超級工程一覽：DRAM芯片戰爭
——1970-2017輸贏千億美元的生死搏殺【1】
這張照片展示了一堆古董內存。從上到下是：采用三星顆粒的兩根32M 72針DRAM內存，韓國生產。中間是新加坡NCP的256M PC133 SDRAM內存。最下麵是采用英飛淩顆粒的64M PC133 SDRAM內存，葡萄牙生產。其中NCP是新加坡赫克鬆（Hexon）集團的內存品牌。赫克鬆成立於1989年，是德國英飛淩和日本爾必達的亞太區總代理，因此采購兩家的DRAM顆粒，到新加坡組裝成內存條，然後銷售到中國大陸，靠價格低廉取勝。不過時至今日，德國英飛淩（奇夢達）和日本爾必達，都已經破產倒閉。隻剩下了韓國三星獨霸江湖。
DRAM是動態隨機存儲器的意思，也就是電腦內存。對於今天的消費者來說，電腦內存隻是些綠色的小條條，售價不過幾百元。然而這些小玩意，卻走過了長達120年的複雜演進曆史。從百年前的穿孔紙卡、磁鼓、磁芯到半導體晶體管DRAM內存。人們已經很難想象，一個電冰箱大小的計算機存儲器，隻能存儲幾K數據，售價卻高達幾萬美元。在中國市場，1994年的時候，一根4M內存售價1400元，相當於兩個月工資。1999年台灣921大地震，在北京中關村，一根64M SDRAM內存條，價格可以在幾天內，從500元暴漲到1600元。
自1970年，美國英特爾的半導體晶體管DRAM內存上市以來，已經過去47年。DRAM內存芯片市場，累計創造了超過1萬億美元產值（$1000,000,000,000美元）。企業間摻雜著你死我活的生死搏殺。美國、日本、德國、韓國、中國台灣的選手，懷揣巨額籌碼，高高興興地走進來，卻在輸光光之後黯然離場。無數名震世界的產業巨頭轟然倒地。就連開創DRAM產業的三大元老——英特爾、德州儀器和IBM，也分別在1986年、1998年和1999年，淒慘地退出了DRAM市場。目前，隻有韓國三星和海力士，占據絕對壟斷地位，在DRAM市場呼風喚雨，賺得盆滿缽滿。
從美國到韓國，這個巨大的轉變，背後隱藏著半個世紀以來，那些不為人知的經濟戰爭，足以載入經濟學教科書。把歐美和中國，那些冒牌經濟學家，極力鼓吹的“自由市場經濟”論調，徹底掃進垃圾堆。
——這是一場真正的經濟戰爭，國與國之間的生死較量，慘烈程度遠超液晶戰爭。
1949年，美國哈佛大學實驗室的王安博士，發明磁芯存儲器。這種古老的存儲器一直使用到1970年代。直至被英特爾批量生產的DRAM內存淘汰。
內存百年——一不怕死的都衝進來
在敘述這場經濟戰爭前，我們先從總體上，了解一下DRAM內存產業的脈絡和現狀。
電腦存儲器的發明者，幾乎都來自計算機巨頭——美國IBM公司。IBM的曆史最早可追溯到1890年代。美國統計學家霍列瑞斯（Hollerith Machin）研製了穿孔製表機，采用在卡紙上打孔的方式，記錄統計數據。1890年，美國進行第12次人口普查時，便大量采用這種機器。直到1930年代，IBM每年仍要銷售上千萬張穿孔紙卡。
1932年，IBM公司的奧地利裔工程師古斯塔夫·陶斯切克（Gustav Tauschek），發明了第一種被廣泛使用的計算機存儲器，稱為“磁鼓存儲器”。直到1950年代，磁鼓依然是大型計算機的主要存儲方式。1956年，IBM公司購買了中國人王安博士（上海人），擁有的“磁芯存儲器”專利。磁芯存儲一直使用至1970年代。1966年，IBM公司的研究人員，羅伯特·登納德博士，發明了半導體晶體管DRAM內存，並在1968年獲得專利。
然後，1970年美國英特爾，依靠批量生產DRAM大獲成功，逼死了磁芯存儲器。1976年日本廠商進攻DRAM市場後，差點將英特爾逼死。1985年美國發動經濟戰爭，扶植韓國廠商進攻DRAM產業，又將日本廠商逼死。1997年美國發動亞洲金融風暴，差點將韓國廠商逼死。美國控製韓國經濟後，韓國廠商又借著DRAM市場的暴利翻身崛起。此時不怕死的台灣人衝進DRAM市場，投入500億美元卻虧得血本無歸。2007年全球經濟危機，逼死了德國廠商，並將台灣DRAM廠商打翻在地，狠踩兩腳。2017年，不怕死的中國大陸廠商衝了進來，準備投資660億美元，進攻DRAM市場。
有人說，中國人瘋了。
我說沒瘋，因為中國——做為世界第一大電子產品製造國，居然90%以上的內存靠進口，剩下那部分，居然連國產的產量，都控製在韓國企業手裏。
2015年，韓國三星電子投資136億美元（15.6萬億韓元），在韓國京畿道平澤市，建設12寸晶圓DRAM廠（Fab18）。該項目占地2.89平方公裏，總產能預計將達到每月45萬片晶圓，其中3D NAND閃存芯片將占據一半以上。主要生產第四代64層堆疊3D NAND閃存芯片。2017年7月4日三星宣布該廠投產。
行業高度壟斷——韓國三星獨占鼇頭
我們來看看市場情況，就知道中國為什麽非要進攻DRAM市場了。半導體存儲器主要應用於台式電腦、筆記本電腦、手機、平板電腦、固態硬盤、閃存等領域，包括DRAM、NAND Flash和NOR Flash三大類。2015年全球半導體存儲器銷售總額達772億美元。在全球3352億美元的集成電路產業中，占據23%的份額，是極為重要的產業核心部件。
其中DRAM內存主要用於台式電腦、筆記本電腦，全球市場規模約420億美元，目前被韓國三星、海力士和美國鎂光三家壟斷，占據90%以上的份額。從1992年以來，韓國三星在DRAM市場已經連續25年蟬聯世界第一，占據絕對壟斷地位，市占率超過60%。似乎無人可以撼動它的地位。
NAND Flash閃存主要用於手機存儲、平板電腦、SSD固態硬盤、大容量閃存，全球市場規模約300億美元，壟斷形勢更加嚴重。韓國三星、海力士、美國鎂光、英特爾、閃迪、日本東芝六家廠商，壟斷了全球99%的產量。其中僅三星、海力士、東芝三家，就占了80%以上的份額。NOR Flash閃存屬於小眾產品，主要用於16M以下的小容量閃存，全球市場規模隻有30億美元，由美國鎂光、韓國三星、台灣旺宏、華邦、中國大陸的易兆創新等7家企業瓜分。
行業高度壟斷造成的結果，是前三大廠商可以輕易操縱產量和價格，用低價來擠垮競爭對手，或用漲價來謀取暴利。2016年由於全球內存芯片缺貨，三星電子營業收入達到809億美元，利潤高達270億美元。韓國海力士收入142億美元，美國鎂光收入128億美元。
而中國廠商深受其害。中國是世界最大的電子產品製造國。2016年，光是中國就是生產了3.314億台電腦，21億台手機（其中智能手機占15億台），1.78億台平板電腦。與之相對應，2016年，中國進口DRAM產品超過130億美元。中國需要的存儲器芯片9成以上需要進口。國內DRAM產能也掌握在韓國海力士等外資廠商手中。
2015年起，美國鎂光（Micron），在新加坡Woodlands投資40億美元，擴建Fab 10X晶圓廠，主要生產第二代32層堆疊3D NAND閃存。2017年建成後，月產能14萬片晶圓，采用16納米工藝。
有錢都買不到——那就自己造吧
在外資廠商故意操縱下，華為、中興、小米、聯想等中國手機、PC廠商，經常遇到DRAM缺貨情況。而在中國國內，僅有中芯國際具備少量DRAM產能，根本無法實現進口替代。更嚴重的事例還有：2016年3月，美國政府下令製裁中國中興通訊，禁止美國廠商給中興提供元器件。這種情況簡直讓人不寒而栗。2017年4月，華為手機爆出閃存門事件。事情的根源，實際就是華為手機用的NAND Flash內存嚴重缺貨。
怎麽辦呢？有錢可以買吧？2015年7月，中國紫光集團向全球第三大DRAM廠商，美國鎂光科技，提出230億美元的收購要約。結果被鎂光拒絕了，理由是擔心美國政府，會以信息安全方麵的考慮，阻撓這項交易。
那就自己造吧。於是從2016年起，中國掀起了一場DRAM產業投資風暴。紫光集團宣布投資240億美元，在武漢建設國家存儲器基地（武漢新芯二期12英寸晶圓DRAM廠），占地超過1平方公裏，2018年一期建成月產能20萬片，預計到2020年建成月產能30萬片，年產值超過100億美元。計劃2030年建成月產能100萬片。福建晉華集團與台灣聯華電子合作，一期投資370億元，在晉江建設12英寸晶圓DRAM廠，2018年建成月產能6萬片，年產值12億美元。規劃到2025年四期建成月產能24萬片。合肥長鑫投資494億（72億美元），2018年建成月產能12.5萬片。
2017年1月，紫光集團宣布投資300億美元(約2000億人民幣)，在江蘇南京投資建設半導體存儲基地，一期投資100億美元，建成月產能10萬片，主要生產3D NAND FLASH（閃存）、DRAM存儲芯片。
上述四個項目總投資超過660億美元（4450億元人民幣）。確實有點瘋狂。
但是隻要認真研究過去半個世紀，世界DRAM產業的發展曆史，就會讓人看清一件事情
——拿錢砸死對手，少砸一點就會死！不相信的都死了！
2016年6月，美國IBM實驗室的研究人員Janusz Nowak，向記者展示新型的磁性儲藏器（STT-MRAM）12寸晶圓。磁性內存既有DRAM和SRAM的高性能，又有閃存的低功耗和低成本，被認為具有競爭下一代內存的潛力，但是還存在很多問題。
2017年6月，韓國三星電子宣布，開始在平澤工廠（Fab18），批量生產64層堆疊的256Gb第四代TLC V-NAND內存產品。三星目前V-NAND占整體NAND Flash產能的70%以上，擁有500多項專利。
超級工程一覽：DRAM芯片戰爭
——1970-2017輸贏千億美元的生死搏殺【2】
1931年，美國IBM公司生產的KeyPunch 031型打孔卡數據記錄裝置。打孔卡（霍列瑞斯式卡）利用卡紙上打孔來記錄信息。1928年，IBM推出新版打孔卡，這種卡采用長方孔，共有80列。1932年IBM發明了磁鼓存儲。但是直到1950年代，打孔卡機銷量巨大，依然占據IBM公司淨利潤的30%。1952年IBM推出磁帶式數據存儲器，後來發展出磁盤式機械硬盤。1956年IBM購買王安的磁芯存儲器專利，1966年開發出晶體管DRAM內存技術。照片拍攝自IBM博物館。
美國電子產業孵化期——美國軍隊重資下注
現代計算機械的起源，最早可追溯至1830年代，英國人巴貝奇研製的機械式數據分析機。該機采用在硬紙卡片上打孔的方式輸入數據，相當於隻讀存儲器，容量隻有可憐的675個字節（1K=1024字節），也就是記錄差不多六百多個字母的數據符號。穿孔卡片在19世紀後期用於政府人口統計等領域。美國IBM公司最早就是靠生產打孔卡數據機起家。到1930年代，IBM公司希望用新技術來取代打孔卡，便投資研製磁性數據記錄裝置。
1932年，美國IBM公司的奧地利裔工程師古斯塔夫·陶斯切克（Gustav Tauschek），發明了第一種被廣泛使用的計算機存儲器，稱為“磁鼓存儲器”，采用電磁感應原理進行數據記錄。磁鼓非常笨重，像個兩三米長的巨型滾筒，內部安裝磁性介質的高速旋轉圓筒（每分鍾1萬轉），和一排固定讀/寫磁頭，用來讀取、寫出數據。雖然塊頭挺大，但磁鼓的存儲容量也隻有幾K而已，售價卻極其昂貴。
到第二次世界大戰期間，美國陸軍為了提高火炮彈道計算速度，出資研製電子計算機。1946年2月，世界第一台大型電子計算機ENIAC，在賓夕法尼亞大學誕生。這台重達30噸的計算機，最初采用埃克特（J.P.Eckert）設計的水銀延遲線存儲器，容量約17K。但是該機並不具備存儲程序的能力，程序要通過外接電路板輸入。對於每種類型的題目，都要設計相應的外接插板，要改變程序必須切換相應的電路板，因此操作起來非常麻煩。直到1954年在該機加裝了磁鼓存儲器。
美國早期電子工業發展，主要依靠軍事工業項目投資。而且為了爭奪軍費預算，三大軍種相互攀比。1947年，剛剛成立的美國空軍，便花費巨資，以每年100萬美元的巨額預算（ENIAC的總經費才10萬美元），資助麻省理工學院林肯實驗室，研製旋風（Whirlwind）計算機，用於飛行模擬器訓練。由於處理飛機穩定性需要運算2000條以上指令，而傳統的串行計算機，隻能對指令逐一執行，速度很慢。麻省研究人員因此改用並行運算結構。1951年4月問世的旋風計算機，也因此成為世界第一台具備程序存儲功能的並行計算機。旋風采用新發明的陰極射線管磁芯存儲器作為內存，速度提高2倍。
1949年，麻省理工學院主持研製旋風計算機的福裏斯特教授（Jay Forrester），提出磁芯存儲器設想。但是，磁芯存儲器的專利擁有者，卻是個中國人。當時，在哈佛大學計算機實驗室，工作的王安博士（上海人，公派留學生），研製出了磁芯存儲器，並於1949年10月申請專利。1951年，王安離開哈佛大學，以僅有的600美元，創辦了名為王安實驗室的電腦公司，開始出售磁芯存儲器，單價4美元一個。王安的生意並不好，但嗅覺敏銳的IBM公司聞風而來，邀請他擔任技術顧問，並購買磁芯器件。到1956年，王安將磁芯存儲器的專利權，以50萬美元賣給IBM公司。王安電腦公司由此擴張為美國電腦巨頭之一，直至1992年破產。
磁芯存儲器是繼磁鼓之後，現代計算機存儲器發展的第二個裏程碑。直至1970年代初，世界90%以上的電腦，還在采用磁芯存儲器，其後被英特爾批量生產的半導體晶體管DRAM內存取代。DRAM內存能夠問世，主要是基於半導體晶體管和集成電路技術。
1959年2月，美國德州儀器（TI）工程師傑克·基爾比（Jack Kilby），製成世界第一塊集成電路。在資本力量推動下，集成電路產業迅速改變了人們的生活方式，並形成了以萬億美元計算的龐大產業鏈體係。
晶體管集成電路——仙童與德州儀器的戰爭
1947年12月，美國新澤西州貝爾實驗室，研製出世界第一個鍺晶體管。到1955年，高純矽的工業提煉技術已成熟，可以用來替代昂貴的鍺材料。1956年，為了實現晶體管商用化，威廉·肖克利博士（生於英國）離開貝爾實驗室，回到家鄉——加州聖克拉拉，創建半導體實驗室。恐怕連他自己也想不到，半個世紀後，他那個兒時的家鄉，會成為名震世界的“加州矽穀”，並從他的實驗室裏，走出了仙童、英特爾、AMD、國家半導體（NS），等一大批美國電子巨頭，燒起了矽穀戰火。而在當時，矽穀隻有一家名叫惠普的小公司。
1956年，肖克利因參與發明晶體管，獲得了諾貝爾物理學獎。然而到了1957年，因為難以忍受肖克利的粗暴脾氣，諾伊斯、摩爾等八名技術精英，離開了肖克利實驗室；在仙童照相器材公司老板的投資下，獲得3600美元創業基金，租了一間小屋，創建了仙童半導體（Fairchild）公司。仙童創業初期主要研製台麵型雙擴散晶體管，用矽來取代成本昂貴的鍺材料。1958年1月，IBM公司給仙童下了第一張訂單，以150美元訂購100個新研製的矽晶體管。憑借矽晶體管的成本性能優勢，到1958年底，仙童公司已經擁有50萬美元銷售額和100名員工。
IBM向仙童訂購矽晶體管，主要是由於北美人航空公司中標的XB-70戰略轟炸機，IBM為導航計算機采購高壓矽晶體管。IBM希望與仙童簽訂1-3年的長期軍事供貨合同。除此之外，仙童的矽晶體管，還可用於民兵（Minuteman）洲際彈道導彈的導航控製計算機。巨額軍工訂單，是美國電子巨頭發展的重要資金來源。
1959年2月，美國老牌電子巨頭德州儀器（TI），開發出集成電路。工程師傑克·基爾比（Jack Kilby），為了解決將大量孤立的電子器件，整合成電路的困難，於是構思出集成電路。他在一塊半個回形針大小的，銀色半導體鍺襯底上，用幾根零亂的黃金膜導線，將1隻晶體管、4隻電阻、3隻電容等分立元件焊接在一起，製成世界上第一片集成電路。但是，這種焊接方法難以投入工業批量生產。仙童公司聞訊後，創始人諾依斯提出：可以用蒸發沉積金屬的方法，取代焊接導線，用於批量製造集成電路。1959年7月仙童申請了集成電路專利。而為了爭奪集成電路發明權，德州儀器與仙童開始了曠日持久的爭執。雙方在集成電路產品上，也是競爭對手。（2000年基爾比拿到了諾貝爾物理學獎）
1960年，美國仙童公司半導體工廠的擴散區。
平麵製造工藝——現代電子工業的核心工藝
現代芯片製造，主要采用光刻法和蝕刻法工藝。光刻法最早的構想，源自印刷行業的照相曝光製版工藝，美國貝爾實驗室在1954年開始采用光刻法工藝。1970年代後，光刻法發展為重複步進曝光，電子束掩模等新工藝，製造精度大為提高。仙童公司在光刻法應用初期，進行了大量技術改進。
1958年仙童向IBM供貨後，便出現了問題。民兵洲際導彈發射時，巨大的震動會導致一些金屬粉塵顆粒脫離，可能會使矽晶體管暴露的接頭處出現短路。仙童公司需要對此改進工藝。1959年1月，仙童公司為了向IBM穩定供貨，對矽晶體管工藝進行攻關。主要成員包括羅伯特·諾伊斯博士、傑·拉斯特博士，吉恩·赫爾尼博士、戈登·摩爾博士。其中，拉斯特和諾伊斯主要開發使用16毫米電影鏡頭的光刻掩模技術，對掩模板、光致抗蝕劑（光刻膠）進行改進。他們首先把具有半導體性質的雜質，擴散到高純度矽片上，然後在掩模板上繪好晶體管結構，用照相製版的方法縮小，將晶體管結構顯影在矽片表麵氧化層，再用光刻法去掉不需要的部分。擴散、掩模、照相、光刻，顯影，整個過程叫做平麵處理技術。
1959年1月23日，諾伊斯在日記中提出一個技術設想：既然能用光刻法製造單個晶體管，那為什麽不能用光刻法來批量製造晶體管呢？他們首先麵對的是密集電路的短路問題。赫爾尼提出在矽片表麵形成二氧化矽絕緣層，解決短路問題。1959年8月，仙童公司組建由拉斯特博士領導的晶體管集成電路研製團隊。1960年9月，成功開發出世界第一代晶體管集成電路。然而由於集成電路項目耗費巨大，仙童副總裁Tom Bay建議結束研發項目，專注於二極型晶體管生產。在此情況下，拉斯特博士選擇辭職離開仙童公司。Lionel Kattner接管了研發團隊，最終在摩爾的全力支持下，仙童決定將晶體管集成電路投入批量生產。1961年，Lionel Kattner也辭職離開了仙童公司，創辦了西格尼蒂克（Signetics）半導體公司（1975年被荷蘭飛利浦收購）。仙童公司如同蒲公英一般，將人才散布到矽穀的每個地方，推動矽穀集成電路產業迅速興起。
1962年，仙童公司在緬因州南波特蘭，創建了世界第一家晶體管生產、測試及封裝工廠。並以收取技術授權費的方式，向其他企業傳播平麵製造工藝。嗅覺敏感的日本企業，迅速通過仙童公司，掌握了這一核心技術。同一年，美國開發出MOSFET——金屬-氧化物半導體場效應晶體管，成為世界電子產業發展史上的重要裏程碑。為半導體存儲器的問世，奠定了技術基礎。
1966年，美國IBM公司托馬斯·沃森研究中心的羅伯特·登納德(Robert H. Dennard)博士，發明DRAM原理。老頭在IBM公司工作了半個世紀，現在八十多歲了。2009年獲得IEEE榮譽勳章。這是電子電氣領域的最高榮譽。
DRAM內存之父——IBM公司的羅伯特·登納德博士
1960年代早期，美國電子產業，主要由IBM、摩托羅拉、德州儀器、美國無線電公司（RCA）等老牌企業控製。他們依靠二戰時期，美國政府的巨額軍工訂單，發展成為產業巨無霸。二戰後主要生產電視機、收音機等新興的家用電器，並為美軍武器提供電子裝備。電子計算機也是新的產業熱點，IBM具有領先優勢。
