985年，由於市場不景氣，日本企業砍掉了近40%的設備更新投資，最終的投資額為4780億日元（19.9億美元）。1986年市場仍未回暖。1987年需求雖有恢複，但日本各廠商對投資持保守態度，該年度投資額僅有2650億日元（18.4億日元），隻占營業收入的15.3%。
1988年市場開始普及1M DRAM內存，但因上一次半導體不景氣的殷鑒猶在，日本廠商對設備投資仍然謹慎保守。加上日元迅速升值，日本房地產泡沫蓬勃興起，大量廠商將資金轉投房地產行業。日本產品的價格競爭力急劇衰退。而韓國三星、現代、LG等廠商在此階段瘋狂投資，迅速趕超日本。到1992年，韓國三星就將日本NEC擠下了DRAM產業世界第一寶座。
（中國電子產業在1980年代徹底崩潰，恰恰也驗證了“放棄投資就會死“的市場規律。）
2004年，爾必達在廣島建成12英寸DRAM晶圓廠。建設一座8英寸晶圓廠需要投資10-15億美元，建設一座12英寸晶圓廠，暴增至20-30億美元。超高規模的投資，使得DRAM產業如同在刀鋒上舞蹈，稍有不慎即全軍覆滅。爾必達也在沉重的債務下，最終轟然倒地。
日本爾必達——三家聯手終究覆滅
1992年西班牙舉辦巴塞羅那奧運會。原本市場預期會轉暖，結果4M DRAM並未如預期般暢銷，日本各廠被迫采取減產來阻止市場價格滑落。這就加速了韓國廠商崛起，韓國三星取代了日本廠商的龍頭地位。更令日本人懊惱的是，曾經被日本人逼到差點破產的美國英特爾，與微軟聯手組建WINTEL同盟，依靠CPU產品大獲成功。1996年，英特爾以177.78億美元的巨額營收，打敗日本NEC（104億美元），重新奪回半導體世界第一大廠寶座。
1995年微軟即將發布Windows 95操作係統，引發市場大熱。日本DRAM廠商又大肆擴充產能，企圖重新奪回產業優勢。但是韓國廠商也在此時瘋狂擴充產能。最終導致的結果是，1996年DRAM價格狂跌70%。1997年亞洲金融危機，更是加重了市場衰退。因此從1996年至1998年，DRAM產業連續三年衰退，全球廠商均出現嚴重虧損。此時，世界DRAM內存市場已經擴充到400億美元左右的市場規模。新建一座8英寸DRAM晶圓廠，動輒需要投資10-15億美元，而且虧損風險極大。日本廠商在連年虧損下，已經喪失了追加投資的勇氣。
1999年，日本富士通宣布退出DRAM市場，不玩了。曾經無比強大的NEC、日立、三菱，將三家的DRAM部門合並，成立爾必達（Elpida）。這家重新組建的DRAM企業，希望通過聯合經營來降低成本，對抗韓國三星。東芝也在2001年退出了DRAM市場。
日本組建爾必達，是為了保護日本DRAM產業，避免被韓國企業各個擊破。可是從成立之初，爾必達就是燙手山芋，被估算每天一開門就要淨虧損2億日元。2002年阪本幸雄出任爾必達CEO，開始拯救計劃。他從美國英特爾拉來訂單，並籌集資金建設廣島12英寸晶圓廠。讓爾必達的全球市占率開始逐漸攀升。從2002年到2007年獲利成長3倍。爾必達全盛時期，整合日係廠商的研發能力，產量排名世界第三，僅次於三星與海士力。不過先前大舉擴張時已經埋下禍根。2007年全球金融危機後，DRAM價格暴跌，爾必達陷入嚴重虧損。2009年向日本政府申請了1300億日元援助貸款。2011年泰國洪災後DRAM市場低迷。日元更是出現史無前例的升值，同時韓元兌日元貶值70%。這讓爾必達完全無法招架，銷售額迅速下滑。2012年2月27日，爾必達向東京地方法院申請破產保護，當時公司負債總額已高達4480億日元（89.6億美元），是日本史上最大的破產案件。2012年7月，美國鎂光以區區25億美元低價收購爾必達。僅僅兩年之後，鎂光市值從60億美元暴增至360億美元，成為爾必達破產的最大受益者。
日本企業的退出，進一步擴大了韓國企業的競爭優勢。韓國企業似乎能夠笑傲江湖了。
可是在笑容背後，又有誰知道韓國人的悲慘命運？
2016年5月，日本三重縣四日市，日本東芝與美國閃迪（SanDisk），合資建設的12英寸晶圓廠（New Fab 2），主要生產48層堆疊的3D NAND閃存芯片。該廠是在原來的Fab2廠址上推倒重建，總投資超過240億元人民幣。東芝成為日本內存行業發展四十年來，碩果僅存的企業。
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