美股存儲霸主美光迎來大考：華爾街真正關注什麽？

美股存儲霸主美光迎來大考：華爾街真正關注什麽？ 美國存儲霸主、全球第三大DRAM、第四大NAND廠商  $Micron Technology (MU.US)$ 將在美東3月18日盤後公布FY26Q2財報。市場聚焦本次美光財報，能否為受地緣政治衝擊而承壓的科技板塊提供情緒拐點。
FY26Q2核心財務指標一致預期：
– 營收市場一致預期191.4億美元，同比增長138%，環比增長40%，公司指引是187億美元。
– GAAP毛利率市場一致預期67.9%，同比提升31.1個百分點，環比提升11.9個百分點，公司指引是67%，NonGAAP毛利率市場一致預期是68.4%，同比提升30.5個百分點，環比提升11.6個百分點，公司指引是68%。
– GAAP淨利潤市場一致預期是98.2億美元，同比增長520%，環比增長87%，公司指引是93.4億美元。Non-GAAP淨利潤市場一致預期是97.9億美元，同比增長449%，環比增長79%，公司指引是96.8億美元。
本次財報核心三大看點：
1. 管理層如何回應市場關於美光HBM4份額不及預期的傳言？
上季度美光管理層稱其HBM4產品預計本季度就開始ramp，整個2026年HBM產能已經售罄。管理層預計2025年HBM TAM超350億美元，到2028年增長至1000億美元（CAGR 40%+），提前2年實現1000億美元裏程碑，2028年HBM TAM將超過2024年整個DRAM TAM。
但韓媒頻繁報道  $NVIDIA (NVDA.US)$ HBM4主要訂單在SK海力士和三星手中，聲稱美光HBM4因規格不達標而延期，將會丟失市場份額。不過管理層隨後回應稱HBM4預計今年一季度已開始量產，較上次財報給的時間表提前一個季度。關注本次財報管理層對市場傳言的回應。
2. 非數據中心產品漲價可持續性如何？
這輪周期最大的不同是HBM吃掉先進DRAM產能，導致傳統DRAM供給被動收縮，價格更容易上行。NAND市場也是由於存儲大廠更願意去擴產DRAM而不是NAND，導致NAND供給也出現被動收縮。
這一輪存儲超級漲價周期最大受益者反而是此前需求疲軟的非數據中心業務。上季度以數據中心為主的CMBU業務經營利潤率55%，同比提升15個百分點，但以手機為主的MCBU業務經營利潤率達47%，同比提升32個百分點，以工業為主的AEBU業務經營利潤率達36%，同比提升29個百分點，增幅都遠超數據中心業務。
市場最關心的還是這些完全靠漲價的非數據中心業務需求持續性的問題。上季度財報管理層預計DRAM、NAND持續供不應求持續到2026年之後，產能主要受限於cleanroom。看本次財報管理層對2027年供需展望如何。
3. 非HBM產品拉動整體毛利率創新高，後續關注毛利率趨勢指引
在本輪漲價周期之前，美光的毛利率主要依靠毛利率60%+的HBM業務增長拉動，上季度毛利率抬升至56%。回顧美光FY2018超級漲價周期，在沒有HBM業務的情況下，單純靠漲價即可拉動傳統DRAM和NAND產品支撐公司整體毛利率創曆史新高。關注本次財報管理層對後續毛利率指引如何。
小結
總的來說，地緣衝突導致此前一直強勢的存儲上漲行情開始熄火，市場期待美光本次財報能夠將注意力回歸至基本麵。回到美光財報本身，本季度數字已經不再重要，市場更關注其後續業績的可持續性，這需要管理層給出更長期的展望。