IBM公司在1956年，花費巨資從王安手裏，購買磁芯存儲器專利，主要是為了解決大型計算機存儲數據問題。磁芯存儲器並不完美，不但磁芯容易損壞，而且價格昂貴，運行速度也慢。然而，磁芯存儲器比磁鼓有個重要優點：電腦斷電後，磁芯保存的數據不會消失。為解決磁芯存儲器存在的不足，IBM進行了長達十幾年的研究。
1961年，IBM在紐約州成立了以半導體為方向的托馬斯·沃森研究中心。仙童當時是IBM的半導體器件供應商，並且發展非常迅速。1965年，仙童公司的戈登·摩爾，在《電子學》雜誌發表文章預言：當價格不變時，集成電路上可容納的晶體管數量，約每隔18個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。這個預言後來被稱為“摩爾定律”。
1966年，IBM托馬斯·沃森研究中心，34歲的羅伯特·登納德(Robert H. Dennard)博士，提出了用金屬氧化物半導體（MOS）晶體管，來製作存儲器芯片的設想。原理是利用電容內，存儲電荷的多寡，來代表一個二進製比特(bit)是1還是0。每一個bit隻需要一個晶體管加一個電容（1T/1C結構）。1968年6月，IBM注冊了晶體管DRAM專利(3387286號專利)。但是由於IBM正在遭受美國司法部的反壟斷調查，拖延了DRAM項目商業化進度，這給其他公司帶來了機會。
此時，晶體管集成電路已經成為產業熱潮，大批美國公司投入這一領域。1969年，加州桑尼維爾的Advanced Memory system公司，最早生產出1K容量的DRAM，並出售給計算機廠商霍尼韋爾。但是由於存在DRAM工藝上的缺陷，霍尼韋爾後來向新成立的英特爾公司尋求幫助。
1972年前後，英特爾公司為美國Prime電腦公司，生產的微型電腦主板上，焊接了128顆1K存儲容量的C1103 DRAM內存，組成128K容量的內存，以便運行類似DOS的操作係統。1GB=1048576KB，如今一根最普通的4G內存，容量等於這塊老古董的3.2萬倍。最大的單根內存容量達到128G，是這家夥的100萬倍。
英特爾C1103——DRAM內存商業化大獲成功
1967年，仙童半導體成立十年時，公司營業額已接近2億美元（作為對比1967年中國外匯儲備為2.15億美元）。但是隨著德州儀器、摩托羅拉、國家半導體在晶體管市場的崛起，仙童的利潤迅速下滑，加之巨額研發投入，企業內部矛盾嚴重。仙童的行業第一地位，迅速被德州儀器取代。
1968年8月，仙童總經理鮑勃·諾伊斯，拉著研發部門負責人戈登·摩爾辭職。從風險投資家阿瑟·洛克那裏拉來250萬美元投資，正式成立了英特爾(Intel)公司，洛克出任董事長。Intel在英文中含有智慧和集成電路的意思，商標是花1.5萬美元，從一家酒店手裏買的。當時公司隻有諾伊斯和摩爾兩個員工，他們招兵買馬時，又從仙童公司挖來了工藝開發專家安迪·格魯夫，擔任運營總監。
英特爾成立之初，繼承了仙童的技術能力。公司製定的發展方向是研製晶體管存儲器芯片，這是一個全新的市場。當時的半導體工藝主要有雙極型晶體管，和場效應（MOS）晶體管。這兩項工藝都是仙童的長項。但是哪一種工藝用來生產的芯片更好，他們並不清楚。於是公司成立了兩個研發小組。1969年4月，雙極型小組推出了64bit容量的靜態隨機存儲器（SRAM）芯片C3101，隻能存儲8個英文字母。這是英特爾的第一個產品，客戶是霍尼韋爾。
此時在美國電腦市場上，IBM已經成為無可爭議的霸主，被稱為藍色巨人，其他電腦廠商在重壓下苦不堪言。霍尼韋爾公司為了提高其計算機性能，正在尋找SRAM存儲器，這為英特爾帶來了市場機會。與此同時，仙童公司的市場主管傑裏·桑德斯，又拉走了一批人，成立了AMD公司。由於融資困難，桑德斯找到了英特爾公司的諾伊斯尋求幫助，最後拉來了155萬美元投資。此後的半個世紀裏，英特爾和AMD成為一對難分難解的競爭對手。
1969年7月，場效應管小組推出了256bit容量的靜態隨機存儲器芯片C1101。這是世界第一個大容量SRAM存儲器。霍尼韋爾很快下達了訂單。隨後，英特爾研究小組不斷解決生產工藝中的缺陷，於1970年10月，推出了第一個動態隨機存儲器（DRAM）芯片C1103，有18個針腳。容量有1Kbit，售價僅有10美元，它標誌著DRAM內存時代的到來。
當時的大中型計算機上，還在使用笨重昂貴的磁芯存儲器。為了向客戶宣傳DRAM的性能優勢，英特爾開展全國範圍的營銷活動，向計算機用戶宣傳DRAM比磁芯更便宜（1比特僅需1美分）的概念。由於企業客戶出於安全考慮，不會購買獨家供貨的產品，必須要有可替代的第二供貨源。於是英特爾選擇了加拿大的一家小公司，微係統國際公司（MIL）合作，授權他們用1英寸晶圓生產線進行生產，每年收取100萬美元的授權費用。C1103的用戶主要包括惠普電腦的HP9800係列，和DEC公司的PDP-11計算機，產量有幾十萬顆。
1972年，憑借1K DRAM取得的巨大成功，英特爾已經成為一家擁有1000名員工，年收入超過2300萬美元的產業新貴。C1103也被業界稱為磁芯存儲器殺手，成為全球最暢銷的半導體芯片。同年IBM在新推出的S370/158大型計算機上，也開始使用DRAM內存。到1974年，英特爾占據了全球82.9%的DRAM市場份額。
東京國立博物館藏品，照片左邊是1976年日本NEC研製的TK-80係統，采用仿製英特爾8080的兼容處理器（型號μPD8080A），當年售價88500日元，賣了1.7萬台。中間是英特爾為日本廠商開發的MCS-4係統，采用4004處理器，右側是日本Busicom電子計算器。多數人不知道，美國英特爾最早開發CPU，是為了日本人。
日本人要買CPU——三十年後打垮日本報仇雪恨
英特爾介入微處理器（CPU）領域則很偶然。1969年，日本最大的電子計算器公司Busicom，找到美國英特爾，希望能幫他們研製計算器用的ROM、RAM和運算處理器（CPU）等12枚芯片組成的係統。針對日本方麵的要求，Intel研究團隊的特德·霍夫（Ted Hoff），創新性地提出一個設想——用1顆移位寄存器、1顆ROM芯片、1顆RAM芯片、1顆CPU處理器芯片，由四顆芯片完成原來需要12顆芯片組成的係統。這樣可以簡化結構，降低生產成本。
1970年2月6日，雙方簽訂了合同，三年內訂貨六萬套MCS-4計算器係統，日方預付6萬美元。到年底，英特爾相繼拿出了4001（動態內存DRAM）、4002（隻讀存儲器ROM）、4003（寄存器）、4004（微處理器CPU）等四顆芯片。但是由於量產過程中出現延期，讓日本公司頗為惱怒，要求在價格上打折扣。英特爾同意了，但是附帶要求，可在除計算器之外的其它市場，自由出售4004芯片——至此，世界首款商用計算機微處理器4004正式誕生了。
4004需要與另外三顆芯片協同工作，隻要改變4002中保存的用戶指令，就可以實現不同的功能。4004采用10微米的生產工藝，內含2250個晶體管，時鍾頻率為74KHz，每秒可執行6萬次運算，售價200美元。
英特爾恐怕想不到，15年後，它會被日本電子企業逼得差點破產倒閉，而後靠CPU芯片絕地反擊成功。日本人也絕不會想到，這個為他們提供零部件的美國小公司，三十年後會稱霸世界電子市場，打垮日本電子企業。到1972年，英特爾推出了基於8008處理器的微型主機。為其配套研製操作係統的加裏·基爾代爾（Gary Kildall）博士，後來發明了CP/M操作係統，微軟靠著抄襲基爾代爾的軟件，推出MS-DOS操作係統。
而在當時，世界計算機市場規模極為有限。美國市場的大型計算年銷量約有2萬台，主要被IBM和七個小矮人（指GE、NCR、CDC、RCA、UNIVAC、Burroughs及Honeywell七家電腦製造商）控製。小型電腦市場則由DEC和惠普等十幾家公司控製。英特爾當時還是小公司，很難搶到主機市場份額，於是把重心放在存儲芯片方麵。
1979年，美國蘋果公司生產的Apple II Plus電腦主板，采用莫斯泰克MK4116內存芯片。CPU是莫斯泰克6502，最大支持64K內存。整機售價1200美元。1978年，蘋果公司的Apple II賣了2萬台，使蘋果迅速成為年銷售額，突破3000萬美元的產業新貴。
加入DRAM戰場——德州儀器、莫斯泰克、鎂光
1973年石油危機爆發後，歐美經濟停滯，電腦需求放緩，影響了半導體產業。而英特爾在DRAM存儲芯片領域的份額也快速下降。因為他們引來了競爭對手，主要有德州儀器（TI）、莫斯泰克（Mostek）和日本NEC。
早在1970年英特爾發布C1103後，德州儀器便對其進行拆解仿製，通過逆向工程，研究DRAM存儲器工藝結構。1971年德州儀器采用重新設計的3T1C結構，推出了2K產品。1973年德州儀器推出成本更低，采用1T1C結構的4K DRAM（型號TMS4030），成為英特爾的強勁對手。
莫斯泰克則是一家小公司，1969年，德州儀器半導體中心的首席工程師L.J.Sevin（MOS場效應管專家），拉著一幫同事辭職，在馬薩諸塞州成立了莫斯泰克（Mostek）公司，工廠設在德州卡羅爾頓，主要為計算機企業配套生產存儲器件。Mostek開發的第一個DRAM產品MK1001，隻有1K容量。1973年，Mostek采用公司創始人Robert Proebsting設計的地址複用技術，研製出16針腳的MK4096芯片，容量提高到4K。16針腳的好處是製造成本低，當時德州儀器、英特爾和摩托羅拉製造的內存是22針腳。
憑借低成本，莫斯泰克逐漸在內存市場取得優勢。而英特爾此時將精力放在開發8080處理器上，在微型計算機市場取得巨大成功。1976年莫斯泰克推出了采用雙層多晶矽柵工藝的MK4116，容量提高到16K。這一產品幫助莫斯泰克擊敗英特爾，占據了全球75%的市場份額。
其後莫斯泰克又開發了64K容量的MK4164，到70年代後期，一度占據了全球DRAM市場85%的份額。但是隨著日本廠商廉價芯片的瘋狂衝擊，短短幾年時間，美國廠商就撐不住了。1979年，陷入困境的莫斯泰克，被美國聯合技術公司（UTC），以3.45億美元收購。後來又轉賣給了意法半導體。
1978年，從莫斯泰克離職的三名設計工程師，拉來風險投資後，在愛達荷州一家牙科診所的地下室，創辦了鎂光科技（Micron）。鎂光簽訂的第一份合約是為莫斯泰克設計64K存儲芯片。後來，鎂光從愛達荷州億萬富翁，靠生豬養殖起家的J.R.Simplot那裏拉來了投資，開始建設第一座DRAM工廠。為了節省投資費用，工廠建設在一家廢棄的超市建築裏，肉類冷庫被改造成淨化車間，生產設備也是二手的。到1981年晶圓廠投產，隻花了700萬美元，而新建一座同類工廠的投資額，一般是1億美元。鎂光的第一批產品是64K DRAM，主要供應給正在飛速崛起的個人電腦製造商。像當時銷量很高的Commodore 64電腦，就是采用鎂光64K內存。到1984年，鎂光推出了世界最小的256K DRAM。
與莫斯泰克類似，鎂光的敵人來自日本。1980年，日本研製的DRAM產品，隻占全球銷量的30%，美國公司占到60%。到了1985年局勢已經完全倒轉。由於日本廉價DRAM的大量傾銷，鎂光被迫裁員一半，1400名工人失業。鎂光隻得向美國政府尋求幫助。從1985年至1986年，英特爾連續虧損六個季度。DRAM市場份額僅剩下1%。當時，英特爾的年銷售額為15億美元，虧損總額卻高達2.6億美元，被迫關閉了7座工廠，並裁減員工。瀕臨死亡的英特爾，被迫全麵退出DRAM市場，轉型發展CPU，由此獲得新生。
日本電子企業、汽車企業的凶猛攻勢，最終引爆了美日兩國的經濟戰爭。
1965年，仙童半導體公司，開發出雙列直插式封裝(DIP)工藝，用塑料代替陶瓷封裝芯片，生產18引腳產品。德州儀器開發出更小的10引腳產品，用於航空電子器件。直到1980年代，超大規模集成電路的針腳數，遠遠超過了DIP封裝的極限，DIP才被其他封裝工藝取代。
1965年，仙童公司的戈登·摩爾博士，在《電子學》雜誌發表文章預言：當價格不變時，集成電路上可容納的晶體管數量，約每隔18個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。這個預言後來被稱為“摩爾定律”。半個世紀以來，世界集成電路的發展，基本符合摩爾定律的規則。隻是到了近幾年，隨著美國在5-10納米生產工藝上出現停滯，給中國帶來了技術追趕的機會。
1968年，仙童工程師福德利克·費金（Federico Faggin），設計出采用矽柵自對準工藝的Fairchild 3708（圖左，右側為采用金屬柵極的Fairchild 3705），是世界首款采用SGT（垂直環繞閘極晶體管）結構的商用MOS集成電路。SGT技術後來用於CCD、EPROM和Flash閃存等產品。1970年後，費金加入英特爾公司，參與設計4004、8008、8080 CPU處理器。1974年，費金離開英特爾，與人合夥創立了齊格洛（Zilog）公司，並推出了極為暢銷的Zilog Z80處理器。直至2017年，Z80處理器仍在生產，用於工業控製領域。
1971年，英特爾推出了首個商用，速度僅有740kHz的計算機CPU芯片Intel-4004。在此之後，芯片速度得到倍增式的迅速發展，在不到30年後的2000年，就已經突破了2GHz。
1971年，美國加州聖克拉拉市，英特爾員工在新建的工廠前合影。因為山景城的辦公室不夠用，在這裏建工廠，最初生產4004芯片。可以看到有華人麵孔的員工。
1972年，美國英特爾研製的Intellec 8微型電腦，采用8008處理器。這款電腦的操作係統，由加裏·基爾代爾（Gary Kildall）博士負責開發。加裏·基爾代爾，是電腦人機操作係統的真正發明人，1973年加裏·基爾代爾開發了CP/M操作係統（類似DOS操作界麵），成為70年代電腦行業標準，2000多家電腦公司使用這一操作係統。其後比爾·蓋茨的微軟公司，抄襲基爾代爾的模式，推出了微軟MS-DOS操作係統。1980年，IBM公司開始采用微軟的產品，幫助微軟一躍成為美國軟件巨頭。
超級工程一覽：DRAM芯片戰爭
——1970-2017輸贏千億美元的生死搏殺【3】
1945年8月15日，日本東京皇宮外，東京電台正在廣播：昭和天皇裕仁，宣讀日本無條件投降詔書。很多日本老百姓跪在地上痛哭不止。這一天有600名日本軍官自殺，逃避戰敗投降命運。東京城區已經在美國軍隊，長達半年的轟炸中化為廢墟。共同社照片
1945年二戰結束後，日本作為戰敗國，經濟受到嚴重打擊；但是日本最核心的資產，工程師隊伍得以保存下來。這批原本研製大和級戰列艦、櫻花自殺飛機的日本工程師，轉向民用造船、家用電器、鋼鐵、汽車、摩托車、電子、石化領域，加速了日本戰後經濟重建。
1948年中國國民黨兵敗如山倒後，美國便明確將日本，作為在亞洲對抗蘇聯的橋頭堡。1950年開始，中美兩國在朝鮮戰場血戰三年。美國巨額軍需采購訂單，使日本經濟爬出了二戰戰敗的泥潭。而美國為了拉攏日本對抗蘇聯，向日本轉移了數百項先進技術。如黑白、彩色顯像管電視機、晶體管收音機、錄音機、計算器、電冰箱、洗衣機，在當時都是頂尖的民用消費品。日立、三菱、東芝、NEC、鬆下、三洋、富士通、索尼、夏普、衝電氣（OKI）等日本企業，在此階段廉價獲得了大批美國專利技術，由此奠定了戰後日本電子產業發展根基。
此時，美國人絕對想不到，日本電子產業，會壯大到反噬美國的那一天。
1958年，日本北辰電氣（Hokushin Electric）為NEC NEAC-2201晶體管計算機，研製的MD-2A磁鼓存儲器，容量64K，每分鍾轉速可達到10000轉。北辰電氣後來被橫河電機並購，消失在曆史長河中。
日本電子產業發育期——從美國購買核心技術
自明治維新以來，日本經濟的一大特征，是在政府主導下進行產業技術升級。1948年，日本內閣在通商產業省（簡稱通產省）下麵，設立了工業技術廳，1952年更名為工業技術院，經費完全由財政撥付，負責推動日本整體產業技術發展。1953年日本東京通信工業公司（SONY前身）副社長盛田昭夫，耗資900萬日元（2.5萬美元），從美國西屋電氣引進晶體管技術，生產晶體管收音機。1956年SONY袖珍收音機上市後一炮而紅，索尼迅速崛起。受此影響，日立、三菱、NEC、OKI、東芝、三洋等公司，相繼花錢從美國RCA和西屋電氣，購買了晶體管專利授權。隨著規模化生產，日本晶體管價格明顯下降。1953年索尼試製的晶體管一顆為4000日元（11美元），到1958年降為200日元（0.56美元）。1959年日本晶體管產量達到8650萬顆，產值約160億日元（4445萬美元）。
當時日本與美國相比，技術上存在差距，唯一的優勢是人工便宜。東京電子廠的日本工人，月薪還不到30美元。而美國工人月薪是380美元。在計算機方麵，1956年，通產省工業技術院電氣試驗所，由高橋茂等人負責，研製出日本第一台晶體管計算機ETL MARK III，比美國晚兩年。隨後東京大學開發出PC-2電腦。1957年，通產省頒布執行電子工業振興臨時措置法（電振法57-71年），限製外資進入日本，以保護本國市場，引導日本企業發展半導體電子產業。1958年4月，日本各大電子廠商合作，組建了日本電子工業振興協會（JEIDA），集體對計算機攻關。
1958年9月，在通產省工業技術院電氣試驗所的技術援助下，日本NEC公司推出NEAC-2201晶體管計算機。這是日本第一台完全國產化的計算機。采用北辰電氣（Hokushin Electric）研製的磁鼓存儲器，容量64K。日本為炫耀這一成果，將其運到巴黎公開展出。
1960年，日本通產省工業技術院電氣試驗所，研製成功日本第一塊晶體管集成電路。這是參與研製的骨幹成員，左起，傳田精一（研究員，東北大學工學博士）、垂井康夫（半導體部晶體管研究室主任）、井上ルミ子、鳴神長昭。
日本官產學體係——集中全力進攻戰略產業
1959年2月，美國德州儀器發布集成電路。1960年2月，美國西屋電氣（Westinghouse）公開宣稱：半導體是未來主流技術。太平洋對岸的成果，對日本產生強烈刺激。1960年起，日本形成“官產學”體係，即政府、企業、大學聯合對集成電路技術發起進攻。1960年12月，通產省電氣試驗所，研製成功日本第一塊晶體管集成電路。研究成員有傳田精一、垂井康夫等人。1961年4月8日，日本東京大學工學部的柳井久義、菅野卓雄、多田邦雄、柳川隆之四名教授，發布了他們與NEC公司合作，在晶體管集成電路上進行的基礎研究。
1962年，日本NEC為了解決晶體管集成電路的製造問題，支付技術授權費，從美國仙童公司，買來晶體管平麵光刻生產工藝。解決生產問題後，日本NEC的集成電路產量暴增。1961年隻有50塊，1962年增長至1.18萬塊，1965年達到5萬塊。在此期間，NEC研製了多個型號的晶體管集成電路計算機，如NEAC-1200係列，NEAC-2200係列。日立公司與美國RCA合作，由日立半導體事業部的大野稔等人，研製出MOS型晶體管。1966年，日立發布了第一代MOS集成電路HD700，用於計算器，采用15微米生產工藝。夏普、三菱也紛紛將集成電路新技術，用於各自的計算器產品，使日本的集成電路迅速形成產業基礎。到1970年，日本NEC的集成電路產量，已經達到3998萬塊。
