淡然若水
心微動，奈何情已遠，物也非，人也非，事事非，往日不可重。
正文
近日，國際光刻機巨頭ASML推出了全新光刻機產品-新型High NA (High Numerical Aperture高數值孔徑技術)光刻機。據悉，新型High NA光刻機采用了全新的光學設計，擁有更高的分辨率，可以有效縮小芯片約1.7倍左右，與此同時還能提高芯片的晶圓密度到2.9倍左右，縮小體積同時性能大幅提升，隨著High NA光刻機光學分辨率的提升，給未來芯片製造技術層麵的突破帶來更多的可能（可以輕鬆突破3nm製程工藝甚至更低）。據官方介紹，新型High NA光刻機的推出還可以極大的提高生產效率，縮短生產時間，降低芯片生產的廢品率及成本。
當前，英特爾、三星及台積電采用的是EUV（極紫外線）光刻機， 目前極限製程可以達到3nm，EUV光刻機的零件有10萬，需要40個集裝箱運輸，單機售價高達1.4億美元，想要達到量產一台可遠遠不夠。而這台新型High NA光刻機擁有更大的體積，更複雜的設計以及高達3億美元的售價。目前，有消息稱英特爾已經向ASML預定該設備期望能夠成為第一個拿到新型High NA光刻機。當然，相信三星和台積電也一定不會置之不理。
問你一個技術問題。既然芯片用光刻機生產。為什麼英特爾現在芯片技術落後於台積電。是因為英特爾不會很好使用光刻機嗎？
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你說的對！準確的說，是台積電學會使用了EUV，其他人（intel和三星）都用不好。