我不是搞芯片的。僅僅從工程上是這麽理解的。
x 納米光刻機精度,做兩層結構,等同密度 尺寸小於X,大於x/2 的納米芯片。兩層結構就要多次曝光。比方一層的話要曝光兩次才能刻出晶體管結構。那麽兩層就起碼要曝光三次。如果做出三層結構的話起碼要曝光四次。它的密度尺寸就是小於x, 大於x/3
所以理論上,光刻機48納米。三層的話,可以等價密度做到16納米。 如果做一層的光刻合格概率是90%。做兩層同等密度結構的合格概率就是X*90%*90%=X*81%,這裏X是小於1 的一個量。它是由其他因素決定的,比方機械移動後的複原位置準確度,光刻第二層時對第一層的損害率等等。
還有矽的晶格常數a=5.4305A,也就是0.54納米。1納米寬隻有兩個晶胞,量子力學的統計效果早沒了。隧道效應使得這麽寬的線路根本不能用。幾何結構尺寸必須有十幾個晶胞以上才能穩定。所以兩維上每個結構10納米才行。所以光刻機的兩維分辨率達到10納米就足夠了。其他是機械上的精度。這個可以用壓電晶體來控製補償。