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紫光存儲芯片量產 打響中國存儲芯片第一槍

(2018-04-23 02:36:03) 下一個

紫光存儲芯片量產 打響中國存儲芯片第一槍

科工力量

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日前,長江存儲以“芯存長江,智儲未來”為主題,慶賀存儲器基地正式移入生產設備。目前,長江存儲新建的廠房已經完成廠內潔淨室裝修和空調、消防等係統的安裝。隻要生產設備搬入並完成調試之後,就可以量產NAND Flash芯片,打響中國在存儲芯片領域的第一槍。

 

不過,正如“八一”南昌起義後,中國人民徹底推翻“三座大山”用了20多年,中國存儲芯片要擊敗三星、SK海力士、東芝、閃迪、西數、英特爾等國外大廠,也要經曆比較漫長的過程。

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長江存儲武漢工廠量產存儲芯片僅僅是一個開始

 

自2016年第四季度開始,存儲芯片價格一路上揚,在三星、SK海力士、東芝、閃迪等企業大發橫財的同時,中國消費者和華為、聯想、小米、OPPO、VIVO等電子產品整機廠卻深受其害。

 

而且隨著物聯網、人工智能、大數據等行業的發展,對於存儲芯片的需求會與日俱增,如果在這方麵受製於人,完全依賴美國、日本和韓國廠商,對於中國IT產業的發展而言非常不利。

 

為了實現在存儲芯片方麵不再受製於人,紫光集團整合了武漢新芯、西安華芯等在存儲芯片方麵有一定積累的內資企業,並在國家的扶持下,投入巨資發展存儲芯片。本次在武漢即將量產NAND Flash的工廠,則是紫光近年來努力的成果。

 

根據紫光公布的資料,國家存儲器基地一期規劃投資240億美元,占地麵積1968畝,建設3座全球單座潔淨麵積最大的3D NAND閃存生產廠房。在2018年4月實現小規模量產32層64G存儲芯片,2019年實現商業化量產。到2020年,存儲器基地一號項目總產能將達到每月30萬片。

 

趙偉國曾透露,目前已經籌集1800億人民幣,其中800億人民幣投資武漢的存儲工廠,並計劃用另外1000億人民幣在成都、南京再建兩個存儲工廠。力爭讓中國企業進入世界內存企業的第一梯隊,到2020年,計劃把中國芯片製造自產率從 8%提升到40%。

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長江存儲的32層NAND

境外企業對中國大陸高度技術封鎖

 

近5年來,紫光在全球範圍內掀起了一股並購狂瀾,一係列資本運作更是讓人眼花繚亂。

 

2013年底,紫光先以18億美元收購展訊通信,後以9.1億美元收購銳迪科,將中國大陸前三的兩家芯片設計公司整合到一起。

 

2014年,紫光將紫光展銳20%股份以15億美元的價格出售給了英特爾。隨後又獲得了集成電路大基金100億元人民幣的投資和國開行200億元貸款。

 

2015年,紫光以25億美元收購華三公司51%的股權。

 

紫光在大陸收購企業成功率頗高,但在境外的收購往往因各種原因無疾而終。

 

在2015年,紫光計劃投資230億美元收購鎂光,以及計劃投資38億美元收購西部數據15%股權,進而由西部數據出資190億美元收購閃迪。這項計劃顯然是為了通過收購鎂光,或借助西部數據持有閃迪的股票,進而獲得進軍存儲芯片市場的入場券。不過,兩筆收購都沒能成功,紫光收購西部數據15%的股份還因為美國外資投資委員會的審查而告吹。

 

在2015年底,紫光計劃分別出資111.33億元、23.94億元、36億元收購台灣矽品精密約24.9%的股權、南茂科技約25%的股權和力成科技約25%的股份。紫光此舉立即引爆台灣輿論,有台企負責人稱此舉如“引清兵入關”。蔡英文表示“務必小心處理”,要求“經濟部”投審會不得讓紫光並購案審查通過。

雖然紫光近年來“買買買”的行為為其招致很多非議,但收購境外存儲芯片大廠,是介入一個領域的最快途徑,如果紫光同時注重技術引進和消化吸收,就可以在存儲芯片行業複製高鐵模式。

 

畢竟中國中車(南車、北車)也曾經從龐巴迪、川崎重工、西門子、阿爾斯通那裏買技術。紫光的做法就和當年中車從國外買技術類似,都是著眼於引進境外技術,提升本土技術實力。隻是由於美國及其盟友對華技術封鎖,收購沒能成功。

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高啟全

另外,紫光在收購的同時,也沒有放棄自主研發,高薪聘請了台灣有“存儲教父”之稱的高啟全等一大批技術人員,與中國大陸工程師共同開發存儲芯片。本次即將小規模量產的32層NAND芯片就是自主研發的技術成果。

 

因此,網絡上對紫光“買買買”的非議並不客觀,而且以偏概全。

三星、東芝、鎂光掀起新一輪建廠大潮

 

近期,三星,東芝,鎂光和SK海力士等境外存儲芯片大廠都在大肆擴建工廠。在2018年3月,三星就在西安舉行了存儲芯片二期項目開工奠基儀式,未來三年將投資70億美元,把晶圓的月產量提升至22萬片。

 

東芝被貝恩資本收購後,也表示將投資70億美元開建存儲芯片工廠,並計劃在2019年量產96層的3D NAND Flash芯片。

 

擴建工廠的還有鎂光和SK海力士,鎂光在新加坡的3座存儲芯片工廠也於最近動工,並計劃在2019年底商業化量產64層或96層3D NAND芯片。SK海力士新建的工廠計劃在2019年投入運營。

 

從上述情況可以看出,三星、SK海力士、東芝、鎂光等國外大廠新建的工廠大多是在2019年商業化量產,這個時間點可謂卡的恰到好處。正好是長江存儲開始商業化量產的時間。在全球NAND Flash產能大幅提升的情況下,存儲芯片的價格有可能會逐漸走低,這對於剛剛開始與國際大廠競爭的長江存儲來說,著實不是一個好消息。在沒有趕上前一輪存儲芯片大漲價的情況下,又即將與國際大廠開始白刃戰,長江存儲在未來幾年可能會遭遇類似京東方早年的長期虧損的局麵。

 

此外,正如一句俗話錢不是萬能的,但沒有錢是萬萬不能的,在發展中國存儲芯片產業過程中,必須要有充足資金做後盾。像韓國三星在2017年就投入了超過了600億美元用於半導體上的技改和研發。如果國內企業一年投入到不了100億美元,是進入不了第一集團的。

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趙偉國

 

想必正是如此,趙偉國計劃再籌集1900億,加上之前籌集到的1800億元,計劃用總計3700億人民幣作為底牌,備足未來5年彈藥,與國外大廠打一場持久戰。                       

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