韓國icon媒體ChosunBiz從市場調研機構Omdia獲取的數據顯示，長江存儲（YMTC）的NAND閃存年產量預計將從去年的121萬片晶圓增至今年的151萬片。這不僅創下該公司曆史最高產能，更超越了第四大NAND供應商美光約130萬片的年產量。在實現高堆疊層數3D NAND（200層以上）的良率突破後，YMTC有望進一步擴大其在中國本土市場的份額。
與之形成鮮明對比的是，三星電子icon和SK海力士為應對產品均價（ASP）下跌，正延續去年的減產策略。Omdia數據顯示，全球頭號NAND供應商三星電子今年產量預計從去年的507萬片縮減至475萬片，降幅約6%；SK海力士產量則從210萬片降至198萬片，下滑約5%。行業第二的鎧俠（含西部數據icon）也加入減產行列，唯有YMTC逆勢大幅增產。
熟悉中國市場的半導體業界人士透露："中國政府正通過補貼或政策激勵，推動采用國產存儲芯片icon的企業提高半導體自給率。"他補充道："正如長鑫存儲icon（CXMT）在DRAM領域擴大份額一樣，YMTC有望強化其在國內市場的主導地位。"
業界逐漸認識到中國NAND技術在性能和良率方麵取得重大突破。據TechInsights披露，YMTC已開始量產第五代3D NAND——采用270層堆疊架構的1Tb三階存儲單元（TLC）產品，該機構通過對YMTC子公司致鈦消費級SSD的拆解分析確認了這一進展。
YMTC在高堆疊層數NAND領域也在加速布局。在NAND技術中，堆疊層數越高通常意味著更強性能（如同摩天大樓增加樓層可容納更多住戶），目前量產最高層數為SK海力士的321層，三星電子286層次之，YMTC的270層緊隨其後。TechInsights特別指出，YMTC芯片密度達到20.47Gb/?，展現出顯著的技術進步。
尤為引人注目的是，YMTC在混合鍵合這一高難度工藝領域取得重大突破。該技術通過晶圓級接合提升係統/存儲半導體性能，被視為下一代關鍵技術。憑借混合鍵合領域的進展，YMTC正對三星icon和SK海力士發起強力追擊。
當前NAND市場已進入供應過剩階段。集邦谘詢icon（TrendForce）指出，供過於求與價格持續下跌正嚴重侵蝕廠商利潤，並將今年NAND需求年增長率預期從30%大幅下調至10-15%。
