自媒體:重磅!某司今年已經開始生產等效5納米芯

三維集成可以采用相對落後的設備(尤其是不需要EUV光刻)達到<7nm等效,較為適合我國現狀,該研究中心由南方科技大學牽頭,聯合深南電路、廣東省科學院半導體所等單位共同建設。
某司自研的finfet,通過擴大柵極麵積,7納米finfet的整體性能可以與3納米GAA相媲美,並且隻需DUV來做,某司今年已經開始生產等效5納米芯片。而在7nm以下的先進工藝研究上,某司的應對方法是一邊參與甚至主導國產EUV光刻機研發,另一邊是繼續魔改尼康NSR光刻機,比如把光源換成157nm提升套刻精度,換激光幹涉儀(國產塞曼雙折射雙頻激光器)。

 

 

 

去年QL旗艦芯片的工藝節點等效台積電的7nm工藝,也跟中芯的 N+2P工藝類似。等效台積電6nm的QL芯片今年下半年將會量產,項立剛曾表示DUV換先進光源往下工藝迭代也能達到EUV水平,鼓吹EUV是台積電和ASML的陰謀,國產浸沒式DUV生產的QL芯片大概率25年就會上市,該芯片通過自研架構+先進封裝的方式在明年將追上當時主流旗艦芯片的性能。

 

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