手機要漲價了？存儲芯片飆漲超黃金白銀

“還沒有買手機的朋友要盡快買，明年價格大概率上漲。”

今年四季度以來，存儲行業迎來史詩級漲價浪潮。

10月23日，SK海力士官宣四季度DRAM、NAND合同價最高上調30%。11月9日，閃迪大幅上調NAND閃存合約價約50%，是本輪NAND漲幅最大的單次調價。集邦谘詢數據顯示，2025年第三季度DRAM價格較去年同期大幅上漲171.8%。社交媒體上不少網友感歎,“內存條漲得比黃金還快。”

截至12月4日21時，年內白銀、黃金漲幅分別超98%、59%，存儲芯片今年的漲幅已遠超貴金屬。

圖/21世紀經濟報道

上遊存儲芯片的持續上漲，進一步影響下遊消費電子產品。集邦谘詢資深研究副總經理吳雅婷告訴21世紀經濟報道記者，預計本輪存儲芯片價格持續上漲的周期比上一輪八個季度的周期更長，整體智能手機價格也會往上調。

本輪存儲芯片漲價，歸因是人工智能浪潮帶來的AI服務器旺盛需求，推動原廠將更多產能轉向AI係統所需的高端產品，包括HBM、DDR5，導致普通型存儲芯片LPDDR4產品供應不足。

吳雅婷表示，隨著原廠的逐步停產，到2026年，LPDDR4在總的LPDDR供應中占比降至26%，LPDDR5的供應占比將快速提升至73%。由於手機需求疊加AI需求，LPDDR5的供給也會持續緊張，預計明年都會麵臨供應緊缺和漲價問題，進一步促進智能終端的成本壓力上升。

 

消費電子漲價，深圳華強北“一天一個價”，業內：“很震驚”

在深圳華強北電子市場，現貨供應緊張，“一天一個價”自10月份以來已經成為普遍現象。商家與買方之間都夾雜著一種複雜情緒，既有對手上留有存貨的慶幸，也有對存貨價值劇烈波動的焦慮。

“短短一個多月的時間，存儲行業迎來的漲價浪潮，是我從業十幾年來第一次遇到，11月初的時候，閃迪再次宣布漲價50%，緊接著三星跟進部分產品，漲價超過60%，這麽短的時間這麽大的漲幅，是讓我很震驚的。”時創意董事長倪黃忠向記者表示。

倪黃忠認為，過去存儲漲價，基本都是手機容量倍增或原廠出現停電等異常情況導致減產漲價，但本輪漲價完全超出預期，主要在於AI的規模化應用帶來的結構性缺貨，本質上是存儲從AI的成本配件向戰略物資的角色轉型，當以存代算成了降本增效的核心路徑，徹底重構了整個存儲市場的邏輯。

今年以來，AI持續猛漲的需求，對內存帶寬和容量提出極高要求，一台AI服務器對DRAM的需求是普通服務器的8倍，對NAND的需求高達3倍，增加了對HBM和DDR5等高性能、高密度存儲產品的需求，從而帶動存儲原廠的結構性產能轉移。

上遊包括三星、SK 海力士、美光在內的三大存儲巨頭主動調整產能結構，削減部分利潤率偏低的傳統DRAM產能，如LPDDR4，將晶圓廠產能轉向生產HBM和DDR5等高附加值產品。

這種結構性產能轉移直接導致用於智能手機的LPDDR4等傳統DRAM供應持續緊張，其價格漲幅預期也隨之上調，行業普漲正快速向下遊傳導，對手機、PC等終端廠商構成巨大成本壓力，機構也下調對明年智能手機出貨量預期。

集邦谘詢數據顯示，2025年LPDDR4(X)在總的LPDDR供應當中的占比為39%，隨著三大原廠的逐步停產，預計2026年占比將會降低至26%。相比之下，LPDDR5(X)的供應占比將從2025年的60%快速提升到2026年的73%。

吳雅婷表示，明年LPDDR5在LPDDR的產出中將超過70%，但由於手機的需求會跟AI的需求互相競爭，LPDDR5的供給也將緊張，再加上LPDDR4的供給減少，預計2026年智能手機的成本壓力會上升許多。