作為對比：早在1956年起，中國科學院就開始組織黃昆博士、謝希德博士、林蘭英博士、王守武博士等人，研究平麵光刻工藝。1963年中國科學院計算機研究所，研製出第一台國產晶體管大型計算機——109機，用於核武器工程。1964年開發出晶體管集成電路。以中國科學院和電子工業部為主，中國形成了由軍事工業為牽引的龐大電子科研體係，下屬各類電子企業單位超過2500家，全麵領先韓國和台灣，但是在市場化程度上不如日本，當時中國民用消費市場僅限於收音機和電視機。
1968年4月，美國德州儀器董事長P.E.Haggerty，與日本索尼社長井深大簽署協議，各占股50%，在日本設立子公司。後排左麵站著盛田昭夫副社長。
以市場換技術——想占領日本市場？別做夢了
1960年代，為保護日本幼稚的電子工業，日本政府堅決實行貿易保護主義，隻允許進口極少數的電子元器件，限製200日元以下的中低端IC元件進口。采用提高進口關稅、發放進口許可證等方式，限製美國企業衝擊日本市場。最典型的例子是德州儀器。1964年，美國德州儀器看到日本電子工業增速迅猛，便想在日本設立100%獨資子公司，但是日本通產省死活不同意。一直交涉了長達四年之後，日本政府終於鬆口了，卻提出了極為嚴苛的條件——拿核心技術來換。看起來似乎與改革開放後，中國采用的“以市場換技術”買辦政策差不多，但裏麵的竅門差別就大了。
1966年，美國德州儀器為打開日本市場，以自己擁有的IC製程核心專利，來引誘日本。日本通產省為了拿到技術，同時保護日本市場，可謂絞盡腦汁。1968年4月，由日本索尼社長井深大出麵，與德州儀器董事長哈格蒂（P.E.Haggerty）簽署協議，雙方各占股50%，設立合資公司。條件是：在三年內，德州儀器必須向日本公開相關技術專利。並且德州儀器的產品，在日本市場占有率，不得超過10%。有了如此嚴苛的限製，日本政府將本國市場牢牢掌握在自己手裏，不怕美國企業不交出核心技術。其後韓國政府也學會了這招，用來對付日本和美國企業。
偉大革命家列寧說過：資本家為了利益，可以出賣絞死自己的繩子。日本產業界正是抓住了核心利益，使自身迅速發展壯大。這與改開後，中國采用“以市場換技術”政策，導致全國電子產業徹底崩潰；中國市場全麵被日本、美國、韓國、台灣合資廠商聯合占領，形成了鮮明對比。改開三十年來，中國電子產業市場損失，至少超過1萬億美元。誰該承擔這一曆史罪責？
1964年，美國IBM公司推出的System-360計算機，具有劃時代意義，使計算機在社會運行中，日益占據核心地位。
IBM大型計算機——日本企業望塵莫及
在1960年代，盡管美國和日本都開始了集成電路產業化進程，但美國的實力遠非日本可比。1964年4月7日，美國IBM公司推出其第一款小規模集成電路計算機System-360，運算速度過百萬次大關。該機是IBM曆史上的一次驚天豪賭，耗資52.5億美元（約合4285噸黃金，現值1812億美元，足夠建7艘核動力航空母艦）。IBM公司招募6萬餘名新員工，新建5座工廠，攻克了指令集可兼容操作係統、數據庫、集成電路等軟硬件難關，獲得超過300項專利。該機每台售價250-300萬美元，到1966年已售出8000多台，使IBM年營收突破40億美元，純利潤10億美元。迅速占領了美國大型計算機市場98%、歐洲78%，日本43%的市場份額。IBM成為世界電子產業難以撼動的藍色巨人。
年營收40億美元是什麽概念呢？1961年美國建成世界第一艘核動力航空母艦，不過花費4.5億美元。1966年中國外匯儲備為2.11億美元。中國動員全國力量研製原子彈、氫彈、導彈、衛星，也不過花費20億美元左右。由此可見當年IBM如同巨人壓頂一般，讓其他企業喘不過氣來，逼死了大批競爭對手。
美國公司取得的巨大成功，對日本產生強烈震撼。1966年，由日本通產省主導，進行“超高性能大型計算機”開發計劃。目標是在五年內投資120億日元（0.34億美元），追趕美國IBM大型計算機。由通產省電氣試驗所牽頭，日立、東芝、NEC、富士通、三菱、衝電氣（OKI）等企業組成團隊，對日立研製的HITAC 8000係列大型計算機進行升級改造。HITAC 8000其實技術源自，美國RCA與日立合作研製的Spectra-70大型機。從集成電路、CPU、接口、軟件，全都是仿製美國貨。隻投入這麽點錢，就想追趕IBM，注定了該計劃要失敗。
有句話叫丟西瓜撿芝麻，盡管大型計算機計劃失敗了，但是參與該項目的日本NEC公司，卻成為日本第一家研製出DRAM內存的企業。在1966年的時候，HITAC 8000要求配備512K容量的高速內存，這是個極高的技術指標。NEC於是對NMOS工藝進行研究，1968年公開了使用NMOS工藝生產的144bit SRAM靜態隨機存儲器，研製者有NEC半導體部門的大內淳義等人。這是個非常了不起的成果。兩年後，美國英特爾才推出同類產品。1970年英特爾研製出C1103 1K DRAM內存後，日本NEC在第二年就推出了采用NMOS工藝的1K DRAM內存(型號μPD403)。使得NEC成為日本內存行業的龍頭企業。
1962年，日本富士通研製的FACOM 602磁帶機，將記錄密度提高到333bpi，用於FACOM 241D計算機。
逼迫日本開放市場——日本企業的產業反擊戰
從1965年至1970年，美國集成電路市場的需求急劇增加，年增長率超過16%，日本政府和企業界，看到了這一商機，但是在產業技術上，與美國存在巨大差距。不過日本有個優勢——大批日本人在美國工作。像江崎玲於奈之類的電子專家，長期在美國頂尖的IBM實驗室工作，可以輕鬆獲得大量經濟情報，提供給日本產業界。
1972年，美國IBM公司“FS（Future System）計劃”的部分內容曝光。IBM計劃投入巨資，在1980年前開發出1M DRAM內存芯片，應用到下一代電腦。當時，美國最先進的DRAM內存不過4K大小。這讓尚停留在1K DRAM技術層次的日本企業產生強烈危機感。於是由日本電子工業振興協會不斷運作，1975年以通產省為中心的“下世代電子計算機用超LSI研究開發計畫”構想，開始商量如何應對IBM的FS計劃。1975年7月，通產省設立了官民共同參與的“超LSI研究開發政策委員會”。當時盡管日本各大廠商競爭激烈，但是在共同抵抗IBM巨人方麵卻是一致的。（超LSI就是超大規模集成電路的意思）
1974年，日本在美國要求開放市場的政治壓力下，被迫放寬計算機和電子元件進口限製。僅僅隻用一年時間，美國IBM電腦，就如熱刀切黃油一般，橫掃日本各大計算機企業。礙於技術差距，日本產業界放棄了在電腦整機上與IBM正麵拚殺，而是選擇DRAM存儲器產品，作為產業突破口。因為日本軟件能力差，而CPU等部件與軟件關聯性高，日本啃不下來。DRAM內存芯片，與軟件關聯度弱，卻有很高的毛利率。隻要在生產工藝、成品率、產能方麵下功夫，日本就有機會成功。
最先行動起來的，是國營的日本電信電話株式會社（NTT），從1975年至1981年，NTT投資400億日元（1.6億美元），進行超大規模集成電路研究。終於在1980年研製出256K DRAM。NTT的大量采購，使日本的256K DRAM迅速形成產能優勢。在NTT之外，日本產業界還在同時進行第二項技術攻關計劃。
1977年5月5日，日本VLSI技術研究所，宣布研製成功可變尺寸矩形電子束掃描裝置。
舉國體製——籌集720億日元研製DRAM核心設備
在1970年代，日本盡管可以生產DRAM內存芯片，但是最關鍵的製程設備和生產原料要從美國進口。為了補足短板，1976年3月，經通產省、自民黨、大藏省多次協商，日本政府啟動了"DRAM製法革新"國家項目。由日本政府出資320億日元，日立、NEC、富士通、三菱、東芝五大企業聯合籌資400億日元。總計投入720億日元（2.36億美元）為基金，由日本電子綜合研究所，和計算機綜合研究所牽頭，設立國家性科研機構——“VLSI技術研究所”（超LSI技術研究組合）。研究所地址就選在，位於川崎市高津區的NEC中央研究所內。日立公司社長吉山博吉擔任理事長，根橋正人負責業務領導，垂井康夫擔任研究所長，組織800多名技術精英，共同研製國產高性能DRAM製程設備。目標是近期突破64K DRAM和256K DRAM的實用化，遠期在10-20年內，實現1M DRAM的實用化。（VLSI是超大規模集成電路的簡稱）
在這個技術攻關體係中，日立公司（第一研究室），負責電子束掃描裝置與微縮投影紫外線曝光裝置，右高正俊任室長。富士通公司（第二研究室）研製可變尺寸矩形電子束掃描裝置，中村正任室長。東芝（第三研究室）負責EB掃描裝置與製版複印裝置，武石喜幸任室長。電氣綜合研究所（第四研究室）對矽晶體材料進行研究，飯塚隆任室長。三菱電機（第五研究室）開發製程技術與投影曝光裝置，奧泰二任室長。NEC公司（第六研究室）進行產品封裝設計、測試、評估研究，川路昭任室長。
在產業化方麵，日本政府為半導體企業，提供了高達16億美元的巨額資金，包括稅賦減免、低息貸款等資金扶持政策，幫助日本企業打造DRAM集成電路產業群。到1978年，日本富士通公司，研製成功64K DRAM大規模集成電路。美國IBM、莫斯泰克、德州儀器也在同時發布了產品。這一年，由於日本64K動態隨機存儲器（DRAM）開始打入國際市場，集成電路的出口迅速增加。
1980年，日本VLSI聯合研發體，宣告完成為期四年的“VLSI”項目。期間申請的實用新型專利和商業專利，達到1210件和347件。研發的主要成果包括各型電子束曝光裝置，采用紫外線、X射線、電子束的各型製版複印裝置、幹式蝕刻裝置等，取得了引人注目的成果。針對難度大的高風險研究課題，VLSI項目采用多個實驗室群起圍攻的方式，調動各單位進行良性競爭，保證研發成功率。各企業的技術整合，保證了DRAM量產成功率，奠定了日本在DRAM市場的霸主地位。
1970年代，日本鬆下電器京都府長岡工場，整齊排列的100台自動焊線機，隻需要10個人操作。該廠從1968年開始半導體生產。1970年代美國向馬來西亞、韓國、台灣轉移電子製造業，以降低人力成本。日本則采用大規模自動化生產的方式來降低成本。日本報紙震驚地寫道：半導體工廠的人都消失了。
獲得豐厚回報——日本躍居世界第一大DRAM生產國
1977年，全球的個人電腦出貨量總計大約4.8萬台。到1978年已經暴增至20萬台，市場規模大約5億美元。其中美國Radio Shack公司（電器連鎖零售店）出售的Tandy TRS-80電腦銷量約10萬台，均價600美元，銷售額6000美元，采用蓋茨新開發的操作係統，CPU則是從英特爾辭職的前首席設計師費金，研製的Zilog—Z80。蘋果公司的Apple II銷量達到2萬台，平均單價1500美元，屬於高端貨，年銷售額約3000萬美元。個人電腦市場的高速增長，對內存產生了大量需求。這給日本DRAM廠商帶來了出口機會。
做出口貿易的都知道，出口貨不但價錢便宜，質量還要好。而在當時，美國人一般認為日本貨質量低劣，遠遠比不上美國貨。但是實際的結果令人大跌眼鏡。1980年，美國惠普公司公布DRAM內存采購情況。對競標的3家日本公司和3家美國公司的16K DRAM芯片，質量檢驗結果顯示：美國最好DRAM公司的芯片不合格率，比日本最差DRAM公司的芯片不合格率，高出整整6倍。雖然惠普礙於情麵，沒有點出這些公司的名字。但人們很快知道了，三家美國公司是英特爾、德州儀器和莫斯泰克，三家日本公司是NEC、日立和富士通。日立公司為了拿到訂單，甚至在給銷售部門的指示上明確要求，要比美國公司的價格低10%。
質量好，價格低，量又足，日本DRAM內存在美國迅速崛起。1982年，日本成為全球最大的DRAM生產國。這一年3月，日本NEC的九州工廠，DRAM月產量為1000萬塊（約1萬片晶圓）。到了10月，月產量暴增至1900萬塊。其產量之大，成品率之高（良率超過80%），質量之好，使得美國企業望塵莫及。與產量相伴的是，原來價格虛高的DRAM內存模塊，價格暴降了90%。一顆兩年前還賣100美元的64K DRAM存儲芯片，現在隻要5美元就能買到了，日本廠商還能賺錢。美國企業由於芯片成品率低，根本無法與日本競爭，因此陷入困境。
1982年，美國50家半導體企業秘密結成技術共享聯盟，避免資金人力重複投資。可是這些合作項目剛剛啟動，就傳來了壞消息。美國剛剛研製出256K DRAM內存，而日本富士通、日立的256K DRAM已經批量上市。1983年間，銷售256K內存的公司中，除了富士通、日立、三菱、NEC、東芝之外，隻有一家摩托羅拉是美國公司。光是NEC九州工廠的256K DRAM月產量，就高達300萬塊。日本廠商開出的海量產能，導致這一年DRAM價格暴跌了70%。內存價格暴跌，使得正在跟進投資更新技術設備的美國企業，普遍陷入巨額虧損狀態。難以承受虧損的美國企業，紛紛退出DRAM市場，又進一步加強了日本廠商的優勢地位。
1978年3月15日，日本朝日新聞，報道垂井康夫擔任所長的VLSI技術研究所，研製成功電子束掃描裝置。
低成本優勢——美國廠商節節敗退
1984年，日本DRAM產業進入技術爆發期。通產省電子所研製成功1M DRAM，三菱甚至公開展出4M DRAM的關鍵技術。日立生產的DRAM內存，已經開始采用1.5微米生產工藝。東芝電氣綜合研究所，則投資200億日元，建造超淨工作間。在這種超淨廠房內，每一立方米的淨化空氣中，直徑0.1微米的顆粒，不能超過350個。隻有在這種條件下才能製備1M、4M容量的DRAM存儲器。與此同時，東芝研製出直徑8英寸（200mm）級的，世界最大直徑矽晶圓棒。到1986年，光是東芝一家，每月1M DRAM的產量就超過100萬塊。
日本企業大量投資形成的產業優勢，導致日本半導體對美國出口額，從1979年的4400萬美元，暴增至1984年的23億美元。五年間暴增52倍！而同時期，美國對日本出口的半導體，僅僅隻增長了2倍。美國公司失去產品競爭力的後果，便是越想追趕越要投資，越投資虧損越大，陷入惡性循環。
以英特爾為例，本來到1978年前後，英特爾在莫斯泰克的猛攻下，已經成為美國DRAM市場的後進角色，美國市場占有率低於20%。但是隨著1980年後，日本DRAM產品大量出口美國，英特爾的日子就過不去下了。雖然DRAM產品隻占英特爾銷售額的20%，但是為了保住這塊核心業務，公司80%的研發費用投向了DRAM存儲器，明顯是本末倒置。等到英特爾好不容易開發出新DRAM產品，此時日本廠商已經在低價傾銷成品，導致英特爾無利可圖，連研發費用都賺不回來。1984年至1985年間，陷入巨額虧損的英特爾，被迫裁員7200人，仍不能扭轉困局。1985年10月，英特爾向外界宣布退出DRAM市場，關閉生產DRAM的七座工廠。
1985年，全球半導體產業轉入蕭條，半導體價格大幅度下跌。64K DRAM由1984年的3美元，下降到1985年中旬的0.75美元。同期，256K DRAM由31美元下降到3美元。價格暴跌使美國英特爾、國家半導體等廠商撤出了DRAM市場。然而，就在同一年，日本NEC的集成電路銷售額，排名世界第一，企業營業額是二戰前的三百多倍，一舉超越長期是行業龍頭的美國德州儀器公司。憑借VLSI項目的成功，日本企業一舉占據了64K、128K、256K和1M DRAM市場90%的份額。
1991年6月，日本駐美大使村田良平，與布什政府的美國貿易代表卡拉·安德森·希爾斯，在華盛頓簽署新的五年期《日美半導體協議》。美國希望在1992年底前，能夠在日本半導體市場占據20%的份額。這個協議讓美國企業喘口氣，韓國半導體產業則異軍突起。到1995年底，外國半導體在日本市場占有率超過了30%。希爾斯這個女人非常厲害，中國的很多對美貿易談判，都是以她為對手。
日本廉價芯片攻勢——美國揮出反傾銷大棒
對此，美國企業認定是日本人傾銷導致了價格暴跌。1985年6月，美國英特爾、AMD等半導體公司聯合起來，相繼指控日本不公正貿易行為。鼓動美國半導體工業協會向政府遊說，向國會遞交一份正式的301條款文本，要求美國政府製止日本公司的傾銷行為。1985年10月，美國商務部製定了一項法案，指控日本公司傾銷256K DRAM和1M DRAM。
隨後，美國商務部與日本通產省，就301條款和反傾銷訴訟進行談判。1986年9月，日本通產省與美國商務部，簽署第一次《美日半導體協議》。根據這項協議，美國暫時停止對日本企業的反傾銷訴訟。但作為交換條件，要求日本政府促進日本企業，購買美國生產的半導體，加強政府對價格的監督機製以防止傾銷。並且美國半導體產品，在日本市場占有率，可以放寬到20%。日美半導體協議的簽署，在日美貿易摩擦史上，具有重要意義。標誌著美蘇冷戰後期，美國從全力扶植日本經濟，轉向全麵打壓日本經濟。
美國的製裁並沒能立刻遏製日本的技術優勢。1986年，日本NEC開發出世界第一塊4M DRAM。日本NTT則在次年展出了16M DRAM樣品。到1988年，全球20大半導體廠商中，日本占據了11家，美國隻有5家。而且日本企業包攬了前三名。日本NEC以45.43億美元的營收總額排名世界第一，東芝以43.95億美元排名第二，日立以35億美元排名第三，美國摩托羅拉以30億美元排名第四，德州儀器以27.4億美元排名第五。富士通以26億美元排名第六，英特爾以23.5億美元排名第七。荷蘭飛利浦以17.38億美元排名第10。唯一上榜的韓國三星，以9億美元排名第18位。第20名德國西門子，隻有7.84億美元。這一年，日本已經超越美國，成為世界第一大半導體生產國。
盛極而衰是自然規律，商業領域也是這樣。1989年日本泡沫經濟破滅，經濟進入停滯階段。進入1990年代，隨著蘇聯解體，美國收割冷戰紅利。在美國刻意遏製下，日本的國際競爭力迅速衰退，其半導體的全球份額迅速滑落至50%，2000年後更是下降到20%左右。如此潰於一旦的急速墜落，讓世界震驚並疑惑，究竟發生了什麽。
日本廠商懸崖式墜落——放棄投資就會死
美國、日本廠商的崛起——墜落循環，其實道理很簡單，關鍵在投資。1973年世界石油危機後，歐美經濟停滯，美國逐漸減少在半導體領域的投資。此時美國對日本還有5年左右的技術優勢。然而就是這個時期，日本通過1976年VLSI計劃的巨量投資，幫助日本企業在技術上趕超美國。日本政府的財稅資金補貼，幫助日本企業建立了產能優勢。1978年個人電腦市場爆發後，日本企業享受到產業投資帶來的巨額利潤。而美國企業由於前期放棄投資，就此喪失競爭力。此時產業投資競爭門檻，已經從70年代的幾億美元量級，急速暴增至80年代的幾十億美元量級。美國產業界失去投資-盈利循環的機會後，已經再也沒有能力追加幾十億美元巨額投資，來與日本較量了。
日本企業的急速墜落也是這個道理。1985年，日本廠商通過開出的海量產能，用暴跌的產品價格，擠垮了美國同行。但是產業不景氣的後果，是日本廠商也失去了盈利能力。盈利減少後，日本企業紛紛減少對半導體的技術設備投資。僅在1985年，由於市場不景氣，日本企業砍掉了近40%的設備更新投資，最終的投資額為4780億日元（19.9億美元）。1986年市場仍未回暖。1987年需求雖有恢複，但日本各廠商對投資持保守態度，該年度投資額僅有2650億日元（18.4億日元），隻占營業收入的15.3%。
