周四（5月28日），就職於通用電氣（GE）全球研究部（既紐約州立大學綜合技術學院GE實驗室）的42歲的華裔工程師隋洋（Yang Sui，音譯）在紐約的聯邦法庭認罪，並承認他在2015年至2017年間，從GE竊取了多個與碳化矽MOSFET的研究、設計和製造有關的電子文件。隨洋並非第一個從GE竊取科技成果的華裔工程師。
據GE實驗室當地媒體《Time Union》報導，認罪書說，隋洋多次從GE的資料服務器下載資料，並把資料發送到他的Gmail帳號，他回家後再把資料下載存檔。
隋洋還承認他打算利用碳化矽製造說明，開辦自己的公司。他還打算吸引3千萬美元的風險投資。聯邦檢察官的認罪書中還說，從2017年開始，被告就開始製作自己的商業計劃，打算開辦自己的私人企業，生產、銷售與GE研究、開發、設計及製造的相同的碳化矽產品。
紐約聯邦法院法官蒂阿格斯蒂諾（Mae A. D’Agostin）將於9月22日宣布對隋楊的量刑。隋楊所犯的“竊取商業機密罪”麵臨最高10年監禁，以及最高25萬美元或犯罪所獲財務收益兩倍的罰款，外加刑滿後最高三年監督釋放。根據認罪書， GE的損失估計至少50萬美元。
據隋楊在領英網（LinkedIn）上的個人信息，他於1996年考上北京清華大學，攻讀材料科學，之後在衣阿華州立大學和普渡大學分獲碩士和博士學位，攻讀博士期間他曾任普渡大學中國學生學者聯誼會副會長。2010年10月至2018年1月， 他在位於紐約上州Niskayuna的通用集團全球研發中心擔任半導體裝置工程師。
MOSFET是金屬氧化物半導體場效應晶體管，是一種可以廣泛用於模擬電路與數字電路的場效應晶體管。起訴書介紹，碳化矽MOSFET被用於通用電氣的各種零件和產品，包括航空設備和風力渦輪機。紐約州立大學綜合技術學院GE實驗室研究製造碳化矽芯片，這些芯片被用於製造電力電子開關。
隋洋不是第一位涉GE商業秘密盜竊案的華人科技人員。2014年，來自中國的電腦軟件工程師謝軍（Jun Xie，音譯）被控盜竊通用醫療集團（GE Healthcare）的商業機密，他竊取了工程設計、產品測試信息和業務戰略等內容的1.4 GB或240萬個文件，發送給中國的親戚。因他是H-1B工作簽證，定罪後即被遞解出境。
2018年，中共“千人計劃”專家、GE工程師鄭小清在GE能源及水（GE Power & Water）部門工作期間，用“隱寫術”竊取包括天然氣與蒸氣渦輪科技設計模型、工程圖及其它細節的文件，並將這些檔案寄給在中國的商人張照曦 （Zhaoxi Zhang，音譯）。鄭小清案現正在審理中。
