日本內存製造商 SAIMEMORY 於 2 月 3 日在英特爾舉辦的Intel Connection Japan 2026活動上首次公開亮相，介紹了其業務詳情以及目前正在開發的新內存結構ZAM的概述。
SAIMEMORY 是一家由軟銀、英特爾和東京大學共同成立的存儲器製造商，成立於 2024 年 12 月，並於 2025 年 6 月開始全麵運營。其主要業務是存儲器及相關產品的研發、製造和銷售。
然而，此前從未公開宣布過此事，相關業務細節也一直不為人知。在本次英特爾活動上，一種麵向人工智能市場的新型內存結構ZAM（Z字形內存）正式亮相。
到目前為止，存儲器的結構都是堆疊在平麵上的，但由於功率和散熱的限製，目前這種結構的 16 層已經接近其極限，預計最大層數將在 20 層左右。
另一方麵，ZAM 的命名源於 Z 軸，這意味著芯片是垂直堆疊的。與傳統 DRAM 相比，這種設計可以實現更低的功耗、更大的容量和更寬的帶寬。通過垂直堆疊芯片，每個芯片產生的熱量可以均勻地向上擴散，從而有望解決傳統平麵堆疊方式中存在的散熱問題。
SAIMEMORY總裁兼首席執行官山口秀也表示：SAIMEMORY中的SAI源自漢字天才或天賦，我們將向世界推廣這一理念（順便一提，有人說它可能是Softbank AI Memory，這當然也是一種可能性）。在當前人工智能蓬勃發展的環境下，我們預計變革將超越第一產業和第二產業的範疇，這同時也是一個機遇。我們可以為這一變革時期提供解決方案。
該公司將其技術定位為突破內存散熱和性能瓶頸，實現了低功耗、大容量和寬帶寬。為實現這一目標，該公司表示已建立強大的合作夥伴關係，重點介紹了與軟銀和英特爾的合作，以及在日本和海外的各項投資和供應鏈。
從相關資料項目可以看到，該項目將得到先進存儲技術 (AMT) 研發計劃的支持，該計劃由美國能源部和國家核安全管理局通過桑迪亞國家實驗室、勞倫斯利弗莫爾國家實驗室和洛斯阿拉莫斯國家實驗室進行管理。
英特爾院士兼英特爾政府技術首席技術官約書亞弗萊曼博士表示：英特爾的下一代DRAM鍵合（NGDB）計劃展示了一種全新的內存架構和革命性的組裝方法，可顯著提升DRAM性能、降低功耗並優化內存成本。標準內存架構無法滿足人工智能的需求，因此NGDB定義了一種全新的方法，以加速我們邁向下一個十年。
2025 年 6 月首次有報道稱，英特爾和軟銀合作開發了一種堆疊式 DRAM（動態隨機存取存儲器）來替代 HBM（高帶寬存儲器），公司記錄顯示 Saimemory 公司於 2024 年 12 月首次成立。
當時的報道稱，該項目預計耗資7000萬美元，其中軟銀計劃投資2100萬美元。日本政府預計也將提供資金，理研研究所和新光電氣也在考慮投資。今天（2月2日）發布的聲明中並未披露任何財務細節或潛在投資。
通過此次合作，SAIMEMORY將利用英特爾的技術專長，推進下一代存儲架構和製造技術的研究與開發。這包括英特爾在美國能源部支持下推進的先進存儲技術（AMT）項目所建立的下一代存儲基礎技術，以及通過下一代DRAM鍵合（NGDB）計劃所展現的技術專長。
ZAM的開發將利用英特爾在DRAM領域的技術，但軟銀發言人表示，ZAM就像是DRAM的升級版，將采用全新的技術。ZAM這個名字指的是Z軸。雖然技術細節尚未公布，但該發言人表示，我們正在考慮采用垂直堆疊結構。
SAIMEMORY希望通過ZAM技術，在人工智能數據中心等領域實現大容量、寬帶數據處理、提高處理性能並降低功耗。軟銀將在2027財年原型機研製成功之前，投資約30億日元。
軟銀發言人表示：我們與英特爾已溝通了一段時間，但通過正式簽署這份合作協議，我們將進一步深化雙方的合作關係。該公司計劃未來與英特爾以外的其他公司和研究機構合作，以加速研發進程。
此次公告發布之際，業界正努力應對存儲和內存硬件短缺的問題。今年宣布的許多人工智能數據中心建設項目的規模和範圍似乎讓市場措手不及，導致容量緊張。
2025年1月，《華爾街日報》報道稱，TrendForce 的數據顯示，2026 年全球生產的內存中，高達 70% 將被數據中心消耗。
存儲芯片製造商三星和SK海力士也都警告稱，存儲芯片短缺的情況可能會持續到2027年，而隨著產能越來越多地分配給人工智能基礎設施項目，消費電子產品可能會受到持續短缺的影響最大。