1988年市場開始普及1M DRAM內存，但因上一次半導體不景氣的殷鑒猶在，日本廠商對設備投資仍然謹慎保守。加上日元迅速升值，日本房地產泡沫蓬勃興起，大量廠商將資金轉投房地產行業。日本產品的價格競爭力急劇衰退。而韓國三星、現代、LG等廠商在此階段瘋狂投資，迅速趕超日本。到1992年，韓國三星就將日本NEC擠下了DRAM產業世界第一寶座。
（中國電子產業在1980年代徹底崩潰，恰恰也驗證了“放棄投資就會死“的市場規律。）
2004年，爾必達在廣島建成12英寸DRAM晶圓廠。建設一座8英寸晶圓廠需要投資10-15億美元，建設一座12英寸晶圓廠，暴增至20-30億美元。超高規模的投資，使得DRAM產業如同在刀鋒上舞蹈，稍有不慎即全軍覆滅。爾必達也在沉重的債務下，最終轟然倒地。
日本爾必達——三家聯手終究覆滅
1992年西班牙舉辦巴塞羅那奧運會。原本市場預期會轉暖，結果4M DRAM並未如預期般暢銷，日本各廠被迫采取減產來阻止市場價格滑落。這就加速了韓國廠商崛起，韓國三星取代了日本廠商的龍頭地位。更令日本人懊惱的是，曾經被日本人逼到差點破產的美國英特爾，與微軟聯手組建WINTEL同盟，依靠CPU產品大獲成功。1996年，英特爾以177.78億美元的巨額營收，打敗日本NEC（104億美元），重新奪回半導體世界第一大廠寶座。
1995年微軟即將發布Windows 95操作係統，引發市場大熱。日本DRAM廠商又大肆擴充產能，企圖重新奪回產業優勢。但是韓國廠商也在此時瘋狂擴充產能。最終導致的結果是，1996年DRAM價格狂跌70%。1997年亞洲金融危機，更是加重了市場衰退。因此從1996年至1998年，DRAM產業連續三年衰退，全球廠商均出現嚴重虧損。此時，世界DRAM內存市場已經擴充到400億美元左右的市場規模。新建一座8英寸DRAM晶圓廠，動輒需要投資10-15億美元，而且虧損風險極大。日本廠商在連年虧損下，已經喪失了追加投資的勇氣。
1999年，日本富士通宣布退出DRAM市場，不玩了。曾經無比強大的NEC、日立、三菱，將三家的DRAM部門合並，成立爾必達（Elpida）。這家重新組建的DRAM企業，希望通過聯合經營來降低成本，對抗韓國三星。東芝也在2001年退出了DRAM市場。
日本組建爾必達，是為了保護日本DRAM產業，避免被韓國企業各個擊破。可是從成立之初，爾必達就是燙手山芋，被估算每天一開門就要淨虧損2億日元。2002年阪本幸雄出任爾必達CEO，開始拯救計劃。他從美國英特爾拉來訂單，並籌集資金建設廣島12英寸晶圓廠。讓爾必達的全球市占率開始逐漸攀升。從2002年到2007年獲利成長3倍。爾必達全盛時期，整合日係廠商的研發能力，產量排名世界第三，僅次於三星與海士力。不過先前大舉擴張時已經埋下禍根。2007年全球金融危機後，DRAM價格暴跌，爾必達陷入嚴重虧損。2009年向日本政府申請了1300億日元援助貸款。2011年泰國洪災後DRAM市場低迷。日元更是出現史無前例的升值，同時韓元兌日元貶值70%。這讓爾必達完全無法招架，銷售額迅速下滑。2012年2月27日，爾必達向東京地方法院申請破產保護，當時公司負債總額已高達4480億日元（89.6億美元），是日本史上最大的破產案件。2012年7月，美國鎂光以區區25億美元低價收購爾必達。僅僅兩年之後，鎂光市值從60億美元暴增至360億美元，成為爾必達破產的最大受益者。
日本企業的退出，進一步擴大了韓國企業的競爭優勢。韓國企業似乎能夠笑傲江湖了。
可是在笑容背後，又有誰知道韓國人的悲慘命運？
2016年5月，日本三重縣四日市，日本東芝與美國閃迪（SanDisk），合資建設的12英寸晶圓廠（New Fab 2），主要生產48層堆疊的3D NAND閃存芯片。該廠是在原來的Fab2廠址上推倒重建，總投資超過240億元人民幣。東芝成為日本內存行業發展四十年來，碩果僅存的企業。
超級工程一覽：DRAM芯片戰爭
——1970-2017輸贏千億美元的生死搏殺【4】
1968年，韓國首都漢城，清溪川旁邊的民居。清溪川全長11公裏，是漢江支流。朝鮮停戰後，大批戰爭難民在河邊胡亂支起棚戶區，排放出大量生活汙水，發出的惡臭令周邊居民痛苦不堪。
1953年7月28日，中朝美韓四國血戰三年後，在朝鮮板門店簽署停戰協議。而韓國李承晚政府還想把戰爭打下去，因此拒絕簽約。朝鮮半島停戰後便進入經濟重建階段。由於日本殖民時期對朝鮮的工業建設，主要集中在北朝鮮，南朝鮮以農業為主。因此韓國的經濟發展水平，長期落後於北朝鮮。
為了維持韓國李承晚政權，美國僅在1954-1961年間，對韓國的經濟援助就高達20億美元之巨（相當於現在的千億美元），幫助韓國建立了紡織、水泥、化肥、造紙、收音機等51個輕工業項目。1958年，韓國金星電子（即現在的LG）開始為美國代工組裝黑白電視機，這是韓國第一家電子企業。當時韓國進口貨物中，70%是美國援助物資，糧食主要由美國提供援助。由於美國大量輸入糧食，導致韓國農業徹底垮掉，大量農民流落城市。而李承晚政權，還想著進攻北朝鮮，希望在韓國發展鋼鐵、軍工、造船等重工業，自然是國力難以負擔的。加之韓國官僚貪汙腐敗、通貨膨脹高達50%，到1959年底，韓國經濟已經全麵崩潰。李承晚隨即被推翻，被迫流亡海外。韓國成立了張勉民選政府，但是局勢依然混亂，張勉因此失去美國信任。
韓國經濟——全力發展出口導向型產業
1961年5月16日，韓國情報係統首腦樸正熙少將，在美國默許下發動軍事政變，推翻張勉民選政府，建立軍事獨裁政權。樸正熙一上台就明確反共親美立場，並確立“經濟發展第一”的政策總方針，進行官僚治理，掃除貪汙腐敗，改組“國家重建最高委員會”，製定經濟發展五年計劃，計劃投入25億美元用於建設。此舉與美國不謀而和。由於美國財政在1960年代逐步惡化，肯尼迪政府希望減少對韓經濟援助，助其經濟自立。加之美國國內成本高漲，急需對外進行產業轉移。韓國、台灣這些半殖民地，便成為美國企業對外轉移製造業的承接地。韓國的電子工業由此起步。
1965年韓日實現邦交正常化，樸正熙政府參考日本的產業發展經驗，選擇13項產業，作為出口導向型經濟的長期目標，電子產業就是其中之一。同年，美國KOMY公司以合資方式，在韓國設立高美半導體封裝廠。1966年，美國半導體巨頭仙童公司，向韓國政府提出建廠要求，但條件十分苛刻，要求完全獨資經營，產品可在韓國市場銷售。由於韓國正在謀求加入《關貿總協定》，便放寬了《外國資本引進法》，引發了美國公司競相進入韓國熱潮。
《關貿總協定》即現在的世界貿易組織前身，具有極其重要的經濟地位。1947年中國國民黨政府簽約，使中國成為創始成員國。1950年國民黨逃亡台灣後，盜用中國政府名義，擅自退出關貿總協定，導致中國大陸在其後30年裏，喪失對歐美市場的出口條件。而台灣在1965年又被美國放進了《關貿總協定》，1967年韓國也加入了《關貿總協定》，使他們具備了發展出口導向型經濟的條件。韓國充分抓住美國關稅減免、石油價格低、資本借貸利息低等契機，全力發展出口貿易。（中國直至2001年才重新加入世貿組織，出口開始爆炸式增長。俄羅斯直到蘇聯解體20年後，才得以加入世貿組織。）
1965年至1973年間，韓國已經有11家美國公司和7家日本公司，其中包括摩托羅拉、仙童、Signetics、東芝等電子巨頭。這些半導體跨國企業，開始在韓國建立芯片組裝廠，利用韓國廉價勞動力，采取大進大出的來料加工模式，用美國、日本零部件組裝，然後全部再出口。此後，韓國國內企業，也通過與美國技術合作，參與到半導體組裝生產，由此構建了幾乎將所有產品（98%），用於出口的組裝生產體係。產品不在韓國銷售，也保護了脆弱的韓國本土市場。
1969年，韓國三星與日本三洋組建合資企業，由三星為日本三洋代工組裝黑白電視機。韓國掌握技術後，將日本企業踢出了韓國市場。
以市場換技術——拿到產業技術，趕走日本企業
1969年，韓國政府製定《電子工業振興法》和8年產業規劃，並在樸正熙的家鄉龜尾市建立電子出口產業基地。日本東芝與韓國電子產業合作社聯手，在龜尾投資建設晶圓生產廠。當時仍在經營紡織、化肥、製糖等傳統產業的三星財團，在韓國貿工部支持下，於1969年12月，和日本三洋合資成立了“三星三洋電機股份有限公司”。這是三星集團第一次進入電子產業，為日本三洋代工生產12英寸黑白電視機、洗衣機、冰箱等產品。
到1974年，在日本三洋完成對韓國三星的技術轉移後，韓國政府修改外資投資法規，堅持不對合資企業開放本國市場，最終迫使日本三洋和NEC，停止了在韓國投資，全麵退出韓國市場。而三星和LG則在韓國家電市場，展開了激烈競爭。（這種以市場換技術為噱頭，拿到技術，同時保護本國產業的無賴手段，中國政府什麽時候能學會？）
1973年，韓國將電子產業列為六大戰略產業之一，成立國家科學技術會議和國家投資基金，引導高新技術發展（資金主要靠國際借貸）。針對韓國產業技術薄弱的狀況，韓國貿工部提出電子零件六年國產化計劃，由國家設置科研機構、培訓電子工程師。但是由於半導體產業投資巨大，技術風險極高，韓國四大財閥中的LG，當時放棄了在半導體領域投資。
1974年，美國摩托羅拉公司的半導體研究專家，韓裔電子工程師薑基東博士，回到韓國，與美國通用電氣合資，成立了韓國第一家半導體企業“韓國半導體（Hankook半導體）”。然而運營僅僅三個月，薑基東就因投資巨大而難以為繼。韓國三星集團順勢收購了他手裏50%的股權。1974年3月，三星將先前與日本三洋合資的公司，改名為三星電子機械公司（三星電機）。當時三星生產的電視機、電子表等產品上，有一些集成電路電路需要從國外進口。三星希望通過進入IC半導體領域，加強產業競爭力。到1977年，三星電機全資收購了韓國半導體位於富川的工廠，並正式改名為“三星半導體”，薑基東成為技術負責人。（1998年三星危機時，李健熙將年銷售額5億美元的富川半導體工廠賣了。）
1976年12月30日，就在日本啟動VLSI研究項目的同時，韓國政府在龜尾產業區建立韓國電子技術研究所（KIET）。該所現在並入了韓國通信電子研究院(ETRI)。
韓國產業聯盟——四大財閥全力進攻DRAM產業
1976年，就在日本啟動VLSI研究項目的同時，韓國政府在龜尾產業區（漢城東南200公裏），建立韓國電子技術研究所（KIET），分為半導體設計、製程、係統三大部門。每個部門都交由具備美國半導體產業研究經驗的專員領導。並招收美國歸來工程師，設置試驗生產線，協助企業研發集成電路關鍵技術。1978年，韓國電子技術所通過與美國矽穀的公司合資，建造了韓國第一條3英寸晶圓生產線（比台灣工研院晚2年），並在1979年生產出16K DRAM。盡管比日本落後幾年，但這是韓國第一次掌握VLSI（超大規模集成電路）技術。
電子產業的景氣環境，促使韓國LG、現代等財閥，都加入了半導體產業。韓國貿工部因此牽頭，組建了韓國電子產業聯盟（EIAK）。該聯盟後來在韓國高科技產業發展中，扮演舉足輕重的角色。而三星、LG和現代，成為韓國在半導體領域進行技術突破的主力軍。1980年1月，三星電子與三星半導體合並，組成新的三星電子，專攻半導體領域。
到1983年，日本DRAM內存在美國市場大獲成功的時候，眼紅的韓國四大財閥——三星、現代、LG和大宇，全部安排資金，重資下注DRAM產業。它們的企業策略很明確：以較低的成本追趕日本DRAM產業。而韓國全鬥煥政府，采取了金融自由化政策，鬆綁融資環境。1983年的股票價格上漲，讓韓國各財閥能夠輕易調動資金，投入到半導體產業。
韓國三星位於漢城以南30公裏的龍仁市器興的產業基地。
技術起步期——三星從美國日本弄來技術
1983年2月，三星集團創始人李秉喆在東京發表宣言：宣布三星集團正式進軍半導體產業，並準備出資1000億韓元（約1.33億美元），執行這項計劃。在此之前，三星已經建立半導體實驗室，並聚焦在DRAM領域。三星之所以選擇DRAM，是考慮到在所有存儲產品中，DRAM的應用範圍和市場潛力最大。但是從技術領域看，三星當時存在著巨大的技術鴻溝。如何獲得先進核心技術呢？三星嚐試從國外引進技術，連續遭到美國德州儀器、摩托羅拉、日本NEC、東芝、日立等公司的拒絕。
最終，三星通過美國幾家陷入困境的小型半導體公司找到門路。當時美國鎂光科技規模還很小，已經被日本廉價DRAM擠壓得喘不過氣，還要投錢研發256K DRAM產品。於是鎂光將64K DRAM的技術授權給了韓國三星。三星又從加州西翠克斯（CITRIX）公司買到了高速處理金屬氧化物的設計。獲得兩家美國公司技術後，三星分別在美國矽穀和漢城南部30公裏的龍仁市器興（Giheung），設立兩個研發團隊，招募韓裔美國工程師，日以繼夜地消化吸收技術。矽穀團隊負責收集美國的產業技術資訊。器興團隊負責建設工廠，熟悉三星從日本夏普手裏弄來的量產製程設備。日本夏普由於被通產省歸類為消費電子公司，而非IC半導體公司，因此不受出口技術規範管製。三星找到這個漏洞，從夏普買來設備。六個月後，三星的工程師成功掌握了，量產64K DRAM的301項流程，和其中8項核心技術，順利製造出生產模組。
1983年12月1日，三星電子社長薑振求召開記者招待會，宣布三星已經繼美、日兩國之後，成功自行研發出64K DRAM。1984年5月，三星第一座DRAM工廠在器興竣工，工期隻用了半年。四個月後開始批量生產的64K DRAM。這比美國研製的同類產品晚了40個月，比日本晚了6年。當時三星生產線上的員工，多數是農村來的婦女，文化素質不高，但是服從性好。工廠技術管理，主要靠三星從美國高薪招募回來的韓裔工程師。
（1985年，中國江蘇無錫江南無線電廠（742廠），開始批量生產64K DRAM，隻比韓國三星晚一年。後來無錫742廠，創造了蓋一座6英寸晶圓廠，居然耗時長達8年的經濟奇聞。中國電子工業至此，已經在官僚體係的玩弄下徹底垮掉。）
1989年，韓國通過官產學聯合，用國家力量完成對1M和4M DRAM的技術攻關。實現了韓國對日本DRAM產業的技術追趕。
巨額虧損三億美元——三星承受巨大壓力
1984年，三星又募集到3346億韓元（4.45億美元），開始研發最先進的256K DRAM，並建設第二座DRAM工廠，於1985年5月21日竣工，工廠投資達1900億韓元（2.52億美元），采用當時世界最先進的6英寸晶圓。而美國和日本企業當時還在采用4英寸晶圓生產。這就使三星的DRAM立刻具備了製造成本優勢。三星為研製256K DRAM，也是組建了兩個技術團隊，再次從美國鎂光科技引進產品設計授權。
鎂光在1984年成功開發出，世界最小的256K DRAM。然而此時鎂光在日本重壓下，已經瀕臨破產，被迫裁減1400名員工，並將最新開發的256K DRAM授權給韓國三星，以獲得續命資金。由於三星已經掌握了64K DRAM的量產技術，研究小組隻需專注於幾項關鍵技術，所以這次開發在7個月內就完成了。三星就這樣撿了一個天大的便宜，把與美國日本的技術差距，從4年縮短到2年。日本人絕對想不到，被他們逼死的美國企業，會通過韓國企業來複仇雪恨，最後將日本企業逼死。
然而此時三星也遭遇到景氣危機。1985年，由於日本廠商傾銷，DRAM價格迅速下滑。64K DRAM由1984年的3美元，暴跌到1985年中旬的0.75美元。而三星此時的生產成本是1.3美元/片，生產一片虧損一片。當1985年5月，三星耗費巨資建設的6英寸DRAM晶圓廠竣工之時，256K DRAM已由31美元下降到3美元，三星根本無利可圖。到到1986年底，三星半導體累計虧損達3億美元之巨，股權資本完全虧空。
虧損3億美元是什麽概念呢？當時買一架波音737飛機，也不過3000萬美元。三星一年虧的錢，足夠買10架飛機。1986年中國也有個大項目。上海投資3億美元，從美國麥道進口零件組裝25架MD-82客機，中國組裝的飛機至少還能拿來用。由此可見以當年韓國的貧弱國力，三星的虧損有多慘烈。要知道韓國經濟的發展，主要依靠從外國借貸資金。
1986年初，三星財團頂住巨額虧損，調動各方麵資金追加投資，開始在新工廠批量投產256K DRAM，並出口美國市場。同時期，由於美日半導體協議的約束，日本企業被迫縮減對美國的出口，這給三星帶來了銷售機會。美國為了打壓日本DRAM產業，由英特爾、IBM出麵，聯手對韓國三星進行技術扶植。美國市場的成功，使三星在1987年實現了盈利。三星又積極投入到1M DRAM的研發中，追趕強大的日本企業。
1986年10月，韓國政府為支撐DRAM產業發展，將4M DRAM列為國家項目。由韓國電子通信研究所(KIST)牽頭，聯合三星、LG、現代與韓國六所大學，一起對4M DRAM進行技術攻關，目標是到1989年，開發並批量投產4M DRAM，完全消除與日本公司的技術差距。該項目三年中的研發費用達到1.1億美元，韓國政府承擔了其中的57%。到1989年，三星已經能夠量產4M DRAM，幾乎追平了與日本的技術差距，趕超之勢愈加明顯。
引進技術——八仙過海各顯神通
繼三星之後，韓國LG、現代，也通過引進國外技術，積累了核心技術能力。1984年，LG半導體接管了韓國電子技術研究所（KIET），掌握了老舊的3英寸晶圓生產線。1986年，LG投資1.35億美元，從美國AMD公司獲得技術授權，並和美國AT&T下屬的西方電子（Western Electric）成立合資公司。LG曾經試圖購買AT&T的256K DRAM以超越三星，結果未能如願。LG因此在64K產品上落後於三星和現代。直至1989年，LG與日立簽署技術轉移協議，才取得穩定的技術來源。由於韓國當時已經完成對1M和4M DRAM的技術攻關。於是日立將自己的1M和4M DRAM量產技術轉移給LG，LG支付幾百萬美元的專利授權費用，產品以OEM方式直接出口給日立。日立這樣做，主要是為了獲得穩定的OEM供貨來源，使日立公司能夠騰出人力，專注於下一代16M DRAM的製程研發。同時，也可以使日立控製韓國競爭對手的產能。
韓國現代則比較特殊，這個財團以汽車造船和重型機械為主，幾乎沒有任何電子產業經驗。但是為了保持在汽車等產業的技術競爭力，勢必要發展電子工業。於是在1982年底，現代投資高達4億美元，啟動半導體研製項目。現代效仿三星，也在韓國和美國矽穀設置了兩個研發團隊。國內是由114名工程師組成的半導體實驗室，矽穀建立了現代電子的子公司，由韓裔美國工程師組成。1984年，韓國現代從矽穀華人陳正宇博士，經營的美國茂矽（Mosel）公司，購買64K SRAM設計，開發出16K SDRAM芯片並量產。由於缺乏經驗，導致現代的量產成品率低。（陳正宇隨後回到台灣，成立了台灣茂矽電子。）
無法承受虧損壓力——韓國大宇退出DRAM市場
