中國存儲芯片技術震驚韓國業界，長江存儲、長鑫存儲新品 NAND 逼近三星海力士

NAND 閃存芯片icon和公寓樓的共同點是什麽 ？答案是層數競爭白熱化。  

 

 

 

2013 年，三星電子icon在世界上首次推出 24 層 NAND，點燃了"堆疊"層數競爭。為了克服微細工程的局限性而采用的分層技術能夠確保在同一麵積上獲得更多的數據存儲空間。目前三星電子量產的最高層 NAND 為 286 層。  

 

 

 

但最近中國的長江存儲（YMTC）推出了 270 級 NAND 新產品的消息傳開後，半導體行業icon出現了騷動。有評價認為"中國在芯片領域的追擊已兵臨城下"。 

 

 

 

本月 10 日，全球半導體分析企業 TechInsights 評價稱，中國長江存儲和長鑫存儲（CXMT）掌握了與三星電子、SK 海力士類似的 NAND 堆疊技術。這是 TechInsights 以"逆向工程"（通過產品分解等進行技術分析）的方式對中國企業的最新存儲芯片進行分析的結果。   

 

 

 

長江存儲的子公司"致態"生產了采用第五代 3D NAND 的消費級固態硬盤icon（SSD），采用 1TB 三電平電池（TLC）。雖然為 270 段，低於目前最高層量產產品 321 段（SK 海力士），但 NAND 采用了連接兩個半導體的混合膠接方式，這是內存排名前三的公司不太嚐試的方式。TechInsights 分析稱，"長江存儲掌握了通過混合膠接克服美國icon出口製裁的方法"。有評價認為，在 NAND 製造中，蝕刻設備等很重要，但目前很難購買美國 Ram Research 等生產的設備的長江存儲找到了迂回路線。 

 

 

 

CXMT 利用 16 納米（納米 ·1 納米 = 10 億分之一米）工藝量產了 DDR5 16Gb DRAM。三星電子和 SK 海力士目前主要主導 12 · 14 nm DDR5 市場，TechInsights 評價道，"CXMT 的 16nm DDR5 新產品的性能比 SK 海力士的 12nm 產品要好"。

 

 

 

專家們對中國的這種技術追擊做出評價認為"不考慮經濟性的盲目挑戰"、 "一鼓作氣地追趕技術時差的追趕速度""“在製裁中另辟蹊徑的創意性"等是三大核心競爭力。首爾大學icon名譽教授金亨俊icon（新一代智能半導體事業團團長）表示，"如果將用於高帶寬存儲器（HBM）4 的混合膠接技術應用到 NAND 上，經濟性將大幅下降，但中國企業不管花多少錢，都會先製造，再追趕"。據 Gartnericon 統計，去年全球半導體企業中銷售額增長率排名第一的是長江存儲（145.2%）。另外，長江存儲正在展開速度戰，從 128 級躍升至 270 級 NAND 的時間（3 年零 5 個月）比三星電子量產 128 級至 286 級所需的時間（4 年零 7 個月）短。  

 

 

 

值得一提的是，首爾大學客座教授黃哲盛就 CXMT的DRAM 性能評價道，"中國的 16nm 性能比韓國的 12nm 要好，這可能是因為使用了像混合膠一樣完全意想不到的方式"，"如果這不是在說謊，就是像謊言一樣驚人的壯舉"。  

 

 

 

最近，由於中國的低價空襲，存儲器市場仿佛似"懦夫博弈"。上月 DRAM 價格（以 DDR4 8Gb 為準）為 1.35 美元，比兩年前下降了 60%，同期通用 NAND 價格也下降了 47%。韓國半導體業界的戰略是以尖端工程為中心，擴大技術差距。 SK 海力士在今年第四季度的業績電話會議上表示，"（與中國產品）質量和性能存在明顯差異。將保持技術差距"。三星電子也在電話會議上表示，"將致力於高端（尖端高級）市場"。