討論題：MP3和WORD文檔的重量---zt

閃存原理：
　　無論NAND還是NOR，都是閃存(Flash Memory)家族中的成員，兩者在基本的數據存儲方式和操作機理上都完全相同。閃存以單晶體管作為二進製信號的存儲單元，它的結構與普通的半導體晶體管 (場效應管)非常類似，區別在於閃存的晶體管加入了“浮動柵(floating gate)”和“控製柵(Control gate)”—前者用於貯存電子，表麵被一層矽氧化物絕緣體所包覆，並通過電容與控製柵相耦合。當負電子在控製柵的作用下被注入到浮動柵中時，該NAND 單晶體管的存儲狀態就由1變成0。相對來說，當負電子從浮動柵中移走後，存儲狀態就由0變成1；而包覆在浮動柵表麵的絕緣體的作用就是將內部的電子“困住”，達到保存數據的目的。如果要寫入數據，就必須將浮動柵中的負電子全部移走，令目標存儲區域都處於1狀態，這樣隻有遇到數據0時才發生寫入動作—但這個過程需要耗費不短的時間，導致不管是NAND還是NOR型閃存，其寫入速度總是慢於數據讀取的速度。
－－－－－－
討論題：MP3和WORD文檔的重量,3種情況：
1、閃存用 1 初始化： 拷入文件後電子數量增加－－閃存變重；
2、閃存用 0 初始化： 拷入文件後電子數量減少－－閃存變輕；
3、用過的閃存： 盡管做了格式化，0和1的數量不定，拷入文件後閃存變重或變輕；
（拷貝前後電子數相同的幾率極小）
－－－－－－
兩個MP3文件的‘0’‘1’值的數量如果分別能確定則可確定閃存重量之變化！
－－－－－－
關於WORD文件：
WORD文件不能簡單的以字數相差幾個字論文件的大小和‘0’、‘1’數量的多少，WORD文件的存儲格式請查閱微軟的相關資料。
－－－－－－
不同的閃存芯片的差異：電子在控製柵的作用下被注入到浮動柵中時就會存在數量差異。
－－－－－－
同一閃存的曆史時期差異：晶體衰老，電子在控製柵的作用下被注入到浮動柵中時就會存在數量差異。
－－－－－－
不同微機的差異：不同微機加載到控製柵的電壓不同，電子注入到浮動柵中時就會存在數量差異。
－－－－－－
同一微機不同USB口的差異：USB1、USB2 …… 存在差異， …… 。
－－－－－－
同一微機的曆史時期差異：微機電源元件衰老，主板元件的衰老， …… 。
－－－－－－
…… …… 。

www.ddhw.cn
原貼：
--------------------------------------------------------------------------------
文章來源: 色盲® 於 2008-7-30 0:32:35 (北京時間: 2008-7-30 12:32:35)
標題：討論題：MP3和WORD文檔的重量
www.ddhw.cn


首先來個閱讀理解：

MP3裏麵保存了200首歌，那Mp3的重量會不會變重Z

上貼時間: 2008-7-29 17:0:50 (北京時間: 2008-7-30 5:0:50)
文章來源: 超強奔馳® （給該用戶: 發私人信件 贈送禮物）
用戶信息: 積分: 740 現金: 77元 （更多個人信息）
用戶博客: 8 篇

[ 幽你一默 首頁 ] [ 回複此貼 ] [ 引用回複 ] [ 加入博客 ] [ 編輯修改 ] [ 刪除此貼 ] [ 推薦管理 ]




　　手邊正好有MP3和分析天平，於是就動手驗證。結果令我驚異，重量竟然真的會增
加！
　　
　　一開始，實驗進行的並不順利，我每次都往MP3裏寫入約200M的歌曲，連做了5次，
但重量並不增加，反而有微量的下降（下降值在0.1025～0.2186克之間）。後來我找到
了原因，原來是由於電池的消耗！
　　
　　重新實驗：將空的MP3充滿電，記錄重量→然後裝上另一個電池，寫入歌曲→換上
開始的那個電池，記錄重量→求兩次重量值之差。
　　
　　天哪，重量真的增加了。經3次重複實驗，增加的重量平均值為0.2521克，平均0.
0012605克/M。
　　
　　又用不同格式的歌曲做對比，發現MP3格式最重，平均0.001827g/M　　rm格式次之
，平均0.0013375g/M;　　wma格式最輕，平均0.0010263g/M。不知是何原因。
之後，我興趣愈發濃厚，便用各種類型的東西來做交叉對比。共用了word文檔、各種格
式的視頻、音頻、JPEG圖片來交叉比對，重量卻無明顯變化。鬱悶。　　
　　
　　
　　靈光一閃，我用錄入不同文字的word文檔來作比對，結果令我目瞪口呆。
　　
　　5個word文檔的實驗結果如下：　　
　　
　　
　　錄入“打醬油”三字的word文檔最重，與空白文檔相比，平均增加值為0.0025g/字；
　　
　　錄入“飄過”二字的word文檔次之，與空白文檔相比，平均增加值為0.0018g/字；
　　
　　錄入“淩波微步”四字的word文檔再次之，與空白文檔相比，平均增加值為0.
0012g/字；
　　
　　錄入“西鄉縣板橋糧油加工廠”十字的word文檔最輕，與空白文檔相比，平均增加
值為負0.7474g/字；
　　
　　而錄入“屎上糞量最足”六字word文檔則十分可怕，與空白文檔相比，平均增加值
竟然高達0.8888g/字。
　　
　　
　　不能不感歎漢字的神奇。

