涉竊取技術 SK海力士陸籍員工跳槽華為前印3000張資料
南韓半導體大廠SK海力士日前出現半導體技術外流華為疑雲。一名在SK海力士工作的中國籍職員，因涉嫌將降低半導體不良率的核心技術洩露給華為而被捕，目前正在接受審判。
據《朝鮮日報》報導，京畿南部警察廳產業技術安保調查隊稱，一名中國籍30多歲女性涉嫌違反《防止產業技術外流及保護產業技術法》，於4月底被捕並移送檢方。
報導指出，該名女子於2013年開始在SK海力士的半導體設計缺陷分析的部門工作。2020年至2022年期間，她擔任負責中國大陸當地法人企業間交易客戶諮詢的組長級職務。她於2022年6月回到中國大陸，獲得高額年薪合約，跳槽到大陸手機大廠華為。
該名女子在離職前影印了3000多張A4紙的資料，內容涉及在半導體製造過程中降低不良率的核心技術。
SK海力士出於資訊安全的原因，禁止員工使用USB等儲存設備。與此同時，也會詳細記錄影印內容、影印者和用途等，而該名女子所影印的文件沒有標明用途。
南韓警方在接到SK海力士報警後展開調查，並於今年4月在機場逮捕入境韓國的該名女子。警方認為，她將影印的文件帶離公司，發給外部人士。但該名女子否認，稱自己沒有洩露技術的意圖。
該名女子目前被提起訴訟，正在水原地方法院驪州分院接受審判。
此前，華為的最新高階手機Pura 60 Pro被發現使用SK海力士的LPDDR5記憶體晶片和NAND快閃記憶體，SK海力士回應，自美國
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