答案：兩個不同的概念（工藝）

來源: 胡雪鹽8 於 2023-08-31 12:49:13 [] [博客] [舊帖] [給我悄悄話] 閱讀數 : (1098 bytes)
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回答: 問題 由 申巷九 於 2023-08-31 12:42:27

1.外延epitaxy是在單晶矽片生長其他物質，比如GaS，GaN；

2. P和N是在單晶矽片摻雜

 

所有跟帖： 

• 你的答案更準確，回頭告訴她 -申巷九- ♀ 給 申巷九 發送悄悄話 申巷九 的博客首頁 (0 bytes) () 08/31/2023 postreply 12:51:16

• 這是工藝和Device level -胡雪鹽8- ♂ 給 胡雪鹽8 發送悄悄話 胡雪鹽8 的博客首頁 (0 bytes) () 08/31/2023 postreply 12:57:08

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