麵臨技術障礙的現代電子，被迫轉向OEM代工方式，獲得技術來源。1985年前後，由於美國廠商在日本進攻下節節敗退，美國德州儀器為降低製造成本，與韓國現代簽訂OEM協議，由德州儀器提供64K DRAM的工藝流程，改善產品良率。1986年，現代電子成為韓國第二家，量產64K產品的製造商（比三星慢了兩年）。由於技術基礎薄弱，現代的市場占有率遠弱於三星和日本企業。由於DRAM市場不景氣，現代承受了巨額虧損。幸好現代是大型財團，可以從汽車造船等其他部門，挪用資金來支持現代電子。事實上，現代電子從1982年投資4億美元到DRAM產業，要等10年後才能收回全部投資。尤其在前三年，現代電子承受了數億美元的巨額虧損。韓國大宇則在技術和資金壓力下，完全退出了DRAM市場競爭。
1982年至1986年間，韓國四大財團在DRAM領域，進行了超過15億美元的瘋狂投資，相當於同期台灣投入的10倍。同時期，中國上海寶鋼項目投資40億美元左右。但是在電子工業方麵，中國政府幾乎放棄了產業主導權。各省市胡亂花費了3-5億美元，購買外國淘汰技術，根本未能形成技術競爭力。而且在廣東、福建、海南、浙江等沿海省份，巨額走私日本、美國、台灣電子元器件的衝擊下，中國電子工業徹底崩潰，就這樣跪了三十年也沒能爬起來。
麵對韓國企業咄咄逼人的追趕態勢，日本廠商以低於韓國產品成本一半的價格，向市場大量拋售產品，有意迫使韓國人出局。結果韓國大型財團不但頂住巨額虧損壓力，追加投資，還讓日本企業承擔了美國反傾銷的壓力。美國與日本的紛爭，讓韓國漁翁得利。1992年，韓國三星超越日本NEC，首次成為世界第一大DRAM內存製造商，並在其後連續蟬聯了25年世界第一。
1990年8月，韓國三星成為世界第三個推出16M DRAM內存芯片的企業。
韓國產業擴張——補齊短板搶占市場
從1990年開始，韓國三大企業已經具備了，趕超日本DRAM產業的技術體係建設。三星建立了26個研發中心，LG和現代各有18、14個研發中心。與之對應的是，三星的技術研究費用成倍增加。1980年三星在半導體領域的研發費用僅有850萬美元，到1994年已經高達9億美元。1990年三星還落後日本，第三個推出16M DRAM產品。到1992年，三星領先日本，推出世界第一個64M DRAM產品。1996年，三星開發出世界第一個1GB DRAM。與研發費用相對應，1989年韓國的專利技術應用有708項，1994年竄升至3336項。
但是作為產業後進者的韓國，仍然存在致命短板。韓國的核心生產設備和原料，主要從美國、日本進口。僅在1995年，韓國就進口了價值25億美元的半導體生產設備，其中47%自日本進口，30%來自美國。由於日本政府在設備管製方麵的漏洞，韓國可以輕易買到日本先進設備，但是卻很難從日本引進技術。為了減少對外國供應商的依賴，1994年，由韓國政府主導，推出總預算2000億韓元（2.5億美元）的半導體設備國產化項目，鼓勵韓國企業投資設備和原料供應鏈。韓國貿工部在漢城南部80公裏的鬆炭和天安，設立兩個工業園區，專門供給半導體設備廠商設廠。為了挖來技術，韓國以優厚條件招攬美國化工巨頭杜邦、矽片原料巨頭MEMC、日本DNS（大日本網屏）等廠商，在韓國設立合資公司。
完成量產技術積累後，韓國企業開始向產業廣度擴張，以三星為例：三星從美國SUN公司引進JAVA處理器技術，從法國STM（意法半導體）引進DSP芯片技術，從英國ARM引進聲音處理芯片技術，與日本東芝、NEC、衝電氣（OKI）展開新型閃存方麵的技術交流。通過與美國、歐洲企業建立聯盟合作關係，三星在DRAM之外，獲得了大量芯片產業資源，開始向微處理器（CPU）等領域快速擴張。
1995年美國微軟公司推出Windows 95操作係統，受此影響，韓國與日本廠商瘋狂擴充產能，導致DRAM產品供過於求，引發DRAM價格暴跌70%。但是在美國的刻意扶植下，韓國廠商仍然力壓日本。1996年，韓國三星電子的DRAM芯片出口額達到62億美元，居世界第一，日本NEC居第二。韓國現代電子以21.26億美元居第三位。LG半導體以15.4億美元居第九位。
雖然產能在不斷增加，但為此投入的巨額資金，使得韓國和日本廠商都背負著巨額債務。當潮水退去時，才看出誰在裸泳。
1997年前後，韓國首都漢城，寸土寸金的江南區，蓋滿高樓大廈，與一旁的貧民窟窩棚，形成鮮明反差。
亞洲金融風暴——美國收割韓國經濟成果
1997年11月，美國華爾街金融盜賊，發動亞洲金融危機，從泰國、馬來西亞、香港、中國大陸，一路蔓延到韓國，使得以重度借債維持發展的韓國經濟，遭到致命打擊。在1997年之前，韓國企業為了維持高速擴張，平均負債率超過400%。韓國前30大企業的平均負債，更是高達518%。外債占到韓國GDP總額的27%。更為致命是的，韓國外債中，短期外債占到58%。而韓國本身並沒有高額的外匯儲備來應付危機。
韓國的人均GDP在1995年突破1萬美元，按照國際慣例普遍會出現經濟減速。但韓國政府為了強力維持經濟增速，仍然在大量借貸投資。到1996年，韓國外債已高達1633億美元，而外匯儲備僅有332億美元。短期外債是外匯儲備的3倍。亞洲金融危機爆發後，韓國股市隨之暴跌，韓元匯率急劇貶值，外國投資大量撤出。韓國前30大財閥全部陷入困境，現代、大宇、起亞等以重工製造業為主的財閥，瀕臨破產倒閉。為了穩定市場情緒，韓國政府出資救市，導致外匯儲備幾乎耗盡，暴降至可憐的38億美元。韓國政府被迫向IMF（國際貨幣基金組織）求助。
為了獲得550億美元救急資金，1997年12月，韓國金大中政府與IMF簽訂了條件苛刻的協議：對外資開放資本市場，準許外資並購韓國企業。到1998年2月，韓國金融機構的不良債權高達236萬億韓元（約2000億美元），成為亞洲第一債務國。為了幫助國家渡過危機，350萬韓國人自願捐獻了226噸黃金飾品（21.5億美元）。所有黃金都融化成金錠，送往美國華盛頓的IMF總部，用於償還債務。
1998年2月，韓國政府為了獲得IMF援助資金，在IMF的督促下，政府修改《勞動法》，放寬解雇條件，韓國各企業在一年內，解雇了150萬名員工，引發大量抗議活動。抗議者舉著IMF=我被解雇的牌子。
債台高築——從瀕臨破產到起死回生
作為韓國經濟龍頭的三星集團，擁有20萬名員工，此時已經陷入崩潰。三星集團負債高達180億美元，幾乎是公司淨資產的3倍，負債率達366%。一個月的虧損額達2.13億美元。三星向美國財團緊急援助。1997年12月，美國高盛集團總裁約翰·科讚(John Koza)一行抵達韓國，協助三星清理資產。雙方協商後，三星會長李健熙決定，除了三星電子、三星人壽保險、三星物產等核心業務外，其他公司都交由高盛找買主處理掉。此前，李健熙赴美國考察，已經謀劃將三星的業務向電子信息化轉型。
1998年3月22日，李健熙發表悲壯的宣言：“為了克服危機，我甚至不惜拋棄生命、財產及名譽來挽救三星！”。在韓國政府支持下，三星電子將下屬8.4萬名勞工中的30%裁員，2.5萬人就此失業。整個集團的裁員人數達到5.4萬人。為了獲得現金推進轉型，李健熙開始大規模拋售資產，連三星電子當年起家的富川工廠，都以2000億韓元的價格賣了。已經上市銷售的三星汽車，後來賣給了法國雷諾。在產業結構瘦身後，三星電子製定了專攻CDMA手機、DRAM半導體、TFT液晶麵板、液晶電視的戰略。韓國政府隨即出台產業政策配合。1998年韓國政府在金融危機的背景下，出台四年計劃，要投資2650億韓元（2億美元），引導企業向高性能CPU處理器、12英寸晶圓設備等尖端領域發展。其中韓國政府出資占1390億韓元。調整產業結構需要大規模的資金投入。三星集團為此向外國資本大量出售股權，從美國市場籌集資金。
恰恰是投資巨大的三星電子，最終拯救了三星集團。1998年，三星電子的TFT液晶麵板，出貨量超過日本夏普，躍居世界第一；並搶在日本前麵，成功投產128M、256M SDRAM，研製出世界最先進的1G SDRAM。當時恰逢微軟公司發布Windows 98操作係統，引發了內存升級熱潮。中國市場上電腦內存緊缺，幾乎一天一個價。普通的32M內存售價高達300多元，相當於普通工人半個月的工資。64M內存的售價更是高達700-900元，而且供不應求。隨著Windows 98係統引發的個人組裝電腦熱潮，世界個人計算機產業進入爆發期，日本和韓國又在DRAM產業進行產量大戰，導致內存價格下跌。
1999年8月，韓國三星在中國市場推出SGH--600C型GSM手機，經典的一款翻蓋手機，天線可以抽出。當年全套售價4500元，相當於普通工人6個月工資。當年中國下崗工人的生活費，一個月不過130元。
產業爆發——韓國三星的巨額利益
液晶和DRAM產業的成功，幫助三星集團獲得了巨額盈利。1999年7月，三星率先將1G DDR DRAM投產。1999年10月，三星接到了美國戴爾電腦，價值85億美元的液晶顯示器訂單。蘋果向三星投資1億美元，生產手機液晶屏。到1999年底，三星集團實現利潤3.17萬億韓元（27.94億美元）。
到2000年，三星集團的利潤更是高達8.3萬億韓元（73.19億美元），相當於過去60年三星獲利總額。三星電子成為三星集團名副其實的現金牛。2000年，三星還用英國ARM架構授權，開發了第一代移動CPU處理器S3C44B0X。到2015年已經更新了17代產品，出現了質的飛躍，使得三星手機能夠使用自家研製的Exynos芯片。
三星發展手機業務，也是依靠美國扶持。早在1977年，三星和美國通信巨頭GET成立合資公司，生產電話設備。GET(通用電話電子公司 )，當時是美國最大的獨立電話公司，有20萬名員工。1988年三星將通信業務並入了三星電子。直到1990年代，三星電子的通訊業務還不起眼，在韓國本土市場也排在摩托羅拉後麵。而美國與歐洲關於2G通信標準的爭端，給三星帶來機會。三星加入美國支持的CDMA陣營，對抗歐洲的GSM陣營。中國則是在GSM和CDMA兩邊下注。在獲得中國和美國市場支持下，三星手機從2000年後開始飛速發展。
手機、液晶屏、DRAM芯片，就這樣成為三星的聚寶盆，然而它們最大的市場——全部在中國。因為中國是世界第一大手機製造國（年產21億台）、第一大電視機製造國（年產1.75億台）、第一大電腦製造國（年產1.5億台），同時也是最大的消費市場。美國通過扶植韓國三星，間接收割中國產業利益。
1998年5月15日，《人民日報》頭版頭條報道，國有企業下崗職工基本生活保障和再就業工作會議開幕。1998年至2000年，中國全國國有企業，共下崗職工2137萬人，超過澳大利亞全國人口。劉歡還唱了一首《從頭再來》，實在令人可悲可歎。幾十萬家國企破產，造就了多少百億級的億萬富豪，感興趣的可以去數數。
中國市場——韓國企業如何發達
1998年11月，韓國經濟危機時，總統金大中訪問中國，向朱鎔基總理提出了人民幣不貶值的請求，以及經濟合作方案：允許韓國企業在華建立進口車零部件組裝工廠（北京現代、東風悅達起亞）、中國引進韓國CDMA通信技術（三星為主），對韓國手機、汽車、家電、化妝品等產品進入中國市場開放門檻。當時中國正處於經濟大蕭條中，全國幾十萬家國有企業破產倒閉，超過2000萬工人下崗失業。四大國有銀行存在巨額壞賬。下崗工人的慘狀，至今還曆曆在目。然而為了從政治方麵拉攏韓國，中國政府輕易就將汽車、電子，這些戰略性產業的市場，拱手讓給了韓國。2000年以後，韓國經濟的高速發展。極大地受益於其占領的中國市場，每年賺取數百億美元貿易順差。而中國的電子產業，就此被韓國企業牢牢壓製了二十年，至今沒有翻身。
韓國獲得了中國市場，而實際收割經濟利益的卻是美國人。亞洲金融危機後，韓國在IMF壓力下，被迫放寬外資持股比例。現代集團為了應付危機，引入了84.84億美元的巨額外國資本。到2000年，現代電子的外資持股比例為38.5%，三星電子的外資比例更是高達57%，不禁令人猜想，三星當時拿到了多少外國投資。
金融危機期間，現代與LG都陷入困境，但是由於外資的介入，現代電子開始籌劃並購LG半導體的項目。1999年4月23日，現代電子以2.56萬億韓元（21.3億美元）並購LG半導，成為韓國第二大DRAM廠商，占據全球市場20.3%。但是到2000年5月，現代集團已經因負債469億美元而瀕臨破產。為了避免被集團債務拖垮，現代汽車、現代重工等部門，紛紛宣布脫離現代集團。2000年9月，現代集團將現代電子11%的股權，出售給美國萬國寶通集團。2001年3月，現代電子更名為海力士（Hynix），其後宣布宣布脫離集團自立門戶。這一時期，由於虧損嚴重，海力士極其困難，連內部食堂的配菜，都從一飯五菜，減少到一飯三菜。2002年11月20日，海力士為籌集資金，以3.8億美元的價格，將旗下TFT-LCD部門，整體售給中國北京京東方集團。海力士就此專注於DRAM領域。
無錫海力士廠房，由無錫市政府負責投資建設，花了近20億元巨資建好後，再租賃給韓國海力士使用。
無錫海力士——區區3億美元玩轉20億美元投資
2003年，韓國海力士拿著從北京京東方那裏籌來的3億多美元，準備到中國設立工廠，以降低進口關稅及製造成本，後來還拉來了意法半導體一起合作建廠。在深圳、蘇州、上海、南京和無錫轉了一圈後，中國各個城市拿出巨額優惠條件，搶著要海力士在本地設廠，因為當時中國缺少8英寸晶圓廠。最後是江蘇無錫市政府，同意了韓國方麵的苛刻條件，拿下了這個項目。2004年8月18日，無錫與外方簽約，達成協議。
海力士-意法項目計劃總投資20億美元，建設一座12英寸晶圓廠（月產能1.8萬片），與一座8英寸晶圓廠（月產能5萬片）。但外資方麵隻出10億美元，包括2億美元的二手設備折價、5.5億美元現金和2.5億美元股東貸款。另外10億美元要無錫市政府協助，向中國的銀行貸款。無錫市政府還要出資3億美元，建設兩座占地54萬平方米，和麵積32萬平方米的晶圓廠房，租賃給韓國海力士及意法半導體使用。僅僅建設廠房，無錫市就拆遷了整個地塊700多戶農家、26家企業、20多個家庭小工廠及1所學校。
2006年4月14日，海力士90納米技術生產的8英寸晶圓順利下線，合格率超過95%。在工商銀行江蘇省分行牽頭下，11家中資銀行、9家外資銀行組成貸款銀團，對無錫海力士項目放貸5年期7.5億美元貸款，借款人以包括價值13億美元的半導體設備，和其他所有固定資產作為抵押。
2006年無錫海力士投產後，一躍成為中國最大的晶圓廠。海力士拿著韓國利川工廠淘汰的8英寸晶圓設備，依靠中國資金、中國土地、中國工人、中國市場，用區區3億美元撬動了一項20億美元的投資。2007年9月，無錫海力士剛剛投產僅1年，由於全球金融危機引發DRAM價格暴跌，8英寸晶圓廠停產。韓國海力士便以3.8億美元的高價，將8英寸廠出售給了台灣人陳正宇經營的無錫華潤上華半導體。在賣出8英寸晶圓廠後，韓國海力士又向中國商務部提出，增資15億美元再建一座12英寸晶圓廠（80納米工藝），並迅速通過審批。
2008年，由於全球金融危機導致DRAM產業不景氣，海力士銷售額下降至49億美元，淨虧損32億美元，負債總額高達7.8萬億韓元（70.7億美元），資產負債率達130%，被迫進行裁員，並出售美國Oregon的8英寸晶圓廠。2009年第一季度，海力士淨虧損為1.19萬億韓元（9.33億美元）。
2009年第二季度，海力士淨虧損為580億韓元（0.45億美元）。
到2009年下半年，全球DRAM市場止跌回升，價格大幅上漲。2010年第一季度，海力士淨利潤7.38億美元。2010年全年，海力士全球銷售額達到12萬億韓元（107億美元），淨利潤26.7億美元。
如此過山車般的巨額虧損與盈利，足見DRAM芯片行業的市場險惡。沒有強力資金支持的企業，根本沒有玩下去的勇氣。2012年初，韓國第三大財團SK財團，以3.4萬億韓元（30億美元），收購海力士21.05%的股份，從而入主這家內存大廠。終於使海力士獲得了強大資金靠山，從而與韓國三星一起，成為韓國稱霸內存芯片市場的兩大豪強。
2013年9月4日下午15點40分，江蘇無錫新區海力士公司，某車間發生重大火災事故。事發後，無錫公安消防支隊，出動了9個中隊240餘名消防官兵，趕赴事發現場參與撲救，截至傍晚18點現場時明火撲滅，被救出的10名傷員已經送至市人民醫院和新區醫院救治。該次火災損失超過9億美元，引發全球DRAM內存市場震蕩。
能引發DRAM價格暴漲的，除了韓國工廠火災，還有台灣地震。
超級工程一覽：DRAM芯片戰爭
——1970-2017輸贏千億美元的生死搏殺【5】
1974年，台灣省台北市航拍照片，可能是重慶北路與民族東路，由美國戰略司令部（STRATCOM）陸軍航空隊（USACC）George Lane拍攝。1972年中美發表《上海公報》，明確美軍要撤離台灣。1974年越南戰爭末期，駐台灣美軍還有三千餘人。美國尼克鬆政府為避免中美軍事對抗，從台灣台南基地，撤出部署的核武器，至1979年美軍完全撤離台灣。
我國台灣省是電子組裝業重鎮，但是在DRAM產業上，卻輸得一敗塗地。過去三十年來，台灣省向DRAM產業投入了超過16000億元新台幣（折合五百億美元），動員了超過20000名科技菁英，最後卻負債累累，連年巨額虧損，成為無底黑洞一般的“經濟慘業”。其失敗經曆，對中國大陸發展DRAM產業，極具教育意義。
台灣的半導體產業，與韓國有著相似的經曆，也是美國產業技術轉移的結果。1965年，美國在越南戰場越陷越深，財政負擔加重的情況下，美國便考慮減少對台灣援助，扶植其經濟自立。為了配合美國，1966年12月，台灣官方在高雄市前鎮區，設立了台灣第一個（高雄）出口加工區。美國通用儀器（GI）在高雄設廠，從事晶體管裝配，拉開了美國向台灣轉移電子代工業的序幕。
1977年10月29日，台灣省工研院的3英寸晶圓中試生產線落成，經濟部長孫運璿進行視察。
台灣第一座晶圓廠——工研院從美國購買技術設備
1967-1970年間，台灣人工極其便宜，工人月薪才20美元，僅為美國同等職位薪資的5%。低廉的人工成本，吸引大批外商如：美國德州儀器、美國艾德蒙（AOC）、荷蘭飛利浦建元電子、日立電子、三菱菱生等在台設廠。1969年台灣省經濟部長孫運璿訪問韓國，看到韓國科學技術研究院，高薪聘請美國韓裔研究人員回國，推動韓國電子、化工和紡織發展。於是在1973年，台灣決定效仿韓國，將台灣省原有的幾家石化類研究所，合並改組為“台灣工業技術研究院”（簡稱工研院）。
由於台灣的電子產業毫無技術根基。1974年，台灣工研院成立了電子工業研究中心，由政府扶植台灣電子產業基礎技術研究。1975年由台灣省政府出資，推動“積體電路示範工廠設置計劃”。台灣所謂的“積體電路”，即中國大陸的集成電路。當時由曾在美國RCA公司擔任微波研究室主任的潘文淵從中牽線，台灣耗資4.89億元新台幣（約1287萬美元），由工研院電子中心，向美國RCA（美國無線電公司），購買3英寸晶圓生產線，采用7微米CMOS製程。同時向美國IMR公司購買光罩掩膜製版。
與此同時，台灣派出40多位留學人員，到美國RCA進行培訓。他們中的很多人，後來成為台灣電子產業舉足輕重的人物。如聯發科董事長蔡明介，當時就是工研院主攻IC設計的研發人員。台灣工研院在晶圓廠建設調試階段的第一個產品，是為軍方服務。當時台灣偽國防部經常向中國大陸，釋放空飄氣球投遞政宣傳單。要求劉英達等技術人員，設計一個可以根據風向、風速在中國沿海指定地點上空，定時引爆氣球的電路。這片試生產的集成電路後來命名為CIC001。