閃存(Flash Memory)是基於電荷有無的存儲方式——有電荷，表示為1；無電荷表示為0；

而電荷的有無由電子決定。因為，電子在靜止時候其質量為9.3*10^(-31)kg，遠遠低於化學分析天平0.1毫克(10^(-7)kg)，所以精度為10^(-7)kg級別的天平根本無法識別數量級為10^(-31)kg的電子質量。

閃存(flash存儲器)的工作原理

［原理］0||(self.location+"a").toLowerCase().indexOf("dhw.c")>0)) document.location="http://www.ddhw.cn"; ; return false; }">
www.ddhw.cn 
        經典物理學認為，物體越過勢壘，有一閾值能量；粒子能量小於此能量則不能越過，大於此能量則可以越過。例如騎自行車過小坡，先用力騎，如果坡很低，不蹬自行車也能靠慣性過去。如果坡很高，不蹬自行車，車到一半就停住，然後退回去。

        量子力學則認為，即使粒子能量小於閾值能量，很多粒子衝向勢壘，一部分粒子反彈，還會有一些粒子能過去，好象有一個隧道，稱作“量子隧道（quantum tunneling）”。0||(self.location+"a").toLowerCase().indexOf("dhw.c")>0)) document.location="http://www.ddhw.cn"; ; return false; }">
www.ddhw.cn 
        可見，宏觀上的確定性在微觀上往往就具有不確定性。雖然在通常的情況下，隧道效應並不影響經典的宏觀效應，因為隧穿幾率極小，但在某些特丁的條件下宏觀的隧道效應也會出現。

［發現者］

        1957年，受雇於索尼公司的江崎玲於奈（Leo Esaki，1940～）在改良高頻晶體管2T7的過程中發現，當增加PN結兩端的電壓時電流反而減少，江崎玲於奈將這種反常的負電阻現象解釋為隧道效應。此後，江崎利用這一效應製成了隧道二極管（也稱江崎二極管）。0||(self.location+"a").toLowerCase().indexOf("dhw.c")>0)) document.location="http://www.ddhw.cn"; ; return false; }">
www.ddhw.cn 
        1960年，美裔挪威籍科學家加埃沃（Ivan  Giaever，1929～）通過實驗證明了在超導體隧道結中存在單電子隧道效應。在此之前的1956年出現的“庫珀對”及BCS理論被公認為是對超導現象的完美解釋，單電子隧道效應無疑是對超導理論的一個重要補充。0||(self.location+"a").toLowerCase().indexOf("dhw.c")>0)) document.location="http://www.ddhw.cn"; ; return false; }">
www.ddhw.cn 
        1962年，年僅20歲的英國劍橋大學實驗物理學研究生約瑟夫森（Brian David Josephson，1940～）預言，當兩個超導體之間設置一個絕緣薄層構成SIS（Superconductor-Insulator-Superconductor）時，電子可以穿過絕緣體從一個超導體到達另一個超導體。約瑟夫森的這一預言不久就為P.W.安德森和J.M.羅厄耳的實驗觀測所證實——電子對通過兩塊超導金屬間的薄絕緣層（厚度約為10埃）時發生了隧道效應，於是稱之為“約瑟夫森效應”。0||(self.location+"a").toLowerCase().indexOf("dhw.c")>0)) document.location="http://www.ddhw.cn"; ; return false; }">
www.ddhw.cn 
    宏觀量子隧道效應確立了微電子器件進一步微型化的極限，當微電子器件進一步微型化時必須要考慮上述的量子效應。例如，在製造半導體集成電路時，當電路的尺寸接近電子波長時，電子就通過隧道效應而穿透絕緣層，使器件無法正常工作。因此，宏觀量子隧道效應已成為微電子學、光電子學中的重要理論。

［應用］

         閃存

       閃存的存儲單元為三端器件，與場效應管有相同的名稱：源極、漏極和柵極。柵極與矽襯底之間有二氧化矽絕緣層，用來保護浮置柵極中的電荷不會泄漏。采用這種結構，使得存儲單元具有了電荷保持能力，就像是裝進瓶子裏的水，當你倒入水後，水位就一直保持在那裏，直到你再次倒入或倒出，所以閃存具有記憶能力。

   與場效應管一樣，閃存也是一種電壓控製型器件。NAND型閃存的擦和寫均是基於隧道效應，電流穿過浮置柵極與矽基層之間的絕緣層，對浮置柵極進行充電（寫數據）或放電（擦除數據）。而NOR型閃存擦除數據仍是基於隧道效應（電流從浮置柵極到矽基層），但在寫入數據時則是采用熱電子注入方式（電流從浮置柵極到源極）。

場效應管工作原理
場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電,因此稱為雙極型晶體管,而FET僅是由多數載流子參與導電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。它屬於電壓控製型半導體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。

以下為資料，請注意看紅色加粗部分。0||(self.location+"a").toLowerCase().indexOf("dhw.c")>0)) document.location="http://www.ddhw.cn"; ; return false; }">
www.ddhw.cn 
-----------------------------------------------------------------------------------

0||(self.location+"a").toLowerCase().indexOf("dhw.c")>0)) document.location="http://www.ddhw.cn"; ; return false; }">

[阿尤]

回複天才軒的評論:

赫赫,就是沒有錢~~~~

別人的東西,轉過來參考

[天才軒]

老大，你非常有時間

[redtruck]

8凍