上世紀80年代開始從事半導體研究，可以說是早已被開墾且成熟的領域，諾貝爾獎早已給了發明晶體管的前輩，按說沒有任何希望搞出突破性的研究成果。突然有一天，半導體學界爆出重磅消息，英國科學家發現（劍橋大學卡文迪許實驗室核實）單晶矽通過電解陽極氧化可以發出可見光，於是全民皆兵，衝上戰場，大有當年高溫超導（土法煉鋼）的味道，諾貝爾獎似乎指日可待。
我所在的實驗室所有師生員工都投入到發光矽的研究，熱門課題申請到很多經費，儀器設備齊全，實驗進展神速，記得在一年多時間裏發表了十幾篇論文。但是結論並不像人們當初想像的那樣掀起一場半導體工業的革命，離諾貝爾獎就更遠了。
置辦了這麽多電解儀器，總不能扔到大街上吧。於是有人建議利用這些裝置做冷聚變，趁著美國猶他大學的試驗結果尚未澄清之際，撞一撞運氣。這玩意兒要是搞成了，諾貝爾獎唾手可得。堂堂知名大學做這種荒唐研究，確實不好說出口，所以我們全實驗室人員絕對保密，連家人都不許告訴。但是我們買了重水和中子探測器，還是瞞不了明眼人的。
冷聚變研究的結果不用多說了，如果當年搞成了，我也不可能寫博客了。當時我對老婆說，如果聽到物理樓轟隆一響，就不要再找我了。
我來美國後，也有一次與諾貝爾獎沾邊的機會。還記得有一年法國物理學家因為GMR研究成果獲諾貝爾獎嗎，其實我做的課題與他的相差不遠，原理都在於電子運動所受阻力與自旋取向相關。
我的實驗是在半導體材料上做的，把磁性薄膜鍍到半導體表麵（歐姆接觸），然後電子束刻蝕做成電路，電極之間距離極小（100納米）， 然後把電極的磁性改變。因為電極磁疇跟隨外磁場的轉動與尺寸有關，我們故意把正負極的磁性薄膜刻成不同尺寸，於是電流大小和外磁場的關係就表現出來了。可惜沒能堅持做完就離開大學進入工業領域了。
回首過去，
