1968年，國防科委在四川永川縣，成立固體電路研究所（即永川半導體研究所，解放軍1424研究所，現中電集團24所）。這是中國唯一的模擬集成電路研究所。同年上海無線電十四廠首家製成PMOS（P型金屬－氧化物半導體）電路。拉開了中國發展MOS集成電路的序幕。1970年代永川半導體研究所、上無十四廠和北京878廠相繼研製成功NMOS電路。之後又研製成CMOS電路。至1990年底，上無十四廠累計產量為3340萬塊（後來合資成為上海貝嶺半導體）。
1972年美國總統尼克鬆訪華後，中國從歐美大量引進技術。由於集成電路產品利潤豐厚，全國有四十多家集成電路廠建成投產。包括四機部下屬的749廠（甘肅天水永紅器材廠）、871廠（甘肅天水天光集成電路廠）、878廠（北京東光電工廠）、4433廠（貴州都勻風光電工廠）和4435廠（湖南長沙韶光電工廠）等。各省市另外投資建設了大批電子企業。
1973年8月26日，中國第一台每秒運算100萬次的集成電路電子計算機-105機，由北京大學、北京有線電廠、燃料化學工業部，等單位協助研製成功。
1975年，北京大學物理係半導體研究小組，由王陽元等人，設計出我國第一批三種類型的（矽柵NMOS、矽柵PMOS、鋁柵NMOS）1K DRAM動態隨機存儲器，它比美國英特爾公司研製的C1103要晚五年，但是比韓國、台灣要早四五年。那時韓國、台灣根本就沒有電子工業科研基礎。
也就是說，如果延續毛澤東發展路線和勢頭，中國在電腦和集成電路產業應該在不長的時間內就能與美國齊頭並進，甚至趕超美國。
中國的電腦和芯片業是從80年代起被日韓台趕超的。
1973年，借著中美關係緩和及歐美石油危機的機會，中國希望從歐美國家，引進七條3英寸晶圓生產線，是當時世界最先進技術。這要比台灣早2年，比韓國早4年，那時候台灣與韓國還沒有電子工業科研基礎。1975年美國英特爾才開始建設世界第一座4英寸（100mm）晶圓廠。但是由於歐美技術封鎖，中國國內政治變故，最終拖了七年，中國才得以引進三條已經落後的3英寸晶圓生產線，分別投資在北京國營東光電工廠（878廠），航天部陝西驪山771研究所（西安微電子研究所），和貴州都勻風光電工廠（4433廠）。其中北京878廠的3寸晶圓生產線，直至1980年才建成，已經比台灣晚了3年，比韓國晚2年。
1975年，就在台灣剛剛向美國購買3英寸晶圓廠時，中國大陸已經完成了DRAM核心技術的研發工作。北京大學物理係半導體教研室（成立於1956年，現北大微電子研究院），由王陽元領導的課題組，完成矽柵P溝道、鋁柵N溝道和矽柵N溝道三種技術方案。在中科院北京109廠（現為中科院微電子研究所），采用矽柵N溝道技術，生產出中國第一塊1K DRAM。這一成果盡管比美國、日本晚了四五年，但是比韓國、台灣要早四五年。直至1980年前後，韓國、台灣才在美國技術轉移下，獲得了DRAM技術突破，瞬間反超中國大陸。韓國直接從16K起步，台灣從64K起步。
1978年10月，中國科學院成立半導體研究所，由王守武領導，研製4K DRAM，次年在中科院109廠投入批量生產（比美國晚六年）。1981年中科院半導體所又研製成功16K DRAM（比韓國晚兩年）。1982年，江蘇無錫江南無線電器材廠（742廠），耗資6600萬美元，從日本東芝引進3英寸晶圓生產線（5微米製程，月產能1萬片），生產電視機集成電路。1985年，該廠製造出中國第一塊64K DRAM（比韓國晚一年）。1993年，已經改組的無錫華晶電子公司（原無錫742廠），製造出中國第一塊256K DRAM（比韓國晚七年）。
