代發說明，我的朋友有一個技術訣竅，現在因為年老體衰，想把這個技術無償貢獻出來，隻要提供真實身份即可聯係。請先與我‘悄悄話’聯係。
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一個《超低噪聲的電壓基準器件》的技術訣竅無償提供
我在普通《齊納穩壓二極管》（Zener diode）的基礎上，使用普通工藝，在結構上略加改進，研製成功《超低噪聲的電壓基準器件》，特別是采取了一個技術訣竅（未公開），使噪聲電壓達到了1微伏以下。
穩壓管可以簡化穩壓電路，應用範圍很廣。對穩壓管的要求就是輸出電壓穩定，特別是在高端要求的場合，比如衛星的電壓基準，七位以上數字電壓表，可控熱核反應的托克馬克裝置的恒流源等等，都要求精度很高的穩壓管。影響穩壓管輸出電壓穩定的因素有兩個，一個是穩壓管的溫度係數，就是穩壓管的輸出電壓和溫度變化的關係，溫度變化1℃所引起管子兩端電壓的相對變化量即是溫度係數（單位：﹪/℃）。一般說來穩壓值低於6V屬於齊納擊穿，溫度係數是負的；高於6V的屬雪崩擊穿，溫度係數是正的，因此隻要仔細調整擊穿電壓，不太困難的就得到過溫度係數很低的穩壓管，（還有一個辦法是在使用中把溫度係數相反的兩個穩壓管串聯使用，不再贅述）。另外一個重要因素就是穩壓管的噪聲電壓，即穩壓管的實時瞬間電壓的起伏，它與二極管的表麵狀態密切相關，在通常的半導體工藝中，最後的表麵都是二氧化矽，其中又常常被環境中的鈉離子汙染，而鈉離子在二氧化矽中又不太穩定，狀態常常有起伏移動，鈉離子靜電感應的結果使擊穿電壓也就起伏，數量級大約幾百微伏。為了減少這種噪聲，一般是設法1）減少鈉離子汙染（追求超潔淨環境） 2）固定鈉離子在二氧化矽中的狀態 3）以氮化矽或者氧化鋁代替二氧化矽覆蓋表麵。其他因素與少數載流子的傳輸狀態也有關係，如晶格缺欠和載流子質量等等。
上述降低表麵影響的辦法都是治標，治本的辦法是把PN結掩埋起來，遠離表麵，噪聲電壓自然就小了。我在上個世紀80年代聽說國家急需高精度穩壓管，當時是在禁運範圍的。雖然是個小器件，也要先研究它的內在規律，在前人的基礎上再進一步。依靠理論分析，我設計了兩種類型。製造方法是巧妙的控製矽表麵的硼磷的含量分布（見2型示意圖），
這在工藝上很容易實現。發現這種埋層二極管結構的穩壓管，工藝簡單，降低了對環境的超淨要求，普通半導體工廠即可，抗過載電流能力大大增加（就是不容易燒壞），動態電阻也可以降低，成品率卻大幅度提高，更明顯的是噪聲電壓大幅度降低，很容易達到10微伏量級。我還考慮少數載流子的傳輸模型，采取適當措施（即1型‘訣竅’），生產出高端產品，經當時的中科院物理所“國家微小信號測試基地”陳佳圭博導測試，噪聲電壓達到1微伏或者以下（當時的測量極限）。另有單位在靜電屏蔽室測量發現：推測可能到0.1微伏，特別是這種《超低噪聲的電壓基準器件》“高端產品的挑選率”很高，大大明顯優於當時著名國外產品XX605的《挑選率》,打破了對我國的禁運和封鎖，用於國家重點工程，獲得國家發明獎，“新聞聯播”曾經報導。最近經過與有關專家交流，這個器件的噪聲電壓，現在仍然是最好水平。這個兩端器件，比現在流行的三端器件最大優點是所用元件少，線路簡單，因而可靠性大大提高。
上個世紀80年代後期我離開了半導體行業，對此就無暇關注了。最近偶然發現國內穩壓管好像沒有采用這個技術，基本上還是低端產品。
現在所在地區疫情嚴重，我年事已高，眼睛黃斑病變，原來希望把這些【技術訣竅】優先貢獻給國內半導體廠家，不僅能夠進一步提高成品率和可靠性，而且在低噪聲上能夠有自己的特點，使產品更具競爭性。疫情危機之下，為了不把這個技術帶給上帝，現在也可以考慮給【所有】半導體廠家，隻要提供真實身份，也可以給個人申請專利（因此目前不能公開訣竅，否則就沒有新穎性不能申請專利了）。希望了解有關工藝細節的廠家請與我聯係，也歡迎中介幫助聯係。