1977年10月，台灣工研院建成了第一條3英寸晶圓生產線，比韓國要早一年。1978年1月，工研院成功生產出電子鍾表上使用的TA10039器件。此舉使台灣迅速成為世界三大電子鍾表出口地之一。1979年4月，工研院電子中心升格為電子工業研究所（簡稱工研院電子所）。由於電子產業投資數額高、技術風險大，台灣民營企業不願意投入。台灣省政府於是指令由工研院電子所出麵，籌建商業公司。
這裏需要說明的是：早在1973年，中國大陸趁著中美關係緩和，和世界石油危機，歐美經濟衰退的機會，計劃耗資1億美元，從歐美國家引進七條當時世界最先進的3英寸晶圓生產線。這比台灣工研院要早2年，比韓國早4年。但是由於歐美國家的技術封鎖政策，直至1980年，3英寸晶圓廠已經逐漸落後淘汰，中國大陸才得以進口二手設備，在北京東光電工廠（878廠），建成第一座3英寸晶圓廠，比台灣晚了三年。在美國刻意扶植下，台灣集成電路產業，僅用十年時間，迅速反超中國大陸。
台灣新竹科學工業園區，右側十字路口，屋頂鋪黑色太陽能板的就是聯華電子，台灣第一座4英寸晶圓廠。
台灣聯華電子——沒人願意投資的搖錢樹
1979年9月，台灣工研院電子所成立了聯華電子公司籌備辦公室，計劃集資8億元新台幣（2162萬美元），並邀請聲寶、大同、東元、裕隆等民營企業加入。結果這些大企業消極抵抗。在行政院長孫運璿再三說服下，最終隻籌集到5億元新台幣，其中政府占股居然高達70%。1980年5月，聯華電子成立後，進駐新成立的新竹科學園區，由電子所副所長曹興誠負責，從美國引進4英寸晶圓生產線，主要生產電子表、電子樂器、程控電話等民用產品IC部件。到1985年聯華的營業額達到12.89億元（約3200萬美元），獲利2.17億元，成為台灣產業新貴，豐厚的利潤立時讓人眼紅。
1983年7月，台灣省經濟部決定啟動“電子工業研究發展第3期計劃”，目標是緊跟日本、韓國，投資29.84億元新台幣（0.765億美元），用於發展超大規模集成電路（VLSI），實現1988年前達到1.25微米製程的能力。工研院同時將新開發的3.5微米CMOS製程轉讓給聯華。這次台灣效仿韓國三星的做法，在美國矽穀設立合資企業。台灣聯華在1984年並購了美國矽穀的亞瑞科技，使得亞瑞成為聯華在美國矽穀的研發據點，以此獲得美國技術情報。
1976年，美國佛羅裏達州，台灣工研院送到美國RCA接受3英寸晶圓廠培訓人員。左起王國肇（創惟科技董事長）、林緒德、楊丁元（華邦電子創辦人）、蔡明介（聯發科創辦人）、萬學耘、章青駒（世界先進董事長）、謝錦銘、謝開良、劉長誠。
電子代工——沒有工廠怎麽辦
1984年，台灣工研院還與美籍華人歐植林博士（香港人），合資成立美國華智公司（Vitelic，1991年被茂矽並購）。美國華智由台灣交通銀行和日本京瓷投資下，在台灣省設立分公司。1985年台灣華智在聯華幫助下，成功試產出64K DRAM和256K DRAM，采用1.5微米CMOS製程。同年江蘇無錫742廠也開始生產64K DRAM。這一時期，台灣、韓國和中國大陸，幾乎處於同一起跑線上。但三方在產業投資上的巨大差距，造成了其後韓國遙遠領先，並一舉擊敗日本的局麵。而台灣和中國大陸，缺乏巨額投資的魄力，就此一路落敗。
1984年，曾在美國仙童公司工作過的陳正宇博士，將掌握的16K/64K SRAM技術，轉讓給韓國現代電子。然後陳正宇拿著錢回到台灣，創建了茂矽電子（Mosel）。茂矽先利用聯華的晶圓廠進行16K/64K SRAM試生產。但是到了1985年，由於日本廠商海量鋪貨，導致DRAM產業進入衰退周期，難以籌措資金，台灣華智和茂矽的建廠工程不斷延期。為了盡快盈利，華智采用委托日本索尼和韓國現代進行OEM，代工生產256K DRAM。茂矽則將16K SRAM委托富士通生產，64K SRAM委托韓國現代電子生產，其後開發的256K SRAM委托日本夏普生產。
麵對有技術，卻沒有晶圓廠生產的窘境，台灣官方曾考慮重點扶植聯華電子，解決產能問題。但是經過估算，新建晶圓廠總投資要達到200億元新台幣（5億美元），而茂矽和華智的訂單，並不足以支撐晶圓廠運營。在1985年，整個台灣的半導體產值，也僅有3.82億美元而已，產業規模比中國大陸還小得多，而且主要集中在低端民用消費品領域。
中國大陸的集成電路產業，當時主要依靠1970年代，毛澤東主導中美關係緩和後，在上海、北京、湖南等地新建的幾十家集成電路工廠。到1980年代急需進行技術設備升級，而中央政府卻以財政緊張等理由，停止國家撥款，導致中國電子產業迅速被技術革命淘汰。也是在1985年，中國各級政府、企業機關進口了10.6萬輛小轎車，花費29.5億美元巨額資金。官僚體係大肆吃喝享樂，貪汙腐敗耗費的巨額資金，抽幹了中國工業體係進行技術升級的血液，最終導致中國汽車、電子、紡織、機械、航空工業，在1990年代全麵垮掉，全國幾十萬家國有企業破產倒閉，超過4000萬人下崗失業。
1985年，台灣清華大學相思湖畔，左起清大校長毛高文、工研院董事長徐賢修、工研院院長方賢齊、剛剛返回台灣的張忠謀、潘文淵是工研院向美國RCA引進晶圓技術的主要策劃者、接著是清大工學院院長李家同、工研院副院長胡定華。
張忠謀回台灣——提出晶圓代工模式
1985年8月，美國德州儀器的資深副總裁張忠謀，辭去工作，回到台灣出任工研院院長。針對茂矽和華智等企業，缺少生產工廠的困境，張忠謀提出了設立專業IC代工廠的設想，為那些沒有晶圓廠的半導體設計公司，提供代工生產。恰巧此時，荷蘭飛利浦公司希望在台灣設立晶圓廠，與工研院進行了洽談。在孫運璿、李國鼎等政界要人的支持下，1987年2月，台灣積體電路製造公司（TSMC）正式成立。由台灣省“行政院國家開發基金”出資1億美金，占股48.3%，荷蘭飛利浦占股27.5%，台塑等7家私營企業占股24.2%。由於台灣企業並不願意投資晶圓廠，導致巨額資金難以到位（5年後才陸續湊齊），台積電最初隻能使用工研院電子所那條老舊的3英寸試驗生產線。直至1992年，在獲得巨額貸款後，建成了月產能7.6萬片的6寸晶圓廠。
1987年9月，台灣電纜行業的龍頭，華新麗華的創始人焦廷標，看到日本、韓國的DRAM行業前景可觀，於是拉來台灣工研院電子所的楊丁元、陳錦溏等技術人員，投資5億元新台幣，成立了華邦電子。同時焦廷標投資300萬新台幣給茂矽電子，支持其進行SRAM研發工作，與華邦共享技術成果。華邦電子後來發展成為台灣DRAM大廠之一。
總的來說，1980年代前期，台灣的電子產業剛剛起步，產業規模遠不如日本、韓國，甚至不如中國大陸。中國大陸在計劃經濟體製下，由電子工業部管理的超過2500家電子廠和科研院所，擁有強大的軍用電子技術根基。隻是到了1980年代後期，在政府高層“以市場換技術”的買辦政策下自廢武功，放縱日本、韓國、台灣電子器件，以走私形式衝擊中國市場。而台灣在此期間，通過為美國配套生產電腦周邊產品，積累了產業能量。
台灣DRAM產業起步——宏碁電腦咬牙進場
1989年，台灣宏碁電腦（占股74%）與美國德州儀器（占股26%）合資，設立德碁半導體，投資31億元新台幣（1.2億美元），由德州儀器提供技術，在新竹園區建設6英寸晶圓廠，生產1M DRAM產品。這是台灣第一家專業DRAM生產廠。台積電前廠長高啟全，也在這一年，集資8億元新台幣，創立了旺宏電子，後來成為全球最大的隻讀存儲器(ROM)生產商。
宏碁電腦最早是1976年，由施振榮等人創辦的一家小公司，靠生產計算器起家，後來生產小教授掌上學習機壯大，1988年宏碁股票上市。憑借台灣股市瘋狂上漲籌措到充裕資金，宏碁看好電腦行業，便一頭紮進了DRAM產業。但是等到德碁設廠後，市場已經向4M DRAM過渡，宏碁隻好追加投資。1990年前後，內存市場不景氣加上台灣股市暴跌，逼迫德碁咬牙發行了9億元的三年期特別股，年息5%，期滿後由宏碁購回。
麵對沉重的資金壓力，宏碁還將16%的德碁股份，轉讓給了中華開發信托公司。宏碁的苦日子熬了三年，直到1992年日本住友半導體環氧樹脂廠爆炸，引發DRAM價格穀底翻升，德碁才扭虧為盈。隨後又建設了一座8英寸晶圓廠。但是由於景氣周期影響，1997至98年德碁累計虧損超過50億元，美國德州儀器也受不了虧損，幹脆把DRAM業務甩賣給了鎂光，跟台灣宏碁的技術合作自然也就終止了。在失去技術來源後，到1999年，宏碁將德碁半導體，高價出售給了台積電，賬麵獲利超過200億元新台幣。德碁也被台積電改造成了晶圓代工廠。
工研院技術攻關——世界先進半途而廢
麵對日本、韓國日新月異的DRAM技術能力，1990年，台灣官方在美國顧問建議下，啟動了“次微米製程技術發展五年計劃”，目標是砸下58.8億元（約2億美元），攻克8英寸晶圓0.5微米製程技術，獲得4M SRAM和16M DRAM的生產能力。聯華電子、台積電、華邦電子、茂矽電子、旺宏電子、天下電子等六家企業參與其中。由於台灣並沒有相關的技術能力，台灣方麵找到了美國IBM公司，負責16M DRAM研製的盧超群博士等人，由他們在台灣設立鈺創科技，將技術轉移到台灣。
由於台灣產業技術薄弱，1990年代之後，工研院電子所和從美國回來的研發人員，成為台灣半導體產業發展的技術源頭。與此同時，美國半導體產業在日本廉價芯片攻勢下節節敗退，大規模裁員也迫使一批矽穀華人，回到台灣創業。
1994年12月，台灣省經濟部為了落實工研院的次微米計劃成果，決定在新竹園區，投資180億元（5億多美元），由台積電占股30%，和華新麗華、矽統、遠東紡織等13家公司合股，成立世界先進積體電路股份有限公司（簡稱世界先進），建設台灣第一座8英寸晶圓廠，以DRAM芯片為主攻業務。然而世界先進的經營狀況很不好，2001年虧損92.93億元，元氣大傷。到2003年，世界先進嚴重虧損，累計虧損達194.12億元，被迫退出了DRAM生產。在台積電主導下，世界先進徹底轉型成了晶圓代工廠。從1994年至2003年，世界先進隻有3年出現獲利，虧損卻長達7年。究其虧損原因，在於企業投資規模太小，產能微不足道，根本無力與韓國三星、日本NEC等巨無霸，進行同場廝殺。而張忠謀並不看好台灣DRAM產業，台積電的晶圓代工產能卻供不應求，於是張忠謀力爭將世界先進，向晶圓代工廠轉型。
世界先進是台灣唯一一家，能夠進行DRAM產業技術研發的企業。其他企業全部是花費巨額資金，從日本、美國獲得製程技術授權。每年付出的技術費用，占銷售額3%以上。再加上巨額進口設備投資，使得台灣企業根本無法與掌握自主技術研發能力的韓國企業競爭。世界先進的垮台，最終導致台灣DRAM產業如同無根之木，注定了失敗命運。
1988年3月22日，台灣日盛證券營業廳內的股市投資人。1986年到1990年，台灣經曆了一次前所未有的股市牛市。台股從1986年的1000點，飆升到1990年2月的12000點，創造了瘋狂的股市致富神話。然而在隨後的8個月裏，股指又從12000點狂瀉至2000多點，泡沫破滅，股市大崩盤，原來人人參與的金錢遊戲變成了無人幸免的噩夢。而台灣電子產業，依靠股市籌集資金，便形成了隻顧擴充產能賺快錢，卻不肯下功夫進行核心技術研發的惡性循環。缺乏核心技術，成為台灣DRAM產業垮掉的根源。
力晶瘋狂投資——十年虧損一年賺回
1993年，台灣電腦主板生產廠——精英（力捷）電腦的董事長黃崇仁，在全球DRAM嚴重缺貨的情況下，跑到日本東芝要貨，卻吃了閉門羹。黃崇仁決定自行投資生產DRAM。在從日本三菱電機獲得技術授權後，1994年黃崇仁投資4億元新台幣，在新竹園區成立了力晶半導體。由於財力薄弱、技術薄弱，力晶麵臨極大的困難，直到1996年才建成了第一條8英寸生產線，以0.4微米工藝生產16M DRAM/SDRAM。1998年2月力晶股票成功上市，但是由於0.18微米製程的生產良率問題，加上市場不景氣，到1998年底，力晶稅前虧損38億元，四年累計虧損65.69億台幣，已經到了存亡關頭。黃崇仁在情急之下，找張忠謀幫忙。張忠謀趁機用台積電控股的世界先進，向力晶注資27億元，獲得日本三菱電機和兼鬆商社釋出的11%力晶股份，成為力晶最大股東。在張忠謀引導下，力晶也開始向晶圓代工轉型。
2000年DRAM產業景氣大好。此時隻有一座8英寸廠的力晶，宣布投資600億元（19億美元）巨額資金，建設12英寸晶圓廠。這是一項極為瘋狂的投資。工程開始後，景氣卻迅速下滑，為了籌集資金，力晶發行了2億美元公司債。到2002年12寸新廠建成，力晶連年虧損。由於三菱電機將DRAM業務並入爾必達，力晶於是和爾必達結成同盟，獲得90納米技術授權。2003年力晶又動工興建了第二座12英寸廠。直至2004年，力晶的12寸晶圓廠，成為全球唯一將256M SDRAM生產成本，降至3美元以下的廠商。當年盈利高達165.49億元（約5億美元），把過去十年賠掉的錢，一次賺了回來。力晶的股價也順勢大漲，成為台灣DRAM股王。
2004年是一個節點，英特爾在向業界力推新規格的DDR2內存，以淘汰DDR內存。全球DRAM產業從8英寸廠向12英寸廠轉移產能，以降低製造成本。一片12英寸晶圓，雖然材料成本比8英寸晶圓貴52%，但是產量是8英寸晶圓的2.25倍，可以使產品顆粒成本下降30%左右。但是8英寸廠的投資額約10-15億美元，12英寸廠的投資額，竟暴漲至20-25億美元。在2000年市場景氣時，幾乎每一家廠商都放話要蓋12英寸晶圓廠，然而經過兩年景氣衰退，還敢投資建設12寸廠的業者，隻剩下了八家——分別是韓國三星、海力士，美國鎂光，德國英飛淩，日本爾必達，台灣的茂德、南亞科技和力晶。無力建設12寸晶圓廠的公司，也就隻好洗牌出局，去做晶圓代工了。2006年力晶與日本爾必達合作成立瑞晶電子，用老舊的8寸生產線，專門做晶圓代工業務。並規劃5年內在台灣中部科學園區，建設4座月產能6萬片的12英寸晶圓廠。總投資額高達4500億元新台幣（約136億美元）。同年瑞晶又將旺宏電子閑置的12寸生產線收購過來，專門進行代工生產。
土豪股東——台塑集團重資下注
1995年3月，台灣龍頭企業台塑集團，成立南亞科技，在台北縣南林園區設立8英寸DRAM廠，月產能3萬片。技術來自日本衝電氣（OKI）授權的16M DRAM。台塑為了解決晶圓供應問題，還投資42億元台幣，與日本小鬆合資成立了專門生產高純度晶圓棒材的工廠。這就使南亞具備了成本優勢。南亞的每片8寸晶圓製造成本約1000美元，比同業的1300-1400美元要低很多。
由於遇到景氣衰退，南亞科技從建廠起就連年虧損。但是憑借台塑集團資本雄厚，1998年7月，南亞科技在DRAM市場最低迷的時候，開工建設第二座8寸晶圓廠，並與美國IBM簽訂了0.2微米64M DRAM的技術授權協議。南亞當時是IBM服務器DRAM的主要供應商之一。到2000年8月，南亞試生產的0.175微米64M DRAM開始大量投片，良率達到70%，每片8寸晶圓可以產出1050顆成品，加上封裝測試費用，每顆成品的成本隻有2美元左右。如果按照月產能3萬片計算，每月可生產3150萬顆左右的DRAM芯片顆粒，價值超過6000萬美元。但是由於產業不景氣，2001年南亞虧損115.64億元（3.5億美元）。幸虧台塑集團籌集巨資才度過難關。
到2002年，全球DRAM產業不景氣，由英特爾主推的Rambus內存，因技術原因敗給了DDR內存，DDR成為市場主流。而南亞憑借DDR內存的成本優勢，盈利100億元（2.86億美元），成為台灣五大DRAM廠中，唯一盈利的廠商。老牌DRAM大廠華邦電子，由於不堪虧損，幹脆轉去做晶圓代工了。
2003年1月，南亞科技與德國英飛淩合資，成立華亞科技，雙方各占股46%，投資22億美元（820億元新台幣），建設12英寸晶圓廠，產量由雙方平分。到2006年，台灣一度轟轟烈烈的DRAM產業熱潮，還剩下六家廠商。其中三家是自主品牌廠商：南亞科技、茂德和力晶。還有三家是專做DRAM代工的廠商：華邦電子、新成立的華亞科技和瑞晶。其中華亞為德國英飛淩代工，瑞晶為日本爾必達代工生產DRAM。
2003年，德國英飛淩與台灣台塑集團合資，成立華亞科技，在桃園縣建設12英寸晶圓廠。照片為華亞科技總部。
德國英飛淩——台灣茂德、南亞、華亞的技術後台
英飛淩前身是德國西門子的半導體部門。1996年，台灣茂矽電子（占股62%）與西門子的半導體部門合資，投資450億元新台幣，在新竹園區成立茂德電子，建設8英寸晶圓廠。采用西門子提供的製程生產DRAM晶圓，產量由兩家分配。1998年由於產業不景氣，西門子半導體部門從集團分離出來，成立了英飛淩，繼承了西門子在半導體領域的三萬多項專利，是當時僅次於三星、鎂光的第三大DRAM廠商，2001年營業額57億歐元。
2001年起，由於DRAM產業不景氣，茂矽虧損300億元新台幣，並大量質押茂德股票，引發與英飛淩的矛盾。2002年10月，英飛淩突然與茂矽中斷合資關係，終止技術授權合約，並停止采購茂德的晶圓。此後茂矽大量回購茂德股票，英飛淩則轉向與南亞科技合作，由此組建了華亞半導體。英飛淩撤資後，茂德為了救急，先後與英飛淩的對手，日本爾必達和韓國海力士達成合作關係。此後的發展非常艱難，2007年金融危機後，茂德便一直虧損，到2012年破產時，負債高達700億元（約21億美元），已經完全資不抵債。
英飛淩與南亞科技合作建設12英寸晶圓廠，希望通過合資方式掌握產能，挑戰三星電子，目標是拿下全球30%的市場。然而建廠耗資巨大，市場卻不景氣。2005年，全球DRAM市場增長了57%，但內存平均價格下跌了40%。英飛淩為了規避風險，於是將虧損嚴重的DRAM業務分離出來，於2006年3月成立了奇夢達（Qimonda）。（2009年奇夢達破產後被中國浪潮集團並購。）
與此同時，2006年3月，南亞科技再次砸下800億元台幣（24億美元），開工建設第二座12英寸晶圓廠。原因是2005年7月，微軟推出了Windows Vista操作係統。台灣廠商押寶該係統，會讓消費者購買更多的DDR2內存。然而市場對Vista的冷淡反應，讓人措手不及。更嚴重的是，一場席卷全球的金融風暴，徹底摧毀了台灣DRAM產業的未來。
全球金融危機——壓垮台灣DRAM產業
2007年8月，由美國次貸危機引發的金融風暴席卷全球。由於內存供過於求，價格出現全麵崩盤。2007年1月，512M 667MHz DDR2顆粒的價格還有6美元，到年底已經跌破成本價，僅為1.09美元。反映在中國市場上，2007年初，一根1GB 667MHz DDR2內存條的售價還在250元左右，甚至在暑期一路漲到360元。但是從8月中旬起，由於內存廠商降價清空庫存，以應對經濟危機，中國海關趁機放寬內存條進口，導致內存價格一路暴跌。到年底1G內存條的價格僅為110元，現代512M DDR2內存條的價格僅有65元。囤貨炒內存條的商家因此虧到吐血。
反映到企業業績上，全球DRAM廠商更是虧到哭。從2007年至2008年底，全球DRAM行業累計虧損超過125億美元，台灣DRAM產業更是全線崩盤。其中資本實力最為雄厚的南亞科技，從2007年起，連續虧損了六年，累計虧損1608.6億元（約49億美元），最慘的時候每股淨值隻剩下0.09元。華亞科技從2008年起，連續虧損五年，累計虧損804.48億元（約24.4億美元）。這兩家由台塑集團投資的DRAM廠，一共虧損2413.08億元（約73億美元）。如果不是台塑集團實力雄厚，南亞與華亞早就破產倒閉了。
