12月3日,武漢新芯集成電路製造有限公司(下稱“武漢新芯”)對外宣布稱,基於其三維集成技術平台的三片晶圓堆疊技術研發成功。
2016年,國家集成電路產業投資基金(大基金)領銜其他投資方出資240億美金,投產武漢新芯項目,布局3DNAND,設計產能達到30萬片/月。芯片國產化是國家戰略,武漢新芯項目落地充分彰顯國家要將這一戰略實施到底的決心,利好國內半導體全產業鏈。
據了解,三維集成技術是武漢新芯繼NOR Flash、MCU之外的第三大技術平台。武漢新芯的三維集成技術居於國際先進、國內領先水平,已積累了6年的大規模量產經驗,能為客戶提供工藝先武漢新芯進、設計靈活的晶圓級集成代工方案。”
伴隨大數據、雲存儲、物聯網等新興產業發展,未來需求量將進一步增加,巨大需求支持本地存儲芯片產業崛起。芯片國產化進程已上升為國家重要的發展規劃,國內核心芯片尤其是存儲類芯片自給率較低,國家推動核心芯片國產替代勢在必行。
在政策以及技術的支持下,國產芯片龍頭將受益,A股市場相關上市公司中中科曙光(603019.SH)、紫光國微(002049.SZ)、北方華創(002371.SZ)以及長川科技(300604.SZ)等值得關注。