集邦谘詢數據顯示，LPDRAM價格在2025年下半年整體上漲超50%，一些智能手機品牌已經調漲零售價格作為回應，這將衝擊智能手機和筆記本電腦的升級意願和換機計劃，預計將導致2026年出貨增速將分別同比下滑至-2%和-3%。

集邦谘詢資深研究副總經理郭祚榮向記者表示，今年下半年各大雲服務商加碼AI基礎設施投入，台積電正不斷滿足AI方麵的需求，使得內存、閃存產能吃緊，價格節節高漲，到2026年，智能手機和筆記本電腦的出貨將是負增長情況，這和AI服務器的高增長幾乎是兩個完全不同的世界。

 

明年仍供不應求

多家原廠停止報價

與明年智能手機與筆記本電腦出貨增速預估下調不同的是，通用服務器和AI服務器2026年對於DRAM和NAND Flash需求將保持高速增長，遠高於來自筆記本電腦和智能手機的需求。

集邦谘詢數據顯示，2026年，通用服務器對於DRAM需求將同比增長20%，對於NAND Flash的需求將同比增長19%；AI服務器對於DRAM需求方麵，預計2026年LPDDR需求同比增長15%，RDIMM同比增長21%，對於NAND Flash需求將繼續大漲超70%。

AI需求如此猛增，那麽2026年的存儲市場如何走向？集邦谘詢報告顯示，預計2026年DRAM市場的供應量將同比增長20%，營收規模將會達到3006億美元，同比大漲85%，平均單價約為1.63美元，同比上漲58%。NAND Flash市場則在2026年供應量同比增長21%，營收規模將會達到1105億美元，同比漲58%；平均單價約為0.1美元，同比上漲32%。

吳雅婷表示，存儲市場需求複蘇穩健，得益於AI應用為主要增長引擎，尤其是服務器市場驅動，今年四季度DRAM合約價格變化很快，現在多家原廠都停止報價，都不希望自己的漲價幅度低於別人，所以輪流暫停報價，每一次報價出來的金額都比上一次高，若排除HBM的部分，今年第四季度消費類DRAM的漲價幅度接近50%基本可以反映明年一季度的漲幅。

“從2026年的每個季度看，明年上半年的消費類DRAM漲幅會比較明顯，原廠輪流停止報價、漲價、競價的行為模式會持續發生，競價模式在明年仍是市場主流，持續推動價格往上走，明年各個類型的DRAM產品基本沒有價格下跌的可能。”吳雅婷表示。

價格的上漲，推動存儲芯片原廠增加資本支出擴產。集邦谘詢數據顯示，2025年，在AI和HBM的驅動下，三星、SK海力士、美光三大供應商積極推動製程轉換，資本支出同比增長超過80%，預計在2026年，DRAM資本支出將分別增長17%、25%、40%。

目前，三星的P4L DRAM廠房建設計劃於2025年完成，隨後於2026年啟動生產；SK海力士的M15X HBM晶圓廠計劃於2025年底開始大規模生產；美光的ID1新晶圓廠已於2024年動工，預計將在2027年啟動更廣泛生產。

然而，這些新建產能對2026年的供給十分有限。吳雅婷認為，存儲芯片原廠當前擴大資本支出新建產能，但在2026年能進行有效供給產出的量非常少，即便資本支出上升和加速新廠房建設，對產能增長的效果在2027年底前都非常有限。

“在這樣的市場行情下，財大氣粗的雲端CSP廠商愈演愈烈的趨勢將更明顯，中小型終端廠商會麵臨更大的壓力，需要采取更彈性的做法，比如從現貨市場或者尋找其他資源和渠道進行存儲收貨。”吳雅婷表示。

倪黃忠表示，存儲在芯片行業在未來的很長一段時間裏仍是緊缺，對存儲模組廠來說是機遇也是挑戰，隨著價格的持續猛漲，終端消費者可能會買不到自己想要的產品，行業要回歸到一個正常的供需關係，這就需要終端廠商把存儲當作AI行業中的戰略物資，做好長期規劃。