白菜價，主要是解決了GaN-on-Si（氮化镓-on-矽）生長工藝和技術；否則不可能用在快充產品上；科技是生產力

GaN-on-Si（氮化镓-on-矽） 是指將 GaN（氮化镓）薄膜生長在 Si（矽）基底上。這項技術結合了 GaN 的電性能優勢 與 矽的低成本、高成熟度的製造平台，是當前推動 GaN 大規模商業化的關鍵路徑之一，尤其在電源、5G、快充等應用中尤為重要。

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???? GaN-on-Si 的優勢

類別	優勢說明
成本	矽基片便宜，尺寸大（可達8英寸、12英寸），比 GaN-on-SiC 或 GaN-on-sapphire 成本低 3~10 倍
工藝兼容性	可與現有 CMOS 工藝兼容，有利於與矽IC係統集成
大尺寸晶圓	易於擴產、提高良率、適合自動化量產
熱性能	Si 導熱性較好（150 W/mK），比藍寶石強，但低於 SiC
應用廣泛	快充、電源轉換器、電動汽車、數據中心、服務器等領域廣泛應用

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???? GaN-on-Si vs 其他 GaN 襯底方案

指標	GaN-on-Si	GaN-on-SiC（碳化矽）	GaN-on-Sapphire（藍寶石）
成本	（最低）	（高）	（中）
散熱性		（最優）
工藝兼容性
頻率/功率表現	中高	高	低中
主流應用	電源、快充、消費電子	高端RF（雷達、衛星）、軍用	早期照明/LED

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???? 技術挑戰

雖然 GaN-on-Si 成本低，但也存在以下技術挑戰：

問題	說明
晶格失配	GaN 與 Si 晶格常數差異較大（17%），易產生應力和位錯，影響器件可靠性
熱膨脹係數不匹配	導致晶圓翹曲或裂片，需要複雜的緩衝層設計（如AlGaN緩衝層）
漏電控製	GaN-on-Si 容易出現柵極漏電，需要優化外延結構和終端處理
邊緣終端設計複雜	高壓器件要求更好的場控設計，避免擊穿或電擊穿通道

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