晉華簡介。它和聯電的關係說明問題主要在聯電身上

昨天估計問題主要在聯電身上。今天有時間查了一下果然如此。

 

wiki上晉華 簡介（wiki給的晉華的網站現在已經不能打開）

https://zh.wikipedia.org/wiki/%E6%99%8B%E5%8D%8E%E9%9B%86%E6%88%90%E7%94%B5%E8%B7%AF#cite_note-company-1

福建省晉華集成電路有限公司（簡稱晉華集成電路，JHICC）是福建省電子信息集團、晉江能源投資集團有限公司等共同出資設立的先進集成電路生產企業。

 

晉華現狀 （6/18）

https://www.laoyaoba.com/newinfo?id=674067

晉華集成電路與台灣聯華電子開展技術合作，專注於隨機存取存儲器（DRAM）領域。企業用地麵積約600畝，一期總投資370億元。工程建設方麵，采取EPC總承包模式，交叉推進設計、采購、施工各個環節；項目運作模式為邊建設、邊引才、邊研發。

 

集微網記者於5月26日參觀晉華集成電路公司，了解到當前廠房正進行內部裝修和機電安裝。

 

辦公樓

 

主廠房

 

按計劃，6月工程建設竣工，9月正式投產，預計投產後的一期項目可實現月產6萬片12英寸晶圓的產能。

 

晉華項目進展：

 

 

晉華項目宣傳片指出，晉華以三星海力士等行業巨頭為標杆，力爭通過自主研發實現對行業領先製造工藝的趕超。對比國內同類項目晉華項目建設進度優勢明顯，有望成為國內首家擁有自主技術的內存龍頭企業。

 

據悉，晉華集成電路在人才團隊方麵，采取海內外人才招聘與人才培訓相結合的方式。按計劃，2018年人才隊伍將達1200人，目前已招募人員800多人。

 

由於晉江集成電路產業基礎較薄弱，晉江市以晉華項目為龍頭，構建“三園一區”產業發展空間載體，打造設計、製造、封裝測試、裝備與材料、終端應用的集成電路全產業鏈生態圈，其目標是到2025年可形成1000億產業規模。據悉，台灣矽品、台灣芝奇、美國空氣化工等20多個產業鏈項目已落地晉江，總投資近600億元，產業鏈生態圈正逐步形成。

 

正在建設的台灣矽品位於晉華集成電路對麵，將以DRAM封測業務為主。

 

晉華和聯電的關係

http://www.eefocus.com/embedded/399729 

據台灣媒體報道，美光大動作在美對聯電及福建晉華可能竊取及使用營業秘密一事提出訴訟，聯電總經理簡山傑對此予以駁斥，強調聯電早年就生產過DRAM，本身擁有不少DRAM專利，事隔15年後決定自主研發DRAM技術，目的是為了替台灣半導體產業落實技術紮根。 以下是專訪紀要。

 

問：聯電重新投入DRAM技術研發原因為何？

答：聯電的本業是晶圓代工，順應市場趨勢並強化晶圓代工的服務，聯電研發DRAM的經驗有助於新世化內存的發展，包括MRAM（磁阻式隨機存取內存）等，等於可以搶先進入有潛力的新市場。 再者，聯電是借外部力量來研發DRAM技術，福建晉華支持研發費用，雙方共同投入研發設備及技術，可快速研發速度，不會擠壓聯電的獲利表現。

 

聯電要獨立自主研發DRAM技術，另一個重要意義是為台灣半導體產業落實技術紮根，這是當年聯電與世界先進完成自主研發DRAM技術後，相隔15年後再次有台灣企業投入難度最大的DRAM研發工作，意義格外重大。

 

問：美光對聯電提告的關鍵在於聯電多年未涉及DRAM研發及生產，聯電的技術來源為何？

答：聯電要自主研發DRAM技術。 聯電在晶圓代工市場多年，長期投入研發已有很好的技術實力，連最先進囗最複雜的14nm邏輯IC製程都自主研發成功並開始投產，而且許多DRAM技術與聯電既有的邏輯技術相通。（中國半導體論壇微信：csf211ic） 至於在DRAM特有技術部分，則透過公開的技術報告、逆向工程方式了解，再依據開發路線落實。 事實上，DRAM工作原理沒有改變，現今的DRAM隻是藉由更先進的製程技術，達到每位更低成本的目標，操作原理與15年前研發DRAM時相同。

 

問：聯電的DRAM事業的營運模式為何？

答：聯電目前與國外DRAM設計公司合作，以達成及加速DRAM技術研發。 不同於三大DRAM廠有自己的設計團隊，聯電本業是晶圓代工，所以與DRAM設計公司合作最符合聯電的營運模式，與經驗豐富的DRAM設計團隊合作，可以減少研發過程中的許多不確定性因素，加快問題解決的速度。 再者，聯電未來的DRAM技術研發成功後，會授權給晉華生產，但聯電並沒有投資晉華，未來也可爭取其它DRAM代工訂單。 聯電目前沒有自建DRAM產能計劃，不會與台灣現有DRAM廠商競爭。

 

問：聯電自行研發的DRAM技術與美光的DRAM技術並不相同？

答：聯電不了解美光製造DRAM的內容，因此無從說明兩者之差異，但根據第三方TechInsights於2013年發表文章，有分析美光、爾必達、三星、SK海力士在30奈米製程世代的DRAM，美光采用直行式主動區（Active Area，AA）設計，但聯電DRAM選擇交錯式AA設計，與美光的記憶胞架構明顯不同。 DRAM的記憶胞是技術上最核心之處，選擇不同的記憶胞架構，代表了不同的研發道路，證明聯電和美光的技術核心不相同。

 

事件回顧，12月初美光科技在美國加州提起民事訴訟，控告聯電及福建晉華侵害DRAM的營業秘密。

 

美光表示，該公司依據保護營業秘密法，與反勒索及受賄組織法的民事條款，控告聯電與福建晉華竊取其商業機密及其他不當行為；美光將積極保護其全球知識產權，以一切法律途徑，遏止任何不法濫用行為。

 

去年五月，聯電宣布與福建省晉華集成電路公司簽約合作。

 

看了這個台灣媒體的專訪，倍感紮心！聯電總經理主要表達的意思是：
1: 聯電沒有竊密。
2：聯電是借外部力量來研發DRAM技術，福建晉華支持研發費用，聯電不怎麽花錢！
3：聯電未來的DRAM技術研發成功後，會授權給晉華生產，研發成功後晉華也不掌握技術主導權！
4：DRAM技術研發成功後，目的是為了替台灣半導體產業落實技術紮根。
聯電總經理這麽講，福建晉華臉上真是大寫的尷尬！近一年建廠熱大起，各種合資廠紛紛開建，看似一片向好的半導體產業，如果都像福建晉華這般，在合作者眼裏隻是扮演如此尷尬的地位，錢你出，技術在我，目的是為了替台灣半導體產業落實技術紮根。這種模式下那中國自主半導體產業，一萬年也搞不出來。