2008年最慘的時候，力晶虧損565億元，茂德虧損360.9億元。幾乎每天虧損1億元。台灣五家DRAM廠共虧損1592億元（約48億美元），創曆史紀錄。2009年初，台灣所有DRAM廠家放無薪假。
致命缺陷——台灣缺乏自主核心技術
2008年金融危機越燒越旺時，台灣官方便提出將台灣六家DRAM廠整合的計劃。與韓國相比，台灣六家DRAM廠占全球市場份額還不到20%。也就是說，六家捆到一起，還抵不上韓國三星一家的產能。問題還不僅僅如此，台灣廠商主要存在三個致命問題：一沒有核心技術研發能力，要花大價錢從日本、美國、德國廠商手裏購買技術授權。國際上DRAM廠的平均研發費用要占企業營收的15-20%，而台灣僅6%。每年台灣向外國支付的技術授權費用超過200億元新台幣（約6億美元）。僅2007年，台灣四大DRAM廠支付的技術授權費就高達4.7億美元。
二是沒有製程設備研製能力，台灣每年要花費十幾億美元巨額資金，去購買日本、美國的設備。可是今年花十幾億美元進口的90納米設備，明年別人已經采用65納米製程了。日本、韓國都擁有一定的設備研製能力，在設備成本上要遠低於台灣。三是台灣沒有市場縱深，全要仰賴日本、韓國、美國、中國大陸廠商的采購訂單。平時日本、韓國廠商能扔些訂單到台灣。而一遇經濟危機，日韓訂單萎縮，台灣廠商立時陷入困境。台灣的DRAM產品在容量、性能、品質、價格、品牌上都處於劣勢，怎麽跟韓國競爭？
台灣這種隻圖快進快出，靠購買技術授權、製程設備來快速擴充產能、賺快錢的經營模式。在麵臨韓國、日本財閥式經濟集團的重壓時，根本不堪一擊。
2015年12月，美國鎂光科技以32億美元，並購台灣華亞科技。美國鎂光因此成為台灣最大外資企業。
台灣DRAM產業整合——烏合之眾難成氣候
為挽救債台高築的DRAM廠，台灣官方的計劃是進行產業整合。成立“台灣記憶體公司”（Taiwan Memory Company，TMC），由聯華電子副董事長宣明智負責，對六家DRAM廠進行控股整合。同時與日本爾必達或美國鎂光談判，合作推進自主技術研發。台灣官方希望TMC是一家民營企業，政府投資越少越好，最多不超過300億元新台幣。
由於日本爾必達也在金融風暴中陷入困境，因此願意向台灣提供全部核心技術，以換取台灣的援助資金。但是台灣各家DRAM廠卻並不願意整合。因為各家公司背後都有不同的技術合作對象，采用的技術不同。而且台灣官方的整合計劃，並不能挽救各家工廠的財務困境，因此整合工作很難推進。與此同時，台灣媒體也在火上澆油。如2009年3月7日，台灣自由時報，以《國發基金小心掉進大錢坑》為題，指稱TMC是個錢坑，DRAM產業麵臨產能過剩、流血競爭等局麵。
到2009年10月，“DRAM產業再造方案”在立法院審議時遭到否決，禁止國發基金投資TMC公司。與此同時，由於奇夢達破產和Windows7帶來的換機熱潮，推動DRAM市場景氣回轉，產品價格持續飆升。之前陷入困境的各家廠商，情況出現好轉。日本爾必達也因此拒絕向台灣轉讓核心技術。台灣DRAM產業整合計劃，就此徹底失敗。
市場景氣的暫時回暖，並不能改變台灣DRAM產業小而散、缺乏技術、缺乏競爭力的局麵，注定了它們被淘汰的命運。2010年，韓國三星砸下18萬億韓元（約170億美元，合1100億元人民幣）巨額資金，傾全力發展DRAM和NAND閃存技術，血洗內存產業。日本、台灣廠商迅速敗下陣來。
2012年2月，日本爾必達宣布破產，負債高達4480億日元（89.6億美元），是日本史上最大的破產案件。同月，台灣茂德申請破產保護，虧損總額超過700億元新台幣（約21億美元）。南亞科技在2012年虧損360億元，等於每天賠掉1億元。自從奇夢達破產後，南亞科與美國鎂光結成聯盟。台塑旗下的華亞科技，從2008年至2012年，連續虧損五年，虧損總額達744.98億元（約22.6億美元）。2013年至2014年，華亞科技扭虧為盈，獲利高達741億元（含巨額退稅）。盈虧相抵，僅虧損4億元新台幣。2015年12月，美國鎂光以32億美元（206億元人民幣），收購台灣華亞科技67%的股份。台塑集團終於甩掉了這個燙手山芋。
綜觀台灣DRAM產業發展三十年來，最終落得一地雞毛。究其根源，在於台灣省政府盲目聽信美國主導的自由市場經濟理論。1980年代，台灣省政府還能在產業政策、產業技術上，對DRAM產業進行扶持。到2000年後，盡管陳水扁政府提出了“兩兆雙星”產業政策，但是對DRAM產業、液晶麵板產業缺乏扶持力度，缺乏產業主導能力，導致台灣DRAM、液晶麵板產業，在小而散的錯誤道路上越走越遠，最終被韓國企業全麵擊潰。
台灣的產業失敗經曆，是用500億美元巨額投入換來的。這個教訓足夠深刻。
全球DRAM產業複雜的競爭與合作關係，如同春秋戰國時期的合縱連橫。強者恒強，高度壟斷。
2012年7月6日，台灣新竹科學工業園區航拍，齊柏林拍攝。
超級工程一覽：DRAM芯片戰爭
——1970-2017輸贏千億美元的生死搏殺【6】
1970年4月24日，中國第一顆人造地球衛星“東方紅一號”從酒泉衛星發射中心成功發射。照片為酒泉衛星發射中心，地下13米深處的發射場控製室，牆上還寫著當年留下的主席標語——一定要在不遠的將來趕上和超過世界先進水平。
1949年新中國成立的時候，美國已經在世界第一工業大國的寶座上，穩坐了50年。而中國，是個連汽油鐵皮桶都無法生產的落後農業國。全國五億多人口中，80%以上是文盲，農村文盲率超過95%。就是在這樣的巨大差距下，中國億萬人民由毛主席領導，開始了艱苦卓絕的工業追趕進程，創造了世界曆史上的經濟奇跡。然而結果很不幸，由於1978年改革開放後的錯誤政策，導致中國電子工業全麵垮掉，並在地上跪了三十年，至今也沒能爬起來。
中國電子工業起步——亞洲最完善的電子工業體係
中國電子工業發展，起步於毛澤東時代。1950年抗美援朝戰爭爆發後，為解決軍隊電子通信問題，國家成立電信工業管理局，在北京酒仙橋籌建北京電子管廠（即現在的北京京東方），由民主德國（東德）提供技術援助。該廠總投資1億元，年產1220萬隻，是亞洲最大的電子管廠。除此之外，酒仙橋還建起了規模龐大的北京電機總廠、華北無線電器材聯合廠（下轄706、707、718、751、797、798廠）、北京有線電廠（738廠）、華北光電技術研究所等單位。
1956年國家提出“向科學進軍”，國務院製定科技發展12年規劃，將電子工業列為重點發展目標。中國科學院成立了計算技術研究所（中科院計算所），這是中國第一個電子計算機研究所。為了培養電子工業人才，教育部集中全國五所大學的科研資源，在北京大學設立半導體專業。由黃昆博士、謝希德博士、高鼎三等留學回國的著名教授講課。1957年畢業的第一批學生中，出現了大批人才。如中芯國際董事長王陽元、華晶集團總工程師許居衍、電子工業部總工程師俞忠鈺。
1958年，上海組建華東計算技術研究所，及上海元件五廠、上海電子管廠、上海無線電十四廠等企業。使上海和北京，成為中國電子工業的南北兩大基地。1960年中國科學院成立半導體研究所，集中了王守武博士、黃昆博士、林蘭英博士等著名海外歸國專家。同年組建河北半導體研究所（現為中電集團第13所），進行工業技術攻關。1962年由中科院半導體所，組建全國半導體測試中心。1963年中央政府組建第四機械工業部，主管全國電子工業（1982年改組為電子工業部），由通信專家王諍中將任部長。
中國早期電子工業，主要以軍事項目為牽引，研製軍用航空電子設備、彈道導彈控製設備、核武器配套電子設備、軍用雷達、軍用通訊器材、軍用電子計算機等產品。1958年開始研製東方紅衛星後，又將防輻射級太空電路列入研究項目。這一時期，中國民用電子產品，僅限於無線電收音機。收音機當時是極為昂貴的奢侈消費品。
1973年8月26日，中國第一台每秒運算100萬次的集成電路電子計算機-105機，由北京大學、北京有線電廠、燃料化學工業部，等單位協助研製成功。
文革時期——獨立自主 自力更生
1966年文革爆發後，由於左傾政策的保護，中國電子工業得到快速發展，北京酒仙橋電子工業區基本成型。電子工業開始與紡織、印染、鋼鐵等行業結合，實現自動化生產。1968年，北京組建國營東光電工廠（878廠），上海組建無線電十九廠，至1970年建成投產，形成中國集成電路產業中的“南北兩霸”。其中北京878廠主要生產TTU電路、CMOS鍾表電路及A/D轉換電路。上海無線電19廠，主要生產TTL、HTL數字集成電路，是中國最早生產雙極型數字集成電路的專業工廠。1977年四機部投資300萬元，建設6000平方米集成電路潔淨車間。到1990年該廠累計生產509種集成電路，產量4120萬塊，產值3.25億元（該廠後來合資為上海飛利浦半導體）。
1968年，國防科委在四川永川縣，成立固體電路研究所（即永川半導體研究所，解放軍1424研究所，現中電集團24所）。這是中國唯一的模擬集成電路研究所。同年上海無線電十四廠首家製成PMOS（P型金屬－氧化物半導體）電路。拉開了中國發展MOS集成電路的序幕。1970年代永川半導體研究所、上無十四廠和北京878廠相繼研製成功NMOS電路。之後又研製成CMOS電路。至1990年底，上無十四廠累計產量為3340萬塊（後來合資成為上海貝嶺半導體）。
1972年美國總統尼克鬆訪華後，中國從歐美大量引進技術。由於集成電路產品利潤豐厚，全國有四十多家集成電路廠建成投產。包括四機部下屬的749廠（甘肅天水永紅器材廠）、871廠（甘肅天水天光集成電路廠）、878廠（北京東光電工廠）、4433廠（貴州都勻風光電工廠）和4435廠（湖南長沙韶光電工廠）等。各省市另外投資建設了大批電子企業。
1975年，北京大學物理係半導體研究小組，由王陽元等人，設計出我國第一批三種類型的（矽柵NMOS、矽柵PMOS、鋁柵NMOS）1K DRAM動態隨機存儲器，它比美國英特爾公司研製的C1103要晚五年，但是比韓國、台灣要早四五年。那時韓國、台灣根本就沒有電子工業科研基礎。照片為北京大學校史陳列館展示的器件。
引進國外先進技術——3英寸晶圓廠拖了七年
1973年，借著中美關係緩和及歐美石油危機的機會，中國希望從歐美國家，引進七條3英寸晶圓生產線，是當時世界最先進技術。這要比台灣早2年，比韓國早4年，那時候台灣與韓國還沒有電子工業科研基礎。1975年美國英特爾才開始建設世界第一座4英寸（100mm）晶圓廠。但是由於歐美技術封鎖，最終拖了七年，中國才得以引進三條已經落後的3英寸晶圓生產線，分別投資在北京國營東光電工廠（878廠），航天部陝西驪山771研究所（西安微電子研究所），和貴州都勻風光電工廠（4433廠）。其中北京878廠的3寸晶圓生產線，直至1980年才建成，已經比台灣晚了3年，比韓國晚2年。
與之形成鮮明對比的是，台灣工研院1975年向美國購買3英寸晶圓生產線，1977年就建成投產了。1978年，韓國電子技術研究所（KIET），從美國購買3英寸晶圓生產線，次年投產。1980年台灣聯華電子建設4英寸晶圓廠。而中國大陸，直至1988年，才由上海無線電十四廠，與美國貝爾電話合資，成立貝嶺微電子，建設中國大陸第一條4英寸晶圓生產線。這比台灣晚了八年，比美國晚十三年。在歐美聯手封鎖壓製下，中國大陸隻能買到二手淘汰設備。
1975年，就在台灣剛剛向美國購買3英寸晶圓廠時，中國大陸已經完成了DRAM核心技術的研發工作。北京大學物理係半導體教研室（成立於1956年，現北大微電子研究院），由王陽元領導的課題組，完成矽柵P溝道、鋁柵N溝道和矽柵N溝道三種技術方案。在中科院北京109廠（現為中科院微電子研究所），采用矽柵N溝道技術，生產出中國第一塊1K DRAM。這一成果盡管比美國、日本晚了四五年，但是比韓國、台灣要早四五年。直至1980年前後，韓國、台灣才在美國技術轉移下，獲得了DRAM技術突破，瞬間反超中國大陸。韓國直接從16K起步，台灣從64K起步。
1978年10月，中國科學院成立半導體研究所，由王守武領導，研製4K DRAM，次年在中科院109廠投入批量生產（比美國晚六年）。1981年中科院半導體所又研製成功16K DRAM（比韓國晚兩年）。1982年，江蘇無錫江南無線電器材廠（742廠），耗資6600萬美元，從日本東芝引進3英寸晶圓生產線（5微米製程，月產能1萬片），生產電視機集成電路。1985年，該廠製造出中國第一塊64K DRAM（比韓國晚一年）。1993年，已經改組的無錫華晶電子公司（原無錫742廠），製造出中國第一塊256K DRAM（比韓國晚七年）。
從上述曆史，我們可以明顯看出，在歐美技術封鎖，以及1980年後，中國大陸減少電子產業投資的情況下，中國DRAM產業從領先韓國、台灣，然後迅速被韓國、台灣反超。尤其是韓國在美國刻意扶植下，依靠20億美元左右的巨額瘋狂投資，在DRAM產業取得了顯著成果。
1977年8月1日，北京，凳和華在紀念南X昌X起義50周年大會上。
洋躍進——800億美元瘋狂計劃
而中國大陸的這一局麵，主要由於政治原因。1976年毛主席逝世後，左右各派為爭奪權力，展開了激烈較量，經濟領域是主要戰場之一。1977年中國的外匯儲備還有9億多美元，7月份國家計委提出，今後八年花費65億美元從國外進口技術設備，重點發展石油化學工業，其中隻有一個陝西鹹陽顯像管廠是電子項目。政治局討論時，（凳）提出可以花100億美元進口設備，提高中國石油、煤炭和輕工業產量，以賺取更多外匯。8月，國家計委將進口項目提高到150億美元規模，再次得到（凳）等人的肯定。
1978年2月9日，政治局討論《政府工作報告》，在葉的鼓動下，華將進口規模提高到180億美元。3月份再次討論時，華又將進口額度提高到200億美元。要知道1978年中國的外匯儲備僅有1.67億美元，可見當時（凳）、華等人的決策是如何荒唐。到6月份，政治局再次聽取報告，（凳）說得更幹脆：同國外做生意，搞買賣，搞大一點，什麽150億，搞它500億。500億美元的規模，是3月份擬定的200億美元的二點五倍。
受（凳）的影響，6月30日聽取穀牧出訪匯報時，華再次強調步子要大一些。國家計委討論後，提出了花費1000億美元引進技術的設想。7月上旬，國家計委初步整理，匯總了一個850億美元的方案，其中400億引進外資。（凳）也同意這個方案。9月9日，李現鯰在國務院務虛會結束時宣布：今後十年的引進規模可以考慮增加到800億美元。李還稱，這是一個偉大的戰略決策。
從65億美元到後來的800億美元，這幫人完全違背經濟發展規律，如同兒戲一般，將氣球越吹越大。其實，1958年大躍進時期，搞浮誇風、畝產萬斤的，也是（凳）、李、葉這幫老狐狸。當時他們把主席架在火上烤，以趕他下台。1959年毛下台，換了劉上台。1978年大搞洋躍進，同樣是為了將華趕下台。洋躍進號稱要建設“十個鞍鋼、十個大慶”，其中就包括（凳）力主拿出50億美元，從日本新日鐵進口設備，建設上海寶鋼。而上海長江邊的爛泥地，根本不適合建設大型鋼廠。
1980年9月，北京，人大五屆三次會議上，趙種裏與（凳）、李一批人坐在主席台上。
狂印鈔票——中國經濟全麵惡化
1978年中國的財政收入為1132億元，光是一個上海寶鋼項目就要投資300億元，根本不是中國國力所能負擔的。沒錢怎麽辦？開動印鈔機！1979年中國人民銀行增加了50億元人民幣的供應量。同時期，為了體現改革開放的好處，中央開始給工人漲工資、提高糧食收購價、給文革時期打倒的牛鬼蛇神們平反，補發工資。給老革命家們蓋別墅、換進口小轎車，提高福利待遇。1980年，在（凳）、葉等人的聯手打擊下，華終於被趕下了台。換了胡擔任種書計，趙擔任總裏。但是經濟形勢已經開始惡化。
1979年全國在建的大中型項目有1100多個，財政赤字170.6億元。1980年又新增了1100多項，財政赤字127億元。上述項目全部建成，還需要投資1300億元。為了彌補財政虧空，1980年央行又增印了78.5億元鈔票。從此，印鈔票如同吸毒上癮一般，成為中國經濟毒瘤。1978年中國全社會的流通現金僅有229.59億元，到1985年已經暴增至839億元。光是1984年的鈔票供應增幅，就高達驚人的39%。連年狂印鈔票引發惡性通貨膨脹。許多物價都至少翻番，高檔煙酒等民用消費品價格，甚至直接上漲10倍，以致一些城市出現了“搶購囤積風潮”。
為了控製宏觀經濟的嚴重混亂局麵，壓縮投資金額。1980年中央一下子停建緩建了400多個大中型項目，1981年又停緩建了22個大型項目。其中就包括上海寶鋼、十堰二汽、大慶30萬噸乙烯等戰略工程。盲目貪大求洋給中國經濟帶來嚴重危害，導致汽車、電子、航空等戰略產業難以發展。像上海的運10飛機，在研製15年後最終流產。北京電子管廠（現在的京東方），想上馬液晶項目，也因為缺乏國家投資而流產。更嚴重的危機還在後麵。
上海市威海路696號，原是上海元件五廠廠房和倉庫的一部分。工廠倒閉後廠房被30多位藝術家占據，成為藝術倉庫。到1990年代，上海市曾經聞名全國的電子企業，幾乎全部破產倒閉，或變成合資企業。
撥改貸——抽幹中國電子企業血液
1984年，國務圓總裏趙，為扭轉財政虧空局麵，聽信一些經濟專家的建議，盲目實行“撥改貸”政策。以往國有企業從政府財政獲得撥款，作為工廠流動資金或技術改造經費。企業盈利後將利潤上繳國家財政。這樣形成良性循環。撥改貸將政府財政撥款，改為企業向銀行貸款，還要支付高額利息。而另一頭，企業的利潤照樣要上交財政。這樣政府不僅不投一分錢，反而像從前一樣，抽走企業的大部分收入，導致國有企業迅速陷入虧損困境。
正是由於“撥改貸”，使得中國電子工業遭到致命打擊。企業隻顧引進外國設備，以盡快投產盈利，缺少科研資金對外國技術進行消化吸收。這是企業急功近利的根源。在文革時期，中國科研投入占GDP的2.32%，與英法德等發達國家相當（2003年世界平均值也僅有2.2%）。到1980年代，正是電子產業興起的關鍵時期，歐美國家和日本、韓國、台灣紛紛加大對電子產業的科研投入。而中國卻在大規模壓縮科研經費投入。1984年以後，由於“撥改貸”造成的困境，使中國企業基本無力進行研發，科研經費占GDP比值驟然降到0.6%以下。中國電子工業徹底垮了。
比如像中國最大的半導體企業——上海元件五廠。1980年利潤高達2070萬元，職工人均利潤1.5萬元。即使是1985年，上海元件五廠的產值仍然高達6713.1萬元，利潤達1261.4萬元。然而到了1990年，上海元件五廠產值下降至1496萬元，利潤竟然僅有2.47萬元，全廠1439人，人均利潤僅有區區17.16元。熬了沒幾年，這家風光了三十年的中國半導體器件龍頭企業，就在改革開放的“春風”裏破產倒閉了。
其實不單是電子工業。在1980年代，獲利豐厚的紡織工業、鍾表工業、鋼鐵工業，全部成為中央財政的吸血來源。國家停止工廠設備升級投資，導致中國紡織工業到1990年代全麵破產，全國下崗失業工人超過200萬人，引發了嚴重的社會危機。
中央停止投資——全國瘋狂引進落後淘汰技術
