從上世紀80年代開始，中國意識到科學技術的重要性，投入越來越多的經費，其中包括出錢派科研人員到美國學習進修，遺憾的是六四造成大部分人留在美國，沒能回歸加入國家發展的大潮中。我是95年才來美國的，在國內做半導體研究的都知道清華微電子所和北大微電子專業，前者光刻技術在國內算是數一數二的，但與那時的明大電機係超淨實驗室的設備和技術一比就發現差距了。20年過去，中國的半導體工業突飛猛進，我已經都掉隊了，隻能回憶一些早年參加過的一些研究項目，未公開發表的當然不能說，以下內容都是出版在國內國際期刊雜誌上的。
80年代中國在基礎研究領域花了不少錢，雖然在培養科研人才方麵有幫助，但是對科研成果轉化為經濟效益考慮不夠。我那時所做的主要是半導體局域電子狀態理論計算，發表的文章不少，但是讀者寥寥（網上可以查出被引用次數，20多年也就是我一篇博客的一天瀏覽量）。眾所周知，一塊完美無瑕的半導體晶體是沒有任何實用價值的，真正應用在電子產品上的矽片都是故意摻雜或有缺陷的。我的理論計算假設電子所在缺陷的模型，計算結果給出電子能級和波函數。
我也做過實驗方麵的研究，主要是用高能電子輻照半導體器件樣品，觀測缺陷造成的局域電子能級的產生和消失，據說當時那個研究項目對將來衛星電子係統抗輻照能力是有幫助的，所以也算是沒有白費金錢和精力做那麽多基礎研究。除了做矽的研究，也接觸到三五族半導體，矽的光電性能和載流子速度不如砷化镓，去法國後所做的研究也是以化合物半導體為主。因為有矽單晶研究的理論和實驗基礎，我的留學生涯相對輕鬆，課題進展順利，用實驗手段測量到了高能電子輻照造成的砷化镓中的缺陷。
在北大做過的課題印象較深的還有鎳矽界麵肖特基勢壘高度變化的因素（確實與半導體工業技術有關）、發光多孔矽、納米材料碳60等當時熱門的課題。發表的文章很多，現在回頭看都是應時之作，對後來的納米科技沒有什麽貢獻，也許有些科普作用。當年科研的目的也包括訓練研究生的科研能力，他們的畢業論文都是在那些課題的研究成果基礎上完成的。
可是畢業的這些學生後來又對國家的經濟建設起了多大的作用呢。我教過的學生很多現在仍在美國。選修過我教的半導體物理課程的學生來美國後很多依然做半導體研究，而我自己早已離開這一領域，光纖通訊大熱的時候就轉行了。現在和我在同一家公司工作的兩位同事當年沒有選我的課，雖然也稱我為老師。
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