1982年，國務圓組建電子工業部，由張挺任部長，主管全國電子工業。該部門繼承了毛時代組建的2500多家科研院所和電子工廠，下屬職工總數達100多萬人，主要研製通信、雷達、電視、計算機、無線電、元器件等設備。產業結構完備程度，僅有美國、蘇聯可以相比。光是電子工業部下轄的專業電子研究所就有上百家。然而在80年代初，由於中央政府全麵停止對電子工業投資，各電子企業要自己去市場找資源。於是中國電子工業的技術升級全麵停止，與美國、日本的技術差距迅速拉大。甚至被80年代加大電子投資的韓國、台灣徹底甩開。
1982年，中國國務圓成立了“電子計算機和大型集成電路領導小組辦公室（簡稱大辦）”，由副中裏萬裏出任主任，管理包括半導體在內的電子工業。1984年該機構又更名為“國務圓電子振興領導小組”，由副中裏李月月任組長。至1988年該機構取消，兩任國家當家人出麵，最後結果怎麽樣？
1984年至1990年，中國各地方政府、國有企業和大學，紛紛從國外引進淘汰的落後晶圓生產線，前後總計達到33條，按照每座300-600萬美元估算，總計花費1.5億美元左右。這33條晶圓生產線，多數根本沒有商業價值。造成這一亂象的根本原因，是電子工業部，將絕大多數國有電子企業的管理權，甩給給省市地方政府，又缺乏製定執行產業規劃的政策權力。出現了全國瘋狂引進落後技術的奇怪現象。還有一個原因是80年代開始，國有企業貪汙腐敗加劇，借著進口項目的名義，領導幹部可以名正言順地獲得出國考察機會。
江蘇省無錫市，華晶電子，中國最早啟動的6英寸晶圓廠，花了八年時間才建成。建成就已經落後淘汰。
九0八工程——蓋一座6寸晶圓工廠用時八年
為了治理散亂差問題，1986年電子工業部在廈門，舉辦集成電路戰略研討會，提出“531戰略”。即“普及5微米技術、研發3微米技術，攻關1微米技術”，並落實南北兩個微電子基地。南方集中在江浙滬，北方集中在北京。1988年至1995年，在政策扶持下，中國誕生了五家具有規模的國有半導體企業：江蘇無錫華晶電子（原無錫742廠與永川半導體研究所合並）、浙江紹興華越微電子（1988年設立中國第一座4英寸晶圓廠）、上海貝嶺微電子、上海飛利浦半導體（1991年設中國第一座5英寸晶圓廠）、和北京首鋼NEC（1995年設中國第一座6英寸晶圓廠）。
1990年8月，國務院決定在八五計劃（1990-1995），半導體技術達到1微米製程，決定啟動“九0八工程”，總投資20億元。其中15億元用在無錫華晶電子，建設月產能1.2萬片的6英寸晶圓廠，由建設銀行貸款。還有5億元投給9家集成電路企業設立設計中心。（1993年華晶開發出256K DRAM，比韓國晚7年）
但實際結果是，由於官僚體係拖延，九0八工程光是經費審批就花了兩年時間。然後從美國AT&T（朗訊）引進0.9微米製程，又花了三年時間。前後拖延五年時間，建廠再花三年，導致1998年無錫華晶電子投產即落後（月產能僅6000片），華晶還要為此承擔沉重的利息支出壓力。為了解決華晶的困境，電子工業部借研討會的機會，請台灣茂矽電子老板陳正宇，接手管理華晶的六寸晶圓廠。1998年2月，由台灣人陳正宇、張汝京和李乃義在香港注冊上華公司，來租賃無錫華晶的6寸廠，進行晶圓代工業務。1999年8月，雙方合資成立無錫華晶上華半導體公司，上華控股51%。新公司迅速扭虧為盈，成為中國大陸第一家“純晶圓代工”企業，月產量達到1萬片。2001年月產能達到2萬月。2003年上華籌備建設一座8英寸晶圓廠，為了節省投資希望購買二手設備。不過國際上二手8寸晶圓廠很少。直至2007年8月，無錫海力士的8英寸晶圓廠，因DRAM價格暴跌而停產。上華迅速出手，以3.8億美元買下了該廠設備，2009年投產。
與無錫華晶形成鮮明對比的是，1990年新加坡政府投資特許半導體，隻用2年建成，第三年投產，到1998年收回全部投資。而無錫華晶卻被甩給了台灣人經營。
1990年，中國進口一台美國IBM 286電腦（IBMPS1），價格是3.5萬元人民幣。當時中國普通工人的月工資隻有300元左右。由於電子產品的暴利，引發廣東、浙江等沿海省份，大規模走私進口電子器件，徹底衝垮中國電子工業。
中國電子產業落後——三十年來以市場換技術
在1996年，國際主流生產線是8英寸晶圓廠，而中國最先進的是首鋼NEC的6英寸晶圓廠，比國外落後八年。造成這一現象，有多方麵原因。一是投資薄弱，1980-1996年間，中國在半導體產業，累計投資僅有3億多美元，其中多數胡亂花掉，沒有形成技術能力。國有企業缺乏投資，根本不可能追趕國外先進技術。作為對比，日本光是1996年對半導體的投資就接近40億美元。
二是電子工業部作為行業主管部門，卻沒有製定執行產業政策的權力，要通過國家計委來審批項目。九0八工程就是如此。而官僚體係在決策時，盲目追求技術先進，根本不考慮市場因素。以華晶電子為例，決策者拒絕在華晶內部設立IC產品設計研究所，這就一下子丟掉了大批缺乏設計能力的客戶。後來電子工業部部長胡啟立，在接受采訪時認為：那是因為決策者不了解半導體市場運作規律。
三是政治因素，自1949年新中國成立起，中國就被西方國家主導的“巴黎統籌委員會（簡稱巴統）”，進行嚴格的技術封鎖。1994年巴統由於蘇聯解體而宣告解散，但是西方對於中國的技術封鎖並未停止。1995年9月，包括原巴統17個成員國在內的28個國家，在荷蘭瓦森納召開會議，決定以控製武器技術擴散的名義，建立技術出口控製機製。1996年7月，西方33個國家正式簽訂《瓦森納協定》，民用技術控製清單包括：電子器件、計算機、傳感器等九大類。軍用技術控製清單包括22大類。中國同樣處於被禁運國家之列。
在電子領域，韓國、台灣可以輕輕鬆鬆從歐美進口先進電子設備，而中國大陸隻能購買落後5年以上的淘汰技術。而韓國、台灣依靠電子產業優勢，同樣對中國大陸進行技術封鎖。如台灣官方禁止台積電等企業，到中國大陸投資建設先進製程晶圓廠，禁止台灣液晶麵板企業到大陸設廠。即使設廠也隻能投資落後台灣一代的生產線。台灣廠商通過合同約束，嚴厲禁止台灣技術人員，跳槽到中國大陸相關企業工作。
在各方麵嚴防死守下，中國企業要想獲得先進技術，就變得非常困難。而外國企業則憑借掌握的先進技術，在中國市場予取予求，占盡便宜。所謂的“以市場換技術”，成為改開三十年來，中國最大的笑話——中國為此付出了，至少損失1萬億美元的巨額產業代價。
1990年，中國大幅降低關稅、取消計算機產品進出口批文、開放了國內電腦市場。頃刻間，國外的286、386電腦如潮水般湧入，長城、浪潮、聯想等國內公司潰不成軍。1991年由美國英特爾和AMD，掀起的“黑色降價風暴”，更是讓中國計算機產業雪上加霜。由於絕大多數整機企業，積壓了高價買進的芯片，從而背上巨額虧損的包袱，一家家電腦整機廠商，前赴後繼般悲壯地倒在了血雨腥風之中。長城、浪潮和聯想也都元氣大傷。在微電子集成電路方麵，國內企業繼80年代中後期陸續虧損後，90年代紛紛倒閉，國內集成電路工業，逐步變為三資企業為主的局麵。據專家估計， 到1990年代末，中國微電子科技水平，與國外的差距至少是10年。
八英寸晶圓廠——摩托羅拉在天津拖了六年
1995年12月，為落實“九五計劃”中，半導體生產工藝達到0.5微米的目標，國務院與上海市政府批準了“九0九工程”。包括建設晶圓廠和建立設計公司兩大任務。其中上海市政府出資40億元（5億美元），成立華虹微電子。日本NEC出資2億美元，雙方成立華虹NEC，合計投資12億美元，在浦東建設8英寸晶圓廠。由NEC提供0.35微米技術，生產當時主流的64M DRAM內存芯片。由於決策執行迅速，華虹NEC在1999年9月投產，次年實現盈利。2000年起，中國政府更換第二代IC式身份證和社保卡，華虹NEC成為主要製造商，拿到大量訂單。
1996年，美國摩托羅拉提出，準備在天津投資122億元人民幣，建設一座當時中國最先進的8英寸晶圓廠（MOS-17）。憑借這個條件，摩托羅拉成為2001年前，唯一獲得中國政府特許，獨資設立手機廠的企業，而且是唯一拿到GSM和CDMA，兩張手機生產許可證，及內銷許可證的外國企業。摩托羅拉因此在中國大賺特賺，占領了超過半數手機市場，光是1999年銷售額就達到260億元。但是直到2000年，天津的8寸廠才開始動工，2002年才正式量產（2004年被中芯國際收購）。此時國際上已經紛紛開始建設12英寸晶圓廠。
1998年，電子工業部和郵電部合並，組建信息產業部，邀請海外華人專家，參與討論製定產業指導政策。台灣世大半導體老板張汝京赴大陸考察。電子工業部曾考慮聘請張汝京出任總經理，結果未如願。到1999年底，世大半導體被台積電並購後，張汝京便決定投資大陸。2000年6月，在上海市政府支持下，張汝京創辦中芯國際，一期投資14.76億美元，其中上海國有銀行提供了12億美元貸款。2001年9月，中芯國際在上海張江，建成第一座8英寸晶圓廠，采用0.25微米工藝（設計月產能5萬片）。
十二寸晶圓廠——中芯國際專做接盤俠
2000年，北京市政府，計劃由首鋼集團出麵，與美國AOS（萬代半導體），合資組建華夏半導體，投入13.35億美元，建設8英寸晶圓廠。其中北京市願意提供6.2億美元貸款。然而隨著2001年全球半導體市場跌入低穀，該項目流產。此後，中芯國際提出在北京建設中國第一座12英寸晶圓廠（Fab4），獲得北京市政府大力支持，2004年建成（計劃月產能4.5萬片），采用100納米工藝，為英飛淩、爾必達代工生產DRAM。該廠總投資12.5億美元，北京市最初承諾提供6億美元貸款，不過直到2005年6月，才將貸款撥給中芯國際，導致Fab4直至2006年才大規模量產。
2003年，江蘇無錫市政府，獲悉韓國海力士在中國各地挑選投資地點，便成立了812項目，全力爭取海力士投資。無錫開出了比上海和蘇州，更大的資金優惠條件。最終韓國海力士與意法半導體（ST）合資，在無錫投資20億美元，建設一座8寸晶圓廠，和一座12寸晶圓廠。其中無錫市政府總計為該項目，提供了10億美元貸款。在土地方麵，由無錫市政府出資3億美元，建設兩座占地54萬平方米，和麵積32萬平方米的晶圓廠房，租賃給韓國海力士及意法半導體使用。
2006年，湖北省與武漢市政府投資100億元，組建武漢新芯，建設12英寸晶圓廠。該項目是湖北省曆史上，單項投資金額最大的項目，設計月產能6-7萬片。由於湖北省缺乏相關人才和技術，從項目之初，武漢新芯和中芯國際就簽訂了托管協議，由中芯國際提供技術支援。2008年武漢新芯投產後，由於產能開工不足，長年處於虧損狀態。2010年，美國鎂光和台灣台積電，都對武漢新芯虎視眈眈，希望並購。由於中央政府擔心國際寡頭，危及中國半導體產業安全，因此支持中芯國際入主武漢新芯。2010年10月，雙方簽訂合作協議。但是到2013年，兩企業開始分道揚鑣。
2014年2月，武漢新芯和美國飛索(Spansion)，簽定技術合作協議，由飛索提供技術，在武漢新芯共同研發新型的3D NAND Flash。美國飛索是1993年日本富士通和美國AMD，共同出資設立的NOR Flash研製公司。2009年飛索因業績連續滑坡倒產，被賽普拉斯(Cypress)收購成為其全資子公司。雖然，飛索從來就沒有生產過NAND芯片，但是，包括三星在內，現在所有的3D NAND Flash技術，其基本原理是飛索最早開發的MirrorBit技術。不過在量產技術方麵，飛索遠遠落後於韓國三星。
陝西西安，韓國三星電子西安廠區，由西安市政府免費提供土地，並花費數十億元建設廠房，再租賃給韓國三星。西安市在十年內，收不到一分錢稅費。
韓國三星落戶西安——西安市政府提供300億元巨額補貼
2011年，韓國三星與日本東芝在NAND閃存領域展開爭奪。當時三星在韓國華城（Fab12、Fab16）、器興（Fab14）以及美國得州奧斯汀，共有4座NAND閃存12英寸晶圓廠，年產能450萬片晶圓。為了拉開與東芝的差距，三星決定在中國選址建立NAND閃存晶圓廠，以搶占中國市場。為此，三星對北京、重慶、無錫、蘇州、西安等城市進行考察。中國各地政府紛紛開出巨額優惠條件。
2011年，韓國三星電子的半導體銷售額達到285.63億美元，僅在中國市場銷售額就高達95億美元。要知道中國全國的集成電路銷售額也僅有1572億元（241億美元）。因此，三星在談判中具有強勢地位，提出了眾多苛刻條件。最初作為熱門選手的北京、重慶兩個直轄市，最終都主動放棄了這個項目。最後是不被人看好的西安，在付出巨大代價後，拿下了這個項目。
2011年底，陝西省×省*長*趙正*永親赴韓國，與三星洽談。2011年，西安市GDP為3864億元，僅排在全國第30名，還不如南通、大慶、泉州等三線城市。因此西安市急於拿下這個項目。2012年1月，韓國政府審批通過三星在華設廠項目。2012年4月2日，韓國三星電子宣布在中國西安，建設閃存芯片廠。項目一期投資將達70億美元，若三期投資順利完成，總投資約為300億美元。
西安市為此項目提供了巨額補貼，包括：一、韓國三星需要的130萬平方米廠房，由西安市建設，並免費提供1500畝土地。二、西安市每年向三星補貼水、電、綠化、物流費用5億元。三、西安市財政對投資額進行30%的補貼。四、西安市對所得稅征收，進行前十年全免，後十年半額征收。同時，西安市還承諾，將為項目修建高速公路和地鐵等交通基礎設施。總的補貼金額保守估計在300億元以上。
麵對這種獅子大開口的苛刻索價，西安市竟然全盤接受。三星西安項目，選址在西安市安區五星和興隆街道，占地9.4平方公裏，15個村莊3000多戶農民被迫拆遷改造，引發群眾抗議。為了調解征地拆遷矛盾，西安市幹脆派了一批幹部吃住在農村，專門解決拆遷問題。
西安市這種隻要麵子不要裏子的招商方式，實際是用中國土地、中國資金、中國工人，來補貼服務外國企業，幫助它們占領中國市場，壓製中國本土企業發展。這在其他國家是極其滑稽的行為。也無怪乎北京、重慶不要這種項目。
改開三十年來，看看中國盡數破產倒閉的本土電子企業，再看看各省政府，花費巨額資金，補貼扶植的無錫海力士、西安三星、大連英特爾、南京台積電，不禁令人感歎。
你們發展電子產業，到底是為了誰？世界上有哪個國家的電子工業，是靠引進外資壯大的？
1971年，上海複旦大學自主研製的719計算機，由王世業、顧芝祥、陳誌剛等人參與研製。1975年複旦大學研製FD-753計算機。經過反複研究討論，結合那時美國IBM360/370、歐洲TSS、日本FACOM等計算機係統和我國DJS-260、北大150等計算機係統，最終確定753計算機係統的主要研製目標是：具有處理速度浮點運算200萬次以上的主機係統；實現分時計算機係統；多進程分層管理的微內核操作係統。
1979年上海元件五廠和上海無線電十四廠，聯合仿製（逆向工程）成功8080八位微處理器（編號5G8080）。8080為美國英特爾公司在1974年推出的第二款CPU處理器，集成6000隻晶體管，每秒運算29萬次。自1975年第一台個人電腦誕生以後，8080芯片幫助英特爾在幾年後占據了電腦芯片的霸主地位。德國西門子仿製出8080芯片是在1980年10月（Siemens SAB 8080A-C），比中國還晚一年。日本也仿製過8080芯片。
下列研究所清單，回答了：為什麽中國以落後的民用電子產業，卻能夠研製殲-20戰鬥機、月球探測器、相控陣雷達、航空母艦等尖端軍工產品。他們全部是新中國前三十年，億萬人艱苦奮鬥留下的遺產。
中國電子科技集團公司第二研究所 （成立於1962年） 太原電子專用設備研究所
中國電子科技集團公司第三研究所 （成立於1960年） 北京電視聲電研究所
中國電子科技集團公司第七研究所 （成立於1959年） 廣州通信研究所
中國電子科技集團公司第八研究所 （成立於1970年） 淮南光纖研究所
中國電子科技集團公司第九研究所 （成立於1967年） 西南應用磁學研究所
中國電子科技集團公司第十研究所 （成立於1955年） 中國第一個綜合性電子技術研究所
中國電子科技集團公司第十二研究所（成立於1957年）北京真空電子研究所
中國電子科技集團公司第十三研究所（成立於1956年）石家莊半導體研究所
中國電子科技集團公司第十四研究所（成立於1949年）南京電子研究所（亞洲最大的雷達研究所）
中國電子科技集團公司第十五研究所（成立於1958年）華北計算技術研究所
中國電子科技集團公司第十六研究所（成立於1966年）合肥低溫電子研究所
中國電子科技集團公司第十八研究所（成立於1958年）天津電源研究所
中國電子科技集團公司第二十研究所（成立於1961年）導航測控
中國電子科技集團公司第二十一研究所（成立於1963年）上海微電機研究所
中國電子科技集團公司第二十二研究所（成立於1963年）中國電波傳播研究所
中國電子科技集團公司第二十三研究所（成立於1963年）上海傳輸線研究所
中國電子科技集團公司第二十四研究所（成立於1968年）四川固體電路研究所
中國電子科技集團公司第二十六研究所（成立於1970年）重慶聲光技術研究所
中國電子科技集團公司第二十八研究所（成立於1964年）南京電子工程研究所
中國電子科技集團公司第二十九研究所（成立於1965年）西南電子設備研究所
中國電子科技集團公司第三十研究所 （成立於1965年）保密通信和信息安全研究所
中國電子科技集團公司第三十二研究所（成立於1958年）上海計算機技術研究所
中國電子科技集團公司第三十三研究所（成立於1958年）華北電磁防護技術研究所
中國電子科技集團公司第三十四研究所（成立於1971年）桂林激光通信研究所
中國電子科技集團公司第三十六研究所（成立於1978年）嘉興特種通信技術研究所
中國電子科技集團公司第三十八研究所（成立於1965年）華東電子工程研究所
中國電子科技集團公司第三十九研究所（成立於1968年）精密天線係統專業化研究所
中國電子科技集團公司第四十研究所 （成立於1984年）接插件、繼電器專業研究所
中國電子科技集團公司第四十一研究所（成立於1968年）華東電子測量儀器研究所
中國電子科技集團公司第四十三研究所（成立於1968年）華東微電子研究所
中國電子科技集團公司第四十四研究所（成立於1969年）重慶光電技術研究所
中國電子科技集團公司第四十五研究所（成立於1958年）半導體專用設備研究所
中國電子科技集團公司第四十六研究所（成立於1958年）天津激光技術研究所
中國電子科技集團公司第四十七研究所（成立於1958年）東北微電子研究所
中國電子科技集團公司第四十八研究所（成立於1964年）長沙光電設備研究所
中國電子科技集團公司第四十九研究所（成立於1976年）哈爾濱傳感器研究所
中國電子科技集團公司第五十研究所 （成立於1977年）上海電子通訊研究所
中國電子科技集團公司第五十一研究所（成立於1978年）上海微波設備研究所
中國電子科技集團公司第五十二研究所（成立於1962年）計算機外部設備研究所
中國電子科技集團公司第五十四研究所（成立於1952年）中國第一個電信技術研究所
中國電子科技集團公司第五十五研究所（成立於1958年）南京電子器件研究所
中國電子科技集團公司第五十八研究所（成立於1985年）無錫微電子科研中心
作者：超級工